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    Composite removable hardmask
    1.
    发明授权
    Composite removable hardmask 有权
    复合可移动硬掩模

    公开(公告)号：US08252699B2

    公开(公告)日：2012-08-28

    申请号：US12952024

    申请日：2010-11-22

    申请人： Anthony Konecni ,  Josephine Juhwei Liu ,  Deenesh Padhi ,  Bok Hoen Kim ,  William H. McClintock

    发明人： Anthony Konecni ,  Josephine Juhwei Liu ,  Deenesh Padhi ,  Bok Hoen Kim ,  William H. McClintock

    IPC分类号： H01L21/033

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274

    摘要： A method and apparatus for forming an amorphous carbon layer on a substrate is provided. A first portion of the amorphous carbon layer having a high stress level is formed from a hydrocarbon precursor having high dilution ratio, with optional amine precursor included to add stress-elevating nitrogen. A second portion of the amorphous carbon layer having a low stress level is formed on the first portion by reducing the dilution ratio of the hydrocarbon precursor and lowering or eliminating the amine gas. Pressure, temperature, and RF power input may be adjusted instead of, or in addition to, precursor flow rates, and different precursors may be used for different stress levels.

    摘要翻译： 提供了一种在基板上形成无定形碳层的方法和装置。 具有高应力水平的无定形碳层的第一部分由具有高稀释比的烃前体形成，并且包括任选的胺前体以增加应力升高的氮。 通过降低烃前体的稀释比例和降低或除去胺气体，在第一部分上形成具有低应力水平的第二部分无定形碳层。 可以调节压力，温度和RF功率输入，而不是或除了前体流速，并且不同的前体可用于不同的应力水平。

    COMPOSITE REMOVABLE HARDMASK
    2.
    发明申请
    COMPOSITE REMOVABLE HARDMASK 有权
    组合式可拆卸HARDMASK

    公开(公告)号：US20120129351A1

    公开(公告)日：2012-05-24

    申请号：US12952024

    申请日：2010-11-22

    申请人： Anthony Konecni ,  Josephine Juhwei Liu ,  Deenesh Padhi ,  Bok Hoen Kim ,  William H. Mc Clintock

    发明人： Anthony Konecni ,  Josephine Juhwei Liu ,  Deenesh Padhi ,  Bok Hoen Kim ,  William H. Mc Clintock

    IPC分类号： H01L21/467 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274

    摘要： A method and apparatus for forming an amorphous carbon layer on a substrate is provided. A first portion of the amorphous carbon layer having a high stress level is formed from a hydrocarbon precursor having high dilution ratio, with optional amine precursor included to add stress-elevating nitrogen. A second portion of the amorphous carbon layer having a low stress level is formed on the first portion by reducing the dilution ratio of the hydrocarbon precursor and lowering or eliminating the amine gas. Pressure, temperature, and RF power input may be adjusted instead of, or in addition to, precursor flow rates, and different precursors may be used for different stress levels.

    摘要翻译： 提供了一种在基板上形成无定形碳层的方法和装置。 具有高应力水平的无定形碳层的第一部分由具有高稀释比的烃前体形成，并且包括任选的胺前体以增加应力升高的氮。 通过降低烃前体的稀释比例和降低或除去胺气体，在第一部分上形成具有低应力水平的第二部分无定形碳层。 可以调节压力，温度和RF功率输入，而不是或除了前体流速，并且不同的前体可用于不同的应力水平。

    PLASMA SURFACE TREATMENT TO PREVENT PATTERN COLLAPSE IN IMMERSION LITHOGRAPHY
    6.
    发明申请
    PLASMA SURFACE TREATMENT TO PREVENT PATTERN COLLAPSE IN IMMERSION LITHOGRAPHY 审中-公开
    等离子体表面处理，以防止浸渍图中的图案褶皱

    公开(公告)号：US20090104541A1

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：US11877559

    申请日：2007-10-23

    申请人： Eui Kyoon Kim ,  Deenesh Padhi ,  Huixiong Dai ,  Mehul Naik ,  Martin Jay Seamons ,  Bok Hoen Kim

