公开(公告)号：US20140327149A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14333110

申请日：2014-07-16

申请人： John S. Guzek ,  Ravi K. Nalla ,  Javier Solo Gonzalez ,  Drew Delaney ,  Suresh Pothukuchi ,  Mohit Mamodia ,  Edward Zarbock ,  Johanna M. Swan

发明人： John S. Guzek ,  Ravi K. Nalla ,  Javier Solo Gonzalez ,  Drew Delaney ,  Suresh Pothukuchi ,  Mohit Mamodia ,  Edward Zarbock ,  Johanna M. Swan

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： An apparatus includes a coreless substrate with a through-silicon via (TSV) embedded die that is integral to the coreless substrate. The apparatus includes a subsequent die that is coupled to the TSV die and that is disposed above the coreless substrate.

摘要翻译： 一种装置包括具有与无芯基板成一体的贯通硅通孔（TSV）嵌入管芯的无芯基板。 该设备包括连接到TSV管芯并且设置在无芯基板之上的后续管芯。

公开(公告)号：US20120074581A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US12890082

申请日：2010-09-24

申请人： John S. Guzek ,  Ravi K. Nalla ,  Javier Soto Gonzalez ,  Drew Delaney ,  Suresh Pothukuchi ,  Mohit Mamodia ,  Edward Zarbock ,  Johanna M. Swan

发明人： John S. Guzek ,  Ravi K. Nalla ,  Javier Soto Gonzalez ,  Drew Delaney ,  Suresh Pothukuchi ,  Mohit Mamodia ,  Edward Zarbock ,  Johanna M. Swan

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： An apparatus includes a coreless substrate with a through-silicon via (TSV) embedded die that is integral to the coreless substrate. The apparatus includes a subsequent die that is coupled to the TSV die and that is disposed above the coreless substrate.

摘要翻译： 一种装置包括具有与无芯基板成一体的贯通硅通孔（TSV）嵌入管芯的无芯基板。 该设备包括连接到TSV管芯并且设置在无芯基板之上的后续管芯。

公开(公告)号：US08466559B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US12972161

申请日：2010-12-17

申请人： Rahul N. Manepalli ,  Mohit Mamodia ,  Dingying Xu ,  Javier S. Gonzalez ,  Edward R. Prack

发明人： Rahul N. Manepalli ,  Mohit Mamodia ,  Dingying Xu ,  Javier S. Gonzalez ,  Edward R. Prack

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10523 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming a microelectronic packaging structure and associated structures formed thereby are described. Those methods may include attaching a patterned die backside film (DBF) on a backside of a die, wherein the patterned DBF comprises an opening surrounding at least one through silicon via (TSV) pad disposed on the backside of the die.

公开(公告)号：US08287996B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12653791

申请日：2009-12-21

申请人： Dingying Xu ,  Leonel R. Arana ,  Nachiket R. Raravikar ,  Mohit Mamodia ,  Rajasekaran Swaminathan ,  Rahul Manepalli

发明人： Dingying Xu ,  Leonel R. Arana ,  Nachiket R. Raravikar ,  Mohit Mamodia ,  Rajasekaran Swaminathan ,  Rahul Manepalli

IPC分类号： B32B27/32

CPC分类号： H01L23/3737 ,  H01L24/81 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/3154 ,  H01L2924/00

摘要： A coating for a microelectronic device comprises a polymer film (131) containing a filler material (232). The polymer film has a thermal conductivity greater than 3 W/m·K and a thickness (133) that does not exceed 10 micrometers. The polymer film may be combined with a dicing tape (310) to form a treatment (300) that simplifies a manufacturing process for a microelectronic package (100) and may be used in order to manage a thermal profile of the microelectronic device.

