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    TERMINAL AND APPLICATION MANAGEMENT METHOD THEREOF
    1.
    发明申请
    TERMINAL AND APPLICATION MANAGEMENT METHOD THEREOF 审中-公开
    终端和应用管理方法

    公开(公告)号：US20130055273A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：US13599495

    申请日：2012-08-30

    申请人： Youngki HONG ,  Killyeon Kim ,  Hyeonjin Kang ,  Kisuk Kweon ,  Yongseok Park

    发明人： Youngki HONG ,  Killyeon Kim ,  Hyeonjin Kang ,  Kisuk Kweon ,  Yongseok Park

    IPC分类号： G06F9/46

    CPC分类号： H04L67/325

    摘要： A terminal and application synchronization method is provided for simultaneously updating multiple applications. The application synchronization method includes acquiring a synchronization timing of a previously registered synchronization target application or a common synchronization timing of previously registered synchronization target applications, when an application to be synchronized is added; and adjusting the synchronization timing of the added application in consideration of the previous synchronization timing or the common synchronization timing.

    摘要翻译： 提供了一种终端和应用同步方法，用于同时更新多个应用程序。 应用同步方法包括：当添加要同步的应用时，获取先前登记的同步目标应用的同步定时或先前登记的同步目标应用的公共同步定时; 以及考虑到先前的同步定时或公共同步定时来调整所添加的应用的同步定时。

    Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing
    2.
    发明授权
    Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing 失效
    抛光浆料和化学机械抛光方法

    公开(公告)号：US07553430B2

    公开(公告)日：2009-06-30

    申请号：US11540297

    申请日：2006-09-29

    申请人： Sunil Chandra ,  Sreehari Nimmala ,  Suryadevara Vijayakumar Babu ,  Udaya B. Patri ,  Sharath Hedge ,  Youngki Hong

    发明人： Sunil Chandra ,  Sreehari Nimmala ,  Suryadevara Vijayakumar Babu ,  Udaya B. Patri ,  Sharath Hedge ,  Youngki Hong

    IPC分类号： C09K13/00

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

    摘要： Aqueous polishing slurries for chemical-mechanical polishing are effective for polishing copper at high polish rates. The aqueous slurries according to the present invention may include soluble salts of molybdenum dissolved in an oxidizing agent and molybdic acid dissolved in an oxidizing agent. Methods for polishing copper by chemical-mechanical planarization include polishing copper with low pressures using a polishing pad and a aqueous slurries including soluble salts of molybdenum dissolved in an oxidizing agent and molybdic acid dissolved in an oxidizing agent, particles of MoO3 dissolved in an oxidizing agent, and particles of MoO2 dissolved in an oxidizing agent.

    摘要翻译： 用于化学机械抛光的水性抛光浆对于以高抛光速率抛光铜是有效的。 根据本发明的水性浆料可以包括溶解在氧化剂中的钼的可溶性盐和溶解在氧化剂中的钼酸。 通过化学机械平面化抛光铜的方法包括使用抛光垫来抛光低压铜，以及包含溶解在氧化剂中的钼的可溶性盐和溶解在氧化剂中的钼酸的水性浆料，溶解在氧化剂中的MoO 3颗粒 ，和溶解在氧化剂中的MoO 2颗粒。

    Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing
    3.
    发明授权
    Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing 失效
    抛光浆料和化学机械抛光方法

    公开(公告)号：US07186653B2

    公开(公告)日：2007-03-06

    申请号：US11032717

    申请日：2005-01-11

    申请人： Sunil Chandra Jha ,  Sreehari Nimmala ,  Sharath Hegde ,  Youngki Hong ,  Suryadevera V. Babu ,  Udaya B. Patri

    发明人： Sunil Chandra Jha ,  Sreehari Nimmala ,  Sharath Hegde ,  Youngki Hong ,  Suryadevera V. Babu ,  Udaya B. Patri

    IPC分类号： H01I21/302 ,  C09K13/00

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

    摘要： Aqueous polishing slurries for chemical-mechanical polishing are effective for polishing copper at high polish rates. The aqueous slurries according to the present invention may include soluble salts of molybdenum dissolved in an oxidizing agent and molybdic acid dissolved in an oxidizing agent. Methods for polishing copper by chemical-mechanical planarization include polishing copper with low pressures using a polishing pad and a aqueous slurries including soluble salts of molybdenum dissolved in an oxidizing agent and molybdic acid dissolved in an oxidizing agent, particles of MoO3 dissolved in an oxidizing agent, and particles of MoO2 dissolved in an oxidizing agent.

