公开(公告)号：US08096048B2

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：US12849168

申请日：2010-08-03

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49155

摘要： A method for fabricating a MEMS is described as follows. A substrate is provided, including a circuit region and a MEMS region separated from each other. A first metal interconnection structure is formed on the substrate in the circuit region, and simultaneously a first dielectric structure is formed on the substrate in the MEMS region. A second metal interconnection structure is formed on the first metal interconnection structure, and simultaneously a second dielectric structure, at least two metal layers and at least one protection ring are formed on the first dielectric structure. The metal layers and the protection ring are formed in the second dielectric structure and the protection ring connects two adjacent metal layers to define an enclosed space between two adjacent metal layers. The first dielectric structure and the second dielectric structure outside the enclosed space are removed to form a MEMS device in the MEMS region.

摘要翻译： MEMS的制造方法如下所述。 提供了包括彼此分离的电路区域和MEMS区域的衬底。 第一金属互连结构形成在电路区域中的衬底上，并且同时在MEMS区域中的衬底上形成第一电介质结构。 第二金属互连结构形成在第一金属互连结构上，并且同时具有第二电介质结构，至少两个金属层和至少一个保护环形成在第一电介质结构上。 金属层和保护环形成在第二电介质结构中，并且保护环连接两个相邻的金属层以限定两个相邻金属层之间的封闭空间。 去除封闭空间外部的第一电介质结构和第二电介质结构，以在MEMS区域中形成MEMS器件。

公开(公告)号：US20100317138A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12849168

申请日：2010-08-03

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49155

摘要： A method for fabricating a MEMS is described as follows. A substrate is provided, including a circuit region and an MEMS region separated from each other. A first metal interconnection structure is formed on the substrate in the circuit region, and simultaneously a first dielectric structure is formed on the substrate in the MEMS region. A second metal interconnection structure is formed on the first metal interconnection structure, and simultaneously a second dielectric structure, at least two metal layers and at least one protection ring are formed on the first dielectric structure. The metal layers and