摘要翻译： 用于微电子器件的涂层包括含有填料（232）的聚合物膜（131）。 聚合物膜的热导率大于3W / m·K，厚度（133）不超过10微米。 聚合物膜可以与切割带（310）组合以形成简化微电子封装（100）的制造工艺的处理（300），并且可以使用该处理（300）来管理微电子器件的热分布。

公开(公告)号：US08569108B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13613650

申请日：2012-09-13

申请人： Dingying Xu ,  Leonel R. Arana ,  Nachiket R. Raravikar ,  Mohit Mamodia ,  Rajasekaran Swaminathan ,  Rahul Manepalli

发明人： Dingying Xu ,  Leonel R. Arana ,  Nachiket R. Raravikar ,  Mohit Mamodia ,  Rajasekaran Swaminathan ,  Rahul Manepalli

IPC分类号： H01L21/78 ,  B32B27/00

CPC分类号： H01L23/3737 ,  H01L24/81 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/3154 ,  H01L2924/00

摘要： A coating for a microelectronic device comprises a polymer film (131) containing a filler material (232). The polymer film has a thermal conductivity greater than 3 W/m·K and a thickness (133) that does not exceed 10 micrometers. The polymer film may be combined with a dicing tape (310) to form a treatment (300) that simplifies a manufacturing process for a microelectronic package (100) and may be used in order to manage a thermal profile of the microelectronic device.

摘要翻译： 用于微电子器件的涂层包括含有填料（232）的聚合物膜（131）。 聚合物膜的热导率大于3W / m·K，厚度（133）不超过10微米。 聚合物膜可以与切割带（310）组合以形成简化微电子封装（100）的制造工艺的处理（300），并且可以使用该处理（300）来管理微电子器件的热分布。

公开(公告)号：US20130252376A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13895546

申请日：2013-05-16

申请人： Rahul N. Manepalli ,  Mohit Mamodia ,  David Xu ,  Javier Soto Gonzalez ,  Edward R. Prack

发明人： Rahul N. Manepalli ,  Mohit Mamodia ,  David Xu ,  Javier Soto Gonzalez ,  Edward R. Prack

IPC分类号： H01L25/00

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10523 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming a microelectronic packaging structure and associated structures formed thereby are described. Those methods may include attaching a patterned die backside film (DBF) on a backside of a die, wherein the patterned DBF comprises an opening surrounding at least one through silicon via (TSV) pad disposed on the backside of the die.

摘要翻译： 描述了形成微电子封装结构的方法及由此形成的相关结构。 这些方法可以包括将图案化的模具背面薄膜（DBF）附接到模具的背面，其中图案化的DBF包括围绕设置在模具背面的至少一个穿过硅通孔（TSV）垫的开口。

公开(公告)号：US08304065B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12655282

申请日：2009-12-28

申请人： Leonel Arana ,  Dingying Xu ,  Vijay Wakharkar ,  Wen Feng ,  Nirupama Chakrapani ,  Shankar Ganapathysubramanian ,  Jorge Sanchez ,  Mohit Mamodia

发明人： Leonel Arana ,  Dingying Xu ,  Vijay Wakharkar ,  Wen Feng ,  Nirupama Chakrapani ,  Shankar Ganapathysubramanian ,  Jorge Sanchez ,  Mohit Mamodia

IPC分类号： B32B7/02

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/10253 ,  Y10T428/24124 ,  Y10T428/2419 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/2839 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/31703 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： A treatment for a microelectronic device comprises a dicing tape (110) and a polymer composite film (120) having a pigment or other colorant added thereto and, in some embodiments, a pre-cure glass transition temperature greater than 50° Celsius. The film can comprise multiple layers, with one layer being tacky and the other layer non-tacky at a given temperature.

摘要翻译： 微电子器件的处理包括切割带（110）和添加有颜料或其它着色剂的聚合物复合膜（120），并且在一些实施方案中，预固化玻璃化转变温度大于50℃。 膜可以包括多层，一层是粘性的，另一层在给定温度下是非粘性的。

公开(公告)号：US08227551B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12615717

申请日：2009-11-10

申请人： Alan James Lesser ,  Naveen Kumar Singh ,  Mohit Mamodia

发明人： Alan James Lesser ,  Naveen Kumar Singh ,  Mohit Mamodia

IPC分类号： C08L23/00 ,  C08L25/00 ,  C08J3/28

CPC分类号： C08J3/24 ,  C08J3/245 ,  C08J3/246 ,  C08J2323/16 ,  C08J2353/02 ,  C08L21/00 ,  C08L23/0815 ,  C08L23/16 ,  C08L23/18 ,  C08L23/20 ,  C08L53/025 ,  Y10S525/903 ,  C08L2666/02

