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    Method of determining etch endpoint using principal components analysis of optical emission spectra
    5.
    发明授权
    Method of determining etch endpoint using principal components analysis of optical emission spectra 有权
    使用光发射光谱的主成分分析确定蚀刻端点的方法

    公开(公告)号：US06582618B1

    公开(公告)日：2003-06-24

    申请号：US09491845

    申请日：2000-01-26

    申请人： Anthony John Toprac ,  Hongyu Yue

    发明人： Anthony John Toprac ,  Hongyu Yue

    IPC分类号： G01R3100

    CPC分类号： H01L22/20 ,  A61K39/00 ,  C07K14/195 ,  G01N21/73 ,  G05B2219/32187 ,  G05B2219/45031 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26

    摘要： A method is provided for determining an etch endpoint. The method includes collecting intensity data representative of optical emission spectral wavelengths during a plasma etch process. The method further includes calculating Scores from at least a portion of the collected intensity data using at most first, second, third and fourth Principal Components derived from a model. The method also includes determining the etch endpoint using Scores corresponding to at least one of the first, second, third and fourth Principal Components as an indicator for the etch endpoint.

    摘要翻译： 提供了一种用于确定蚀刻端点的方法。 该方法包括在等离子体蚀刻工艺期间收集代表光发射光谱波长的强度数据。 该方法还包括使用从模型导出的至多第一，第二，第三和第四主成分从所收集的强度数据的至少一部分计算分数。 该方法还包括使用对应于第一，第二，第三和第四主要组分中的至少一个的分数来确定蚀刻端点作为蚀刻端点的指示符。

    Method and system for run-to-run control
    6.
    发明授权
    Method and system for run-to-run control 有权
    运行控制的方法和系统

    公开(公告)号：US07127358B2

    公开(公告)日：2006-10-24

    申请号：US10811932

    申请日：2004-03-30

    申请人： Hongyu Yue ,  Joseph William Wiseman

    发明人： Hongyu Yue ,  Joseph William Wiseman

    IPC分类号： G06F15/00

    CPC分类号： G05B13/048 ,  G05B13/041

    摘要： A method and system of controlling a process from run-to-run for semiconductor manufacturing. The method of control utilizes a process model to establish a relationship between process control input data and process control output data. The method of control involves minimizing the difference between target process control output data and process control output data predicted by applying the process model to the new process control input data.

    摘要翻译： 一种控制半导体制造运行中的过程的方法和系统。 控制方法利用过程模型建立过程控制输入数据和过程控制输出数据之间的关系。 控制方法涉及将目标过程控制输出数据与通过将过程模型应用于新的过程控制输入数据预测的过程控制输出数据之间的差异最小化。

    Method and apparatus for determining an etch property using an endpoint signal
    8.
    发明申请
    Method and apparatus for determining an etch property using an endpoint signal 有权
    使用端点信号确定蚀刻性质的方法和装置

    公开(公告)号：US20060048891A1

    公开(公告)日：2006-03-09

    申请号：US10531469

    申请日：2003-10-31

    申请人： Hongyu Yue ,  Hieu Lam

    发明人： Hongyu Yue ,  Hieu Lam

    IPC分类号： C23F1/00 ,  G01L21/30

    CPC分类号： H01J37/32935 ,  H01J37/32963

    摘要： The present invention presents a plasma processing system for etching a layer on a substrate comprising a process chamber, a diagnostic system coupled to the process chamber and configured to measure at least one endpoint signal, and a controller coupled to the diagnostic system and configured to determine in-situ at least one of an etch rate and an etch rate uniformity of the etching from the endpoint signal. Furthermore, an in-situ method of determining an etch property for etching a layer on a substrate in a plasma processing system is presented comprising the steps: providing a thickness of the layer; etching the layer on the substrate; measuring at least one endpoint signal using a diagnostic system coupled to the plasma processing system, wherein the endpoint signal comprises an endpoint transition; and determining the etch rate from a ratio of the thickness to a difference between a time during the endpoint transition and a starting time of the etching.

    摘要翻译： 本发明提出了一种用于蚀刻衬底上的层的等离子体处理系统，包括处理室，耦合到处理室并被配置为测量至少一个端点信号的诊断系统，以及耦合到诊断系统的控制器，并且被配置为确定 从端点信号原位蚀刻速率和蚀刻速度均匀性中的至少一个。 此外，提出了确定用于蚀刻等离子体处理系统中的衬底上的层的蚀刻性质的原位方法，包括以下步骤：提供该层的厚度; 蚀刻衬底上的层; 使用耦合到所述等离子体处理系统的诊断系统来测量至少一个端点信号，其中所述端点信号包括端点转换; 以及从所述厚度与所述端点转变期间的时间与所述蚀刻的开始时间之间的差的比率确定所述蚀刻速率。

    Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares
    9.
    发明申请
    Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares 有权
    使用偏最小二乘法进行端点检测的方法和装置

    公开(公告)号：US20050016947A1

    公开(公告)日：2005-01-27

    申请号：US10472436

    申请日：2002-03-25

    申请人： David Fatke ,  Hongyu Yue

    发明人： David Fatke ,  Hongyu Yue

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/66 ,  C23F1/00

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An apparatus and method for detection of a feature etch completion within an etching reactor. The method includes determining a correlation matrix by recording first measured data regarding a first etch process over successive time intervals to form a first recorded data matrix, assembling a first endpoint signal matrix using target endpoint data for a specific etch process, performing a partial least squares analysis on the recorded data matrix and the first endpoint signal matrix to refine the recorded data matrix, and computing a correlation matrix based upon the refined recorded data matrix and the first endpoint signal matrix. The method further includes performing a second etch process to form a second recorded data matrix. The correlation matrix and the second recorded data matrix are analyzed to determine whether an endpoint of the second etch process has been achieved.

    摘要翻译： 用于检测蚀刻反应器内的特征蚀刻完成的装置和方法。 该方法包括通过在连续时间间隔上记录关于第一蚀刻处理的第一测量数据来形成相关矩阵以形成第一记录数据矩阵，使用用于特定蚀刻工艺的目标端点数据组装第一端点信号矩阵，执行偏最小二乘法 对所记录的数据矩阵和第一端点信号矩阵进行分析以细化记录的数据矩阵，以及基于精细记录的数据矩阵和第一端点信号矩阵来计算相关矩阵。 该方法还包括执行第二蚀刻工艺以形成第二记录数据矩阵。 分析相关矩阵和第二记录数据矩阵以确定是否已经实现了第二蚀刻工艺的端点。