    发明人： Eui Kyoon Kim ,  Deenesh Padhi ,  Huixiong Dai ,  Mehul Naik ,  Martin Jay Seamons ,  Bok Hoen Kim

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/11

    摘要： The present invention comprises a method of reducing photoresist mask collapse when the photoresist mask is dried after immersion development. As feature sizes continue to shrink, the capillary force of water used to rinse a photoresist mask approaches the point of being greater than adhesion force of the photoresist to the ARC. When the capillary force exceeds the adhesion force, the features of the mask may collapse because the water pulls adjacent features together as the water dries. By depositing a hermetic oxide layer over the ARC before depositing the photoresist, the adhesion force may exceed the capillary force and the features of the photoresist mask may not collapse.

    摘要翻译： 本发明包括当浸渍显影后干燥光致抗蚀剂掩模时减少光致抗蚀剂掩模塌陷的方法。 随着特征尺寸的不断缩小，用于冲洗光致抗蚀剂掩模的水的毛细管力接近光致抗蚀剂对ARC的粘附力。 当毛细管力超过粘附力时，面具的特征可能会因为水干燥而将相邻的特征拉到一起而崩溃。 通过在沉积光致抗蚀剂之前在ARC上沉积气密的氧化物层，粘合力可能会超过毛细管力，并且光致抗蚀剂掩模的特征可能不会崩溃。

    AMORPHOUS CARBON DEPOSITION METHOD FOR IMPROVED STACK DEFECTIVITY
    8.
    发明申请
    AMORPHOUS CARBON DEPOSITION METHOD FOR IMPROVED STACK DEFECTIVITY 有权
    用于改善堆积缺陷的非晶碳沉积方法

    公开(公告)号：US20120208374A1

    公开(公告)日：2012-08-16

    申请号：US13455916

    申请日：2012-04-25

    申请人： Hang Yu ,  Deenesh Padhi ,  Man-Ping Cai ,  Naomi Yoshida ,  Li Yan Miao ,  Siu F. Cheng ,  Shahid Shaikh ,  Sohyun Park ,  Heung Lak Park ,  Bok Hoen Kim

    发明人： Hang Yu ,  Deenesh Padhi ,  Man-Ping Cai ,  Naomi Yoshida ,  Li Yan Miao ,  Siu F. Cheng ,  Shahid Shaikh ,  Sohyun Park ,  Heung Lak Park ,  Bok Hoen Kim

    IPC分类号： H01L21/312

    CPC分类号： H01L21/02115 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

    摘要： Embodiments described herein relate to materials and processes for patterning and etching features in a semiconductor substrate. In one embodiment, a method of forming a composite amorphous carbon layer is provided. The method comprises positioning a substrate in a process chamber, introducing a hydrocarbon source gas into the process chamber, introducing a diluent source gas into the process chamber, introducing a plasma-initiating gas into the process chamber, generating a plasma in the process chamber, forming an amorphous carbon initiation layer on the substrate, wherein the hydrocarbon source gas has a volumetric flow rate to diluent source gas flow rate ratio of 1:12 or less, and forming a bulk amorphous carbon layer on the amorphous carbon initiation layer, wherein a hydrocarbon source gas used to form the bulk amorphous carbon layer has a volumetric flow rate to a diluent source gas flow rate of 1:6 or greater.

    摘要翻译： 本文描述的实施例涉及用于图案化和蚀刻半导体衬底中的特征的材料和工艺。 在一个实施方案中，提供了形成复合无定形碳层的方法。 该方法包括将基板定位在处理室中，将烃源气体引入处理室中，将稀释源气体引入处理室，将等离子体起始气体引入处理室，在处理室中产生等离子体， 在所述基板上形成无定形碳起始层，其中所述烃源气体的体积流量与稀释剂源气体流量比为1:12以下，并且在所述无定形碳起始层上形成块状无定形碳层，其中， 用于形成大块无定形碳层的烃源气体的体积流量为稀释剂源气体流速为1：6或更大。