摘要： Disclosed herein is a polymeric composition comprising a polymeric composition comprising a first crosslinked network; and a second crosslinked network; wherein the first crosslinked network is crosslinked at a first stress and/or a first strain and the second crosslinked network is crosslinked at a second stress and/or a second strain; where the first stress and/or the first strain is different from the second stress and/or the second strain either in magnitude or direction. Disclosed herein is a method comprising subjecting a polymeric mass to a first stress and/or a first strain level; crosslinking the polymeric mass to form a first crosslinked network; subjecting the polymeric mass to a second stress and/or a second strain level; and crosslinking the polymeric mass to form a second crosslinked network; where the first stress and/or the first strain level is different from the second stress and/or the second strain level.

摘要翻译： 本文公开了一种聚合物组合物，其包含包含第一交联网络的聚合物组合物; 和第二交联网络; 其中所述第一交联网络在第一应力和/或第一应变下交联，并且所述第二交联网络在第二应力和/或第二应变下交联; 其中第一应力和/或第一应变在幅度或方向上不同于第二应力和/或第二应变。 本文公开了一种方法，包括使聚合物质处于第一应力和/或第一应变水平; 交联聚合物以形成第一交联网络; 将聚合物料经受第二应力和/或第二应变水平; 并交联聚合物以形成第二交联网络; 其中第一应力和/或第一应变水平不同于第二应力和/或第二应变水平。

公开(公告)号：US20110159256A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12655282

申请日：2009-12-28

申请人： Leonel Arana ,  Dingying Xu ,  Vijay Wakharkar ,  Wen Feng ,  Nirupama Chakrapani ,  Shankar Ganapathysubramanian ,  Jorge Sanchez ,  Mohit Mamodia

发明人： Leonel Arana ,  Dingying Xu ,  Vijay Wakharkar ,  Wen Feng ,  Nirupama Chakrapani ,  Shankar Ganapathysubramanian ,  Jorge Sanchez ,  Mohit Mamodia

IPC分类号： H01L21/60 ,  C09J7/02 ,  B32B7/02 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/10253 ,  Y10T428/24124 ,  Y10T428/2419 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/2839 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/31703 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： A treatment for a microelectronic device comprises a dicing tape (110) and a polymer composite film (120) having a pigment or other colorant added thereto and, in some embodiments, a pre-cure glass transition temperature greater than 50° Celsius. The film can comprise multiple layers, with one layer being tacky and the other layer non-tacky at a given temperature.

摘要翻译： 微电子器件的处理包括切割带（110）和添加有颜料或其它着色剂的聚合物复合膜（120），并且在一些实施方案中，预固化玻璃化转变温度大于50℃。 膜可以包括多层，一层是粘性的，另一层在给定温度下是非粘性的。

公开(公告)号：US20110151624A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12653791

申请日：2009-12-21

申请人： Dingying Xu ,  Leonel R. Arana ,  Nachiket R. Raravikar ,  Mohit Mamodia ,  Rajasekaran Swaminathan ,  Rahul Manepalli

发明人： Dingying Xu ,  Leonel R. Arana ,  Nachiket R. Raravikar ,  Mohit Mamodia ,  Rajasekaran Swaminathan ,  Rahul Manepalli

IPC分类号： H01L21/50 ,  B32B27/00

CPC分类号： H01L23/3737 ,  H01L24/81 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/3154 ,  H01L2924/00

摘要： A coating for a microelectronic device comprises a polymer film (131) containing a filler material (232). The polymer film has a thermal conductivity greater than 3 W/m·K and a thickness (133) that does not exceed 10 micrometers. The polymer film may be combined with a dicing tape (310) to form a treatment (300) that simplifies a manufacturing process for a microelectronic package (100) and may be used in order to manage a thermal profile of the microelectronic device.

摘要翻译： 用于微电子器件的涂层包括含有填料（232）的聚合物膜（131）。 聚合物膜的热导率大于3W / m·K，厚度（133）不超过10微米。 聚合物膜可以与切割带（310）组合以形成简化微电子封装（100）的制造工艺的处理（300），并且可以使用该处理（300）来管理微电子器件的热分布。