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    Selective dry etching of tantalum and tantalum nitride
    2.
    发明授权
    Selective dry etching of tantalum and tantalum nitride 有权
    选择性干蚀刻钽和氮化钽

    公开(公告)号：US07354853B2

    公开(公告)日：2008-04-08

    申请号：US11179316

    申请日：2005-07-12

    申请人： Mona M. Eissa ,  Troy A. Yocum

    发明人： Mona M. Eissa ,  Troy A. Yocum

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23F4/00 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865

    摘要： The invention describes a method for the selective dry etching of tantalum and tantalum nitride films. Tantalum nitride layers (30) are often used in semiconductor manufacturing. The semiconductor substrate is exposed to a reducing plasma chemistry which passivates any exposed copper (40). The tantalum or tantalum nitride films are selectively removed using an oxidizing plasma chemistry.

    摘要翻译： 本发明描述了一种用于钽和氮化钽膜的选择性干蚀刻的方法。 通常在半导体制造中使用氮化钽层（30）。 将半导体衬底暴露于钝化任何暴露的铜（40）的还原等离子体化学。 使用氧化等离子体化学物质选择性地除去钽或氮化钽膜。

    Forming a trench to define one or more isolation regions in a semiconductor structure
    3.
    发明授权
    Forming a trench to define one or more isolation regions in a semiconductor structure 有权
    形成沟槽以限定半导体结构中的一个或多个隔离区

    公开(公告)号：US06905943B2

    公开(公告)日：2005-06-14

    申请号：US10703387

    申请日：2003-11-06

    申请人： Juanita DeLoach ,  Freidoon Mehrad ,  Brian M. Trentman ,  Troy A. Yocum

    发明人： Juanita DeLoach ,  Freidoon Mehrad ,  Brian M. Trentman ,  Troy A. Yocum

    IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L21/76232

    摘要： In one embodiment, a method for forming a semiconductor structure in manufacturing a semiconductor device includes providing a pad layer on a surface of a substrate, providing a nitride layer on the pad layer, and providing a sacrificial oxide layer on the nitride layer. In a first etching step, at least the sacrificial oxide and nitride layers are etched to define opposing substantially vertical surfaces of at least the sacrificial oxide and nitride layers. In a second etching step, the nitride layer is etched such that the opposing substantially vertical surfaces of the nitride layer are recessed from the opposing substantially vertical surfaces of the sacrificial oxide layer, the sacrificial oxide layer substantially preventing the nitride layer from decreasing in thickness as a result of the etching of the nitride layer. In a third etching step, the substrate is etched to form a trench extending into the substrate for purposes of defining one or more isolation regions adjacent the trench.

    摘要翻译： 在一个实施例中，在制造半导体器件中形成半导体结构的方法包括在衬底的表面上提供焊盘层，在焊盘层上提供氮化物层，并在氮化物层上提供牺牲氧化物层。 在第一蚀刻步骤中，至少牺牲氧化物层和氮化物层被蚀刻以限定至少牺牲氧化物层和氮化物层的相对的基本垂直的表面。 在第二蚀刻步骤中，蚀刻氮化物层，使得氮化物层的相对的基本上垂直的表面从牺牲氧化物层的相对的基本上垂直的表面凹陷，牺牲氧化物层基本上防止氮化物层的厚度减小 蚀刻氮化物层的结果。 在第三蚀刻步骤中，蚀刻衬底以形成延伸到衬底中的沟槽，用于限定与沟槽相邻的一个或多个隔离区域。

    Post fuse slag etch
    5.
    发明授权
    Post fuse slag etch 有权
    后保险丝熔渣蚀刻

    公开(公告)号：US06316350B1

    公开(公告)日：2001-11-13

    申请号：US09697939

    申请日：2000-10-26

    申请人： Mona M. Eissa ,  Troy A. Yocum

    发明人： Mona M. Eissa ,  Troy A. Yocum

    IPC分类号： H01L214763

    CPC分类号： H01L21/32134 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5258 ,  H01L27/11 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A post laser blown fuse slag etch for a copper fuse (30) with a barrier metal liner (18), (e.g., TaxNy, Ta, Ti, TixNy). After the fuse (30) is blown, copper and copper complexes may be selectively removed using a nitric acid and H2O2 solution. Then, a corrosion inhibitor is used to passivate the surface of exposed copper (34). Next, the barrier metal (18) of slag (22) is removed using a strong basic etch chemistry comprising a base plus H2O2. This solution removes the barrier metal selectively with respect to passivation layer (e.g., silicon nitride) (16) and oxides/FSG (12). A diluted HF solution may then be used to remove any trace metal or oxidized copper.

    摘要翻译： 用于具有阻挡金属衬垫（18）（例如，TaxNy，Ta，Ti，TixNy）的铜熔丝（30）的后激光熔丝熔渣蚀刻。 在保险丝（30）吹出之后，可以使用硝酸和H 2 O 2溶液选择性地除去铜和铜络合物。 然后，使用腐蚀抑制剂钝化暴露的铜的表面（34）。 接下来，使用强碱性蚀刻化学物质除去炉渣（22）的阻挡金属（18），其包括碱加上H 2 O 2。 该溶液相对于钝化层（例如氮化硅）（16）和氧化物/ FSG（12）选择性地去除阻挡金属。 然后可以使用稀释的HF溶液去除任何痕量金属或氧化铜。

    Wet clean of organic silicate glass films
    6.
    发明授权
    Wet clean of organic silicate glass films 有权
    湿法清洗有机硅酸盐玻璃膜

    公开(公告)号：US06551943B1

    公开(公告)日：2003-04-22

    申请号：US09652728

    申请日：2000-08-31

    申请人： Mona M. Eissa ,  Troy A. Yocum

    发明人： Mona M. Eissa ,  Troy A. Yocum

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

    摘要： A post-etch clean up process for OSG. After the trench (112)/via (114) etch in a dual damascene process, a wet chemistry comprising HF and H2O2 is used to remove residues without etching or damaging the OSG film in the ILD (108) or IMD (110).

    摘要翻译： OSG的蚀刻后清理过程。 在双镶嵌工艺中的沟槽（112）/通孔（114）蚀刻之后，使用包含HF和H 2 O 2的湿化学物质来除去残留物，而不蚀刻或损坏ILD（108）或IMD（110）中的OSG膜。