    摘要翻译： 用于化学机械抛光的水性抛光浆对于以高抛光速率抛光铜是有效的。 根据本发明的水性浆料可以包括溶解在氧化剂中的钼的可溶性盐和溶解在氧化剂中的钼酸。 通过化学 - 机械平面化抛光铜的方法包括使用抛光垫对低压抛光铜和包含溶解在氧化剂中的钼的可溶性盐和溶解在氧化剂中的钼酸的水性浆料，MoO 3的颗粒， / SUB>溶解在氧化剂中的MoO 2 N 2 O 3的颗粒溶解在氧化剂中。

    Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing
    6.
    发明申请
    Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing 失效
    抛光浆料和化学机械抛光方法

    公开(公告)号：US20050211953A1

    公开(公告)日：2005-09-29

    申请号：US11032717

    申请日：2005-01-11

    申请人： Sunil Jha ,  Sreehari Nimmala ,  Sharath Hegde ,  Youngki Hong ,  S.V. Babu ,  Udaya Patri

    发明人： Sunil Jha ,  Sreehari Nimmala ,  Sharath Hegde ,  Youngki Hong ,  S.V. Babu ,  Udaya Patri

    IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C23F3/06 ,  H01L21/321 ,  C09K13/00 ,  C23F1/00

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

    摘要： Aqueous polishing slurries for chemical-mechanical polishing are effective for polishing copper at high polish rates. The aqueous slurries according to the present invention may include soluble salts of molybdenum dissolved in an oxidizing agent and molybdic acid dissolved in an oxidizing agent. Methods for polishing copper by chemical-mechanical planarization include polishing copper with low pressures using a polishing pad and a aqueous slurries including soluble salts of molybdenum dissolved in an oxidizing agent and molybdic acid dissolved in an oxidizing agent, particles of MoO3 dissolved in an oxidizing agent, and particles of MoO2 dissolved in an oxidizing agent.

    摘要翻译： 用于化学机械抛光的水性抛光浆对于以高抛光速率抛光铜是有效的。 根据本发明的水性浆料可以包括溶解在氧化剂中的钼的可溶性盐和溶解在氧化剂中的钼酸。 通过化学 - 机械平面化抛光铜的方法包括使用抛光垫对低压抛光铜和包含溶解在氧化剂中的钼的可溶性盐和溶解在氧化剂中的钼酸的水性浆料，MoO 3的颗粒， / SUB>溶解在氧化剂中的MoO 2 N 2 O 3的颗粒溶解在氧化剂中。

    Method for Chemical-Mechanical Planarization of Copper
    8.
    发明申请
    Method for Chemical-Mechanical Planarization of Copper 审中-公开
    铜的化学机械平面化方法

    公开(公告)号：US20080277378A1

    公开(公告)日：2008-11-13

    申请号：US12163385

    申请日：2008-06-27

    申请人： S.V. Babu ,  Sharath Hegde ,  Sunil Chandra Jha ,  Udaya B. Patri ,  Youngki Hong

    发明人： S.V. Babu ,  Sharath Hegde ,  Sunil Chandra Jha ,  Udaya B. Patri ,  Youngki Hong

    IPC分类号： B44C1/22

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

    摘要： Method for polishing copper by chemical-mechanical planarization. The method of the present invention includes dissolving MoO3 in an oxidizing agent and deionized water to form a first slurry; filtering the first slurry; adding supplemental ceramic/metal oxide nano-particles to the first slurry after filtering, forming an aqueous slurry; introducing the aqueous slurry between the copper and a polishing pad; and, polishing the copper by moving the polishing pad and the copper relative to one another.

    摘要翻译： 通过化学机械平面化抛光铜的方法。 本发明的方法包括将MoO 3 N 3在氧化剂和去离子水中溶解以形成第一浆料; 过滤第一浆料; 在过滤后向第一浆料中加入补充的陶瓷/金属氧化物纳米颗粒，形成含水浆料; 在铜和抛光垫之间引入含水浆料; 并且通过相对于彼此移动抛光垫和铜来抛光铜。