公开(公告)号：US20060109463A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10993416

申请日：2004-11-22

申请人： Arie Boef ,  Jacobus Burghoorn ,  Mircea Dusa ,  Antoine Kiers ,  Maurits Schaar

发明人： Arie Boef ,  Jacobus Burghoorn ,  Mircea Dusa ,  Antoine Kiers ,  Maurits Schaar

IPC分类号： G01B11/00

CPC分类号： G03F9/708 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70675 ,  G03F7/70991 ,  G03F9/7084

摘要： An apparatus and method for improved latent overlay metrology is disclosed. In an embodiment, a scatterometer and an overexposed overlay target are used to obtain more robust overlay measurement.

摘要翻译： 公开了一种用于改进潜重叠计量的装置和方法。 在一个实施例中，使用散射仪和曝光过度的覆盖目标来获得更坚固的覆盖测量。

公开(公告)号：US20060066855A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：US11203418

申请日：2005-08-15

申请人： Arie Boef ,  Arno Bleeker ,  Youri Laurentius Maria Van Dommelen ,  Mircea Dusa ,  Antoine Kiers ,  Paul Luehrmann ,  Henricus Pellemans ,  Maurits Schaar ,  Cedric Grouwstra ,  Markus Van Kraaij

发明人： Arie Boef ,  Arno Bleeker ,  Youri Laurentius Maria Van Dommelen ,  Mircea Dusa ,  Antoine Kiers ,  Paul Luehrmann ,  Henricus Pellemans ,  Maurits Schaar ,  Cedric Grouwstra ,  Markus Van Kraaij

IPC分类号： G01B11/00

CPC分类号： G01N21/8806 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/7065 ,  G03F9/7034

摘要： An apparatus and method to determine a property of a substrate by measuring, in the pupil plane of a high numerical aperture lens, an angle-resolved spectrum as a result of radiation being reflected off the substrate. The property may be angle and wavelength dependent and may include the intensity of TM- and TE-polarized radiation and their relative phase difference.

公开(公告)号：US20060139592A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11269881

申请日：2005-11-09

申请人： Arie Den Boef ,  Jacobus Burghoorn ,  Mircea Dusa ,  Antoine Kiers ,  Maurits Van Der Schaar

发明人： Arie Den Boef ,  Jacobus Burghoorn ,  Mircea Dusa ,  Antoine Kiers ,  Maurits Van Der Schaar

IPC分类号： G03B27/42

CPC分类号： G03F9/708 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70675 ,  G03F7/70991 ,  G03F9/7084

摘要： An apparatus and method for improved latent overlay metrology is disclosed. In an embodiment, a scatterometer and an overexposed overlay target are used to obtain more robust overlay measurement. Overlay metrology and exposure may be done in parallel.

摘要翻译： 公开了一种用于改进潜重叠计量的装置和方法。 在一个实施例中，使用散射仪和曝光过度的覆盖目标来获得更坚固的覆盖测量。 叠加计量和曝光可以并行进行。

公开(公告)号：US20070052948A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11594075

申请日：2006-11-08

申请人： Arie Den Boef ,  Hans Van Der Laan ,  Antonius Van Dijsseldonk ,  Mircea Dusa ,  Antoine Kiers

发明人： Arie Den Boef ,  Hans Van Der Laan ,  Antonius Van Dijsseldonk ,  Mircea Dusa ,  Antoine Kiers

IPC分类号： G01B9/00

CPC分类号： G03F7/706

摘要： In a method according to one embodiment of the invention, aberrations in a lithographic apparatus are detected by printing a test pattern having at least one degree of symmetry and being sensitive to a particular aberration in the apparatus, and using a scatterometer to derive information concerning the aberration. The test structure may comprise a two-bar grating, in which case the inner and outer duty ratios can be reconstructed to derive information indicative of comatic aberration. Alternatively, a hexagonal array of dots can be used, such that scatterometry data can be used to reconstruct dot diameters indicative of 3-wave aberration.

