公开(公告)号：US20190218233A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：US16331204

申请日：2017-04-10

申请人： Ziyun WANG ,  Zhiwen WAN ,  Jean-Marc GIRARD ,  L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Ziyun WANG ,  Zhiwen WAN ,  Jean-Marc GIRARD

IPC分类号： C07F7/28 ,  C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40

CPC分类号： C07F7/28 ,  C07F7/00 ,  C07F17/00 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45553

摘要： Group 4 transition metal-containing film forming compositions comprising Group 4 transition metal azatrane precursors are disclosed. Also disclosed are methods of synthesizing and using the disclosed precursors to deposit Group 4 transition metal-containing films on one or more substrates via vapor deposition processes.

公开(公告)号：US20120231180A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13230033

申请日：2011-09-12

申请人： Bin XIA ,  Zhiwen Wan ,  Ashutosh Misra ,  Olivier Letessier

发明人： Bin XIA ,  Zhiwen Wan ,  Ashutosh Misra ,  Olivier Letessier

IPC分类号： C09D5/00 ,  C23C16/50 ,  C23C16/06

CPC分类号： B01D15/00 ,  C07C41/44 ,  C07C43/12 ,  C07C43/126

摘要： Disclosed are methods of purifying a ruthenium containing precursor by removing oxygen from the ruthenium containing precursor by flowing an inert gas through the ruthenium containing precursor. Also disclosed are methods of forming an improved ruthenium containing film using the purified ruthenium containing precursor.

摘要翻译： 公开了通过使惰性气体流过含钌前驱体从含钌前驱体中除去氧来纯化含钌前体的方法。 还公开了使用纯化的含钌前体形成改进的含钌膜的方法。

公开(公告)号：US11008351B2

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：US16331204

申请日：2017-04-10

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude ,  Ziyun Wang ,  Zhiwen Wan ,  Jean-Marc Girard

发明人： Ziyun Wang ,  Zhiwen Wan ,  Jean-Marc Girard

IPC分类号： C23C16/18 ,  C07F7/28 ,  C23C16/455 ,  C07F17/00 ,  C23C16/40 ,  C07F7/00 ,  C23C16/08

摘要： Disclosed are methods of using Group 4 transition metal azatrane precursors to deposit Group 4 transition metal-containing films on one or more substrates via vapor deposition processes.

公开(公告)号：US20210087406A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：US16971869

申请日：2019-02-21

申请人： Antonio SANCHEZ ,  Gennadiy ITOV ,  Manish KHANDELWAL ,  Cole RITTER ,  Peng ZHANG ,  Jean-Marc GIRARD ,  Zhiwen WAN ,  Glenn KUCHENBEISER ,  David ORBAN ,  Sean KERRIGAN ,  Reno PESARESI ,  Matthew Damien STEPHENS ,  Yang WANG ,  Guillaume HUSSON ,  Grigory NIKIFOROV ,  L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude ,  American Air Liquide, Inc.

发明人： Antonio SANCHEZ ,  Gennadiy ITOV ,  Manish KHANDELWAL ,  Cole RITTER ,  Peng ZHANG ,  Jean-Marc GIRARD ,  Zhiwen WAN ,  Glenn KUCHENBEISER ,  David ORBAN ,  Sean KERRIGAN ,  Reno PESARESI ,  Matthew Damien STEPHENS ,  Yang WANG ,  Guillaume HUSSON ,  Grigory NIKIFOROV

IPC分类号： C09D1/00 ,  C09D7/63 ,  C01B21/087 ,  C01B33/12 ,  C01B21/068 ,  C23C18/12 ,  B05D1/00 ,  B05D3/02

摘要： A Si-containing film forming composition comprising a catalyst and/or a polysilane and a N—H free, C-free, and Si-rich perhydropolysilazane having a molecular weight ranging from approximately 332 dalton to approximately 100,000 dalton and comprising N—H free repeating units having the formula [—N(SiH3)x(SiH2-)y], wherein x=0, 1, or 2 and y=0, 1, or 2 with x+y=2; and x=0, 1 or 2 and y=1, 2, or 3 with x+y=3. Also disclosed are synthesis methods and applications for using the same.

公开(公告)号：US09073952B1

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13458579

申请日：2012-04-27

申请人： Zhiwen Wan ,  Ziyun Wang ,  Ashutosh Misra ,  Jean-Marc Girard ,  Andrey V. Korolev

发明人： Zhiwen Wan ,  Ziyun Wang ,  Ashutosh Misra ,  Jean-Marc Girard ,  Andrey V. Korolev

IPC分类号： C07F7/18 ,  C07F7/08 ,  C07F7/12

CPC分类号： C07F7/1804 ,  C07F7/0827 ,  C07F7/0896 ,  C07F7/125 ,  C07F7/1876

摘要： Si(OEt)2[CH2—Si(OEt)3]2 compounds are synthesized by reacting a Grignard reagent having the formula Si(OEt)3(CH2MgCl) with a quenching agent having the formula Si(OEt)2Cl2.

摘要翻译： 通过使具有式Si（OEt）3（CH2MgCl）的格氏试剂与具有式Si（OEt）2 Cl 2的淬灭剂反应，合成Si（OEt）2 [CH 2 -Si（OEt）3] 2化合物。

公开(公告)号：US20100116738A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12437224

申请日：2009-05-07

申请人： Bin Xia ,  Zhiwen Wan ,  Ashutosh Misra ,  Olivier Letessier

发明人： Bin Xia ,  Zhiwen Wan ,  Ashutosh Misra ,  Olivier Letessier

IPC分类号： B01D15/04

CPC分类号： B01D15/00 ,  C07C41/44 ,  C07C43/12 ,  C07C43/126

摘要： The present invention provides for two separate processes for removing impurities from an organic solvent based ruthenium precursor. The first process comprises the steps of contacting the organic solvent based ruthenium precursor with one or more drying agents under an inert gas blanket for a sufficient period of time to allow at least a portion of the impurities in the organic solvent based ruthenium precursor to be adsorbed by the one or more drying agents; and separating the one or more drying agents which have at least a portion of the impurities adsorbed thereon from the organic solvent based ruthenium precursor. The second process comprises the steps of providing a column that contains one or more drying agents and is equipped with a filtration unit; passing the organic solvent based ruthenium precursor through the column in order to allow at least a portion of the impurities in the solvent based ruthenium precursor to be adsorbed by the one or more drying agents, said passing of the solvent based ruthenium precursor taking place under a blanket of inert gas; and further passing the ruthenium precursor through the filtration unit in order ro remove any residual particles that may result from the passage of the ruthenium precursor through the column containing the one or more drying agents in order to obtain a purified ruthenium precursor.

摘要翻译： 本发明提供了用于从有机溶剂型钌前体中除去杂质的两种分开的方法。 第一种方法包括以下步骤：使有机溶剂基钌前体与一种或多种干燥剂在惰性气体覆盖下接触足够的时间，以允许有机溶剂型钌前体中的至少一部分杂质被吸附 由一种或多种干燥剂; 以及从有机溶剂型钌前体分离其中吸附有至少一部分杂质的一种或多种干燥剂。 第二种方法包括提供含有一种或多种干燥剂并装有过滤装置的柱子的步骤; 使有机溶剂基钌前体通过柱，以使至少一部分溶剂型钌前体中的杂质被一种或多种干燥剂吸附，所述溶剂型钌前体在 惰性气体毯; 并且进一步使钌前体通过过滤单元以顺序去除可能由钌前体通过含有一种或多种干燥剂的柱而导致的残余颗粒，以获得纯化的钌前体。

公开(公告)号：US20090020140A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12135699

申请日：2008-06-09

申请人： Zhiwen WAN ,  Ashutosh Misra ,  Ziyun Wang

发明人： Zhiwen WAN ,  Ashutosh Misra ,  Ziyun Wang

IPC分类号： B08B3/10 ,  B08B3/08

CPC分类号： C11D11/0041 ,  C11D7/5018 ,  C23C16/4407

摘要： Methods and compositions for purging and cleaning a semiconductor fabrication system are disclosed herein. In general, the disclosed methods utilize solvents comprising hydrofluoroethers. Hydrofluoroethers are non-toxic and have low moisture content, preventing heat generation from organometallic precursor hydrolysis. In an embodiment, a method of cleaning a semiconductor fabrication system comprises dissolving at least one chemical precursor used in semiconductor fabrication in at least one delivery line with a solvent to clean the at least one delivery line. The solvent generally comprises a hydrofluoroether. The methods and compositions may be used in a variety of semiconductor film deposition processes.

摘要翻译： 本文公开了用于清洗和清洁半导体制造系统的方法和组合物。 通常，所公开的方法使用包含氢氟醚的溶剂。 氢氟醚无毒，水分含量低，防止有机金属前体水解产生热量。 在一个实施方案中，清洁半导体制造系统的方法包括将至少一种用于半导体制造的化学前体溶解在至少一个输送管线中的溶剂中以清洁至少一个输送管线。 溶剂通常包含氢氟醚。 该方法和组合物可用于各种半导体膜沉积工艺中。

公开(公告)号：US20100189898A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12691981

申请日：2010-01-22

申请人： Zhiwen WAN ,  Ashutosh Misra

发明人： Zhiwen WAN ,  Ashutosh Misra

IPC分类号： C23C16/18 ,  C07F17/00 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07F17/00

摘要： Methods and compositions for the deposition of a metal containing film on a substrate. The film is deposited with a substantially adduct free precursor which is prepared by a process to remove the adduct from an adducted starting material.

摘要翻译： 用于在基材上沉积含金属膜的方法和组合物。 该膜沉积有基本上无加合物的前体，其通过从加合起始材料中除去加合物的方法制备。