公开(公告)号：US08334151B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12752977

申请日：2010-04-01

申请人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/32341

摘要： An (Al, Ga, In)N and ZnO direct wafer bonded light emitting diode (LED), wherein light passes through electrically conductive ZnO. Flat and clean surfaces are prepared for both the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers. A wafer bonding process is then performed between the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers, wherein the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers are joined together and then wafer bonded in a nitrogen ambient under uniaxial pressure at a set temperature for a set duration. After the wafer bonding process, ZnO is shaped for increasing light extraction from inside of LED.

摘要翻译： An（Al，Ga，In）N和ZnO直接晶圆键合发光二极管（LED），其中光通过导电ZnO。 为（Al，Ga，In）N和ZnO晶圆制备平坦且干净的表面。 然后在（Al，Ga，In）N和ZnO晶片之间进行晶片接合工艺，其中（Al，Ga，In）N和ZnO晶片被接合在一起，然后在氮气氛下在单轴压力下在 设定温度一段时间。 在晶片接合工艺之后，ZnO被成形为用于从LED内部增加光提取。

公开(公告)号：US20100187555A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12752977

申请日：2010-04-01

申请人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/32341

摘要： An (Al, Ga, In)N and ZnO direct wafer bonded light emitting diode (LED), wherein light passes through electrically conductive ZnO. Flat and clean surfaces are prepared for both the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers. A wafer bonding process is then performed between the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers, wherein the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers are joined together and then wafer bonded in a nitrogen ambient under uniaxial pressure at a set temperature for a set duration. After the wafer bonding process, ZnO is shaped for increasing light extraction from inside of LED.

摘要翻译： An（Al，Ga，In）N和ZnO直接晶圆键合发光二极管（LED），其中光通过导电ZnO。 为（Al，Ga，In）N和ZnO晶圆制备平坦且干净的表面。 然后在（Al，Ga，In）N和ZnO晶片之间进行晶片接合工艺，其中（Al，Ga，In）N和ZnO晶片被接合在一起，然后在氮气氛下在单轴压力下在 设定温度一段时间。 在晶片接合工艺之后，ZnO被成形为用于从LED内部增加光提取。

公开(公告)号：US07719020B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11454691

申请日：2006-06-16

申请人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/32341

摘要： An (Al, Ga, In)N and ZnO direct wafer bonded light emitting diode (LED), wherein light passes through electrically conductive ZnO. Flat and clean surfaces are prepared for both the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers. A wafer bonding process is then performed between the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers, wherein the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers are joined together and then wafer bonded in a nitrogen ambient under uniaxial pressure at a set temperature for a set duration. After the wafer bonding process, ZnO is shaped for increasing light extraction from inside of LED.

摘要翻译： An（Al，Ga，In）N和ZnO直接晶圆键合发光二极管（LED），其中光通过导电ZnO。 为（Al，Ga，In）N和ZnO晶圆制备平坦且干净的表面。 然后在（Al，Ga，In）N和ZnO晶片之间进行晶片接合工艺，其中（Al，Ga，In）N和ZnO晶片被接合在一起，然后在氮气氛下在单轴压力下在 设定温度一段时间。 在晶片接合工艺之后，ZnO被成形为用于从LED内部增加光提取。

公开(公告)号：US20080296617A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12113847

申请日：2008-05-01

申请人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

发明人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/30 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/187 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7786

摘要： A method for fabricating an electronic device, comprising wafer bonding a first semiconductor material to a III-nitride semiconductor, at a temperature below 550° C., to form a device quality heterojunction between the first semiconductor material and the III-nitride semiconductor, wherein the first semiconductor material is different from the III-nitride semiconductor and is selected for superior properties, or preferred integration or fabrication characteristics in the injector region as compared to the III-nitride semiconductor.

摘要翻译： 一种制造电子器件的方法，包括在低于550℃的温度下将第一半导体材料晶体结合到III族氮化物半导体，以在第一半导体材料和III族氮化物半导体之间形成器件质量异质结，其中 第一半导体材料与III族氮化物半导体不同，并且与III族氮化物半导体相比被选择用于喷射器区域中的优异性能或优选的集成或制造特性。

公开(公告)号：US20110169050A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069725

申请日：2011-03-23

申请人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

发明人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/267 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/187 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7786

摘要： A method for fabricating an electronic device, comprising wafer bonding a first semiconductor material to a III-nitride semiconductor, at a temperature below 550° C., to form a device quality heterojunction between the first semiconductor material and the III-nitride semiconductor, wherein the first semiconductor material is different from the III-nitride semiconductor and is selected for superior properties, or preferred integration or fabrication characteristics in the injector region as compared to the III-nitride semiconductor.

摘要翻译： 一种制造电子器件的方法，包括在低于550℃的温度下将第一半导体材料晶体结合到III族氮化物半导体，以在第一半导体材料和III族氮化物半导体之间形成器件质量异质结，其中 第一半导体材料与III族氮化物半导体不同，并且与III族氮化物半导体相比被选择用于喷射器区域中的优异性能或优选的集成或制造特性。

公开(公告)号：US08558285B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13069725

申请日：2011-03-23

申请人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

发明人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/187 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7786

摘要： A method for fabricating an electronic device, comprising wafer bonding a first semiconductor material to a III-nitride semiconductor, at a temperature below 550° C., to form a device quality heterojunction between the first semiconductor material and the III-nitride semiconductor, wherein the first semiconductor material is different from the III-nitride semiconductor and is selected for superior properties, or preferred integration or fabrication characteristics in the injector region as compared to the III-nitride semiconductor.