公开(公告)号：US08553230B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US13249566

申请日：2011-09-30

申请人： Arie Jeffrey Maria Den Boef ,  Arno Jan Bleeker ,  Youri Johannes Laurentius Maria Van Dommelen ,  Mircea Dusa ,  Antoine Gaston Marie Kiers ,  Paul Frank Luehrmann ,  Henricus Petrus Maria Pellemans ,  Maurits Van Der Schaar ,  Cedric Desire Grouwstra ,  Markus Gerardus Martinus Van Kraaij

发明人： Arie Jeffrey Maria Den Boef ,  Arno Jan Bleeker ,  Youri Johannes Laurentius Maria Van Dommelen ,  Mircea Dusa ,  Antoine Gaston Marie Kiers ,  Paul Frank Luehrmann ,  Henricus Petrus Maria Pellemans ,  Maurits Van Der Schaar ,  Cedric Desire Grouwstra ,  Markus Gerardus Martinus Van Kraaij

IPC分类号： G01B9/02

CPC分类号： G01N21/8806 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/7065 ,  G03F9/7034

摘要： An apparatus and method to determine a property of a substrate by measuring, in the pupil plane of a high numerical aperture lens, an angle-resolved spectrum as a result of radiation being reflected off the substrate. The property may be angle and wavelength dependent and may include the intensity of TM- and TE-polarized radiation and their relative phase difference.

摘要翻译： 通过在高数值孔径透镜的光瞳平面中测量作为辐射的结果的角度分辨光谱从衬底反射来确定衬底的性质的装置和方法。 该属性可以是角度和波长相关的，并且可以包括TM和TE偏振辐射的强度及其相对相位差。

公开(公告)号：US20100301458A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12725026

申请日：2010-03-16

申请人： Harry Sewell ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

发明人： Harry Sewell ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/027 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F9/7046 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/105 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7076 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139

摘要： A system and method of manufacturing a semiconductor device lithographically and an article of manufacture involving a lithographic double patterning process having a dye added to either the first or second lithographic pattern are provided. The dye is used to detect the location of the first lithographic pattern and to directly align the second lithographic pattern to it. The day may be fluorescent, luminescent, absorbent, or reflective at a specified wavelength or a given wavelength band. The wavelength may correspond to the wavelength of an alignment beam. The dye allows for detection of the first lithographic pattern even when it is over coated with a radiation sensitive-layer (e.g., resist).

摘要翻译： 提供光刻制造半导体器件的系统和方法以及涉及具有添加到第一或第二光刻图案上的染料的光刻双重图案化工艺的制品。 该染料用于检测第一光刻图案的位置，并将第二光刻图案直接对准。 这一天可以是在指定波长或给定波长带处的荧光，发光，吸收或反射。 波长可对应于对准光束的波长。 染料允许检测第一光刻图案，即使当其涂覆有辐射敏感层（例如抗蚀剂）时。

公开(公告)号：US20080149925A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11826894

申请日：2007-07-19

申请人： Mircea Dusa ,  Axel Nackaerts ,  Gustaaf Verhaegen

发明人： Mircea Dusa ,  Axel Nackaerts ,  Gustaaf Verhaegen

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L27/088

CPC分类号： G03F7/70658 ,  G03F7/70633 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device for determining an overlay error on a semiconductor substrate includes a first and a second transistor. Each transistor includes two diffusion regions associated with a gate, the diffusion regions of each transistor being arranged in a first direction. The second transistor is arranged adjacent to the first transistor in a second direction perpendicular to the first direction. The first and second gate each have a non-uniform shape, and the second gate is oriented with respect to an orientation of the first gate in such a way that an effect of an overlay error on a device parameter of the second transistor has an opposite sign in comparison to an effect of the overlay error on the device parameter of the first transistor.

摘要翻译： 用于确定半导体衬底上的重叠误差的半导体器件包括第一和第二晶体管。 每个晶体管包括与栅极相关联的两个扩散区域，每个晶体管的扩散区域沿第一方向布置。 第二晶体管在垂直于第一方向的第二方向上被布置为与第一晶体管相邻。 第一和第二栅极各自具有不均匀的形状，并且第二栅极相对于第一栅极的取向定向成使得第二晶体管的器件参数上的覆盖误差的影响具有相反的作用 与覆盖错误对第一晶体管的器件参数的影响进行比较。

公开(公告)号：US07148959B2

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US10696726

申请日：2003-10-30

申请人： Mircea Dusa ,  Arie Jeffrey Den Boef

发明人： Mircea Dusa ,  Arie Jeffrey Den Boef

IPC分类号： G01N21/88

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G03F7/706

摘要： A method according to one embodiment of the invention may be applied to enhance scatterometry measurements made from a two-component test pattern. Reference patterns corresponding to each of the components of the two-component pattern are also printed. Scatterometry signals derived from the reference patterns, corresponding to the separate components of the test pattern, are used to enhance the signal from the test pattern to improve sensitivity and signal-to-noise ratios.

摘要翻译： 可以应用根据本发明的一个实施例的方法来增强由双组分测试图案进行的散射测量。 还打印与双组分图案的每个组分对应的参考图案。 使用与参考图形相对应的散射测量信号，对应于测试图形的单独分量，来增强来自测试图案的信号，以提高灵敏度和信噪比。

公开(公告)号：US20060256324A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：US11125322

申请日：2005-05-10

申请人： Arie Den Boef ,  Mircea Dusa

发明人： Arie Den Boef ,  Mircea Dusa

IPC分类号： G01N21/88

CPC分类号： G01N21/956 ,  G01N21/4788

摘要： An inspection apparatus, comprising; an illumination system configured to provide an illumination beam for irradiating a target; a first detection system configured to detect radiation scattered from the target in a non-zero order diffraction direction; and the detection system comprises a dispersive element for dispersion of the radiation scattered from the target in the non-zero order diffraction direction and a radiation sensitive device constructed and arranged to measure the intensity of the radiation dispersed by the dispersive element.

摘要翻译： 一种检查装置，包括： 照明系统，被配置为提供用于照射目标的照明光束; 第一检测系统，被配置为检测在非零级衍射方向上从所述目标物散射的辐射; 并且所述检测系统包括用于在非零次衍射方向上从所述目标物散射的辐射分散的色散元件和构造和布置成测量由所述色散元件分散的辐射的强度的辐射敏感器件。

公开(公告)号：US08625096B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12730906

申请日：2010-03-24

申请人： Harry Sewell ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

发明人： Harry Sewell ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

IPC分类号： G01B11/00 ,  H01L23/544 ,  G03B27/32 ,  G03F9/00 ,  G03C5/00 ,  H01L21/76

CPC分类号： G03F9/7084 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708

摘要： A semiconductor wafer is aligned using a double patterning process. A first resist layer having a first optical characteristic is deposited and foams at least one alignment mark. The first resist layer is developed. A second resist layer having a second optical characteristic is deposited over the first resist layer. The combination of first and second resist layers and alignment mark has a characteristic such that radiation of a pre-determined wavelength incident on the alignment mark produces a first or higher order diffraction as a function of the first and second optical characteristics.

摘要翻译： 使用双重图案化工艺来对准半导体晶片。 沉积具有第一光学特性的第一抗蚀层，并形成至少一个对准标记。 开发出第一抗蚀剂层。 具有第二光学特性的第二抗蚀剂层沉积在第一抗蚀剂层上。 第一和第二抗蚀剂层和对准标记的组合具有使得入射到对准标记上的预定波长的辐射产生作为第一和第二光学特性的函数的第一或更高阶衍射。