摘要翻译： 一种制造电子器件的方法，包括在低于550℃的温度下将第一半导体材料晶体结合到III族氮化物半导体，以在第一半导体材料和III族氮化物半导体之间形成器件质量异质结，其中 第一半导体材料与III族氮化物半导体不同，并且与III族氮化物半导体相比被选择用于喷射器区域中的优异性能或优选的集成或制造特性。

公开(公告)号：US20090085065A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12059907

申请日：2008-03-31

申请人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy ,  Chang Soo Suh ,  Siddharth Rajan

发明人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy ,  Chang Soo Suh ,  Siddharth Rajan

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/187 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

摘要： A method for fabricating III-N semiconductor devices on the N-face of layers comprising (a) growing a III-nitride semiconductor device structure in a Ga-polar direction on a substrate, (b) attaching a Ga face of the III-nitride semiconductor device structure to a host substrate, and (c) removing the substrate to expose the N-face surface of the III-nitride semiconductor device structure. An N-polar (000-1) oriented III-nitride semiconductor device is also disclosed, comprising one or more (000-1) oriented nitride layers, each having an N-face opposite a group III-face, wherein at least one N-face is an at least partially exposed N-face, and a host substrate attached to one of the group III-faces.

摘要翻译： 一种用于在层的N面上制造III-N半导体器件的方法，包括（a）在衬底上生长Ga极性方向上的III族氮化物半导体器件结构，（b）将III族氮化物的Ga面 半导体器件结构，以及（c）去除衬底以露出III族氮化物半导体器件结构的N面。 还公开了一种N极（000-1）取向的III族氮化物半导体器件，其包括一个或多个（000-1）取向的氮化物层，每个具有与III族面相反的N面，其中至少一个N 表面是至少部分暴露的N面，以及附着到III组面中的一个的主体衬底。

公开(公告)号：US20080258150A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12045561

申请日：2008-03-10

申请人： Lee S. McCarthy ,  Umesh K. Mishra ,  Felix Recht ,  Tomas Apostol Palacios Gutierrez

发明人： Lee S. McCarthy ,  Umesh K. Mishra ,  Felix Recht ,  Tomas Apostol Palacios Gutierrez

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  H01L21/263

CPC分类号： H01L21/26546 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0095

摘要： Structures to reduce dopant activation temperatures for ion implantation in III-N transistors, using low aluminum content layers in proximity to the conducting channel, are disclosed. A method to increase the temperature at which structures can be annealed by annealing in an active nitrogen ambient, for example, in NH3 in a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) chamber, is also disclosed.

摘要翻译： 公开了在导电通道附近使用低铝含量层来降低III-N晶体管中离子注入的掺杂剂活化温度的结构。 还公开了一种通过在有机氮化合物气氛中例如在有机化学气相沉积（MOCVD）室中的NH 3中进行退火来提高结构退火温度的方法。

公开(公告)号：US09496353B2

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US12898341

申请日：2010-10-05

申请人： Alessandro Chini ,  Umesh K. Mishra ,  Primit Parikh ,  Yifeng Wu

发明人： Alessandro Chini ,  Umesh K. Mishra ,  Primit Parikh ,  Yifeng Wu

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/404 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/785

摘要： A process for fabricating single or multiple gate field plates using consecutive steps of dielectric material deposition/growth, dielectric material etch and metal evaporation on the surface of a field effect transistors. This fabrication process permits a tight control on the field plate operation since dielectric material deposition/growth is typically a well controllable process. Moreover, the dielectric material deposited on the device surface does not need to be removed from the device intrinsic regions: this essentially enables the realization of field-plated devices without the need of low-damage dielectric material dry/wet etches. Using multiple gate field plates also reduces gate resistance by multiple connections, thus improving performances of large periphery and/or sub-micron gate devices.

摘要翻译： 使用在场效应晶体管的表面上的介电材料沉积/生长，介电材料蚀刻和金属蒸发的连续步骤来制造单栅极或多栅极场板的工艺。 这种制造工艺允许对场板操作的严格控制，因为介电材料沉积/生长通常是良好可控的工艺。 此外，沉积在器件表面上的电介质材料不需要从器件本征区域去除：这基本上使得能够实现电镀设备，而不需要低损耗介电材料干/湿蚀刻。 使用多个栅极场板还通过多个连接降低栅极电阻，从而提高大的周边和/或亚微米栅极器件的性能。

公开(公告)号：US09129977B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US13306763

申请日：2011-11-29

申请人： Hugues Marchand ,  Brendan J. Moran ,  Umesh K. Mishra ,  James S. Speck

发明人： Hugues Marchand ,  Brendan J. Moran ,  Umesh K. Mishra ,  James S. Speck

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L29/267 ,  H01L23/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L23/562 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of controlling stress in GaN films deposited on silicon and silicon carbide substrates and the films produced therefrom are disclosed. A typical method comprises providing a substrate and depositing a graded gallium nitride layer on the substrate having a varying composition of a substantially continuous grade from an initial composition to a final composition formed from a supply of at least one precursor in a growth chamber without any interruption in the supply. A typical semiconductor film comprises a substrate and a graded gallium nitride layer deposited on the substrate having a varying composition of a substantially continuous grade from an initial composition to a final composition formed from a supply of at least one precursor in a growth chamber without any interruption in the supply.

摘要翻译： 公开了控制沉积在硅和碳化硅衬底上的GaN膜中的应力控制方法和由其制备的膜。 典型的方法包括提供衬底并在衬底上沉积梯度的氮化镓层，其具有基本上连续等级的从初始组成到由生长室中的至少一种前体的供应形成的最终组成的变化的组成，而不会中断 在供应。 典型的半导体膜包括沉积在衬底上的衬底和梯度的氮化镓层，其具有从初始组成到最终组成的基本连续等级的变化的组成，其由在生长室中供应至少一种前体而形成，而不会中断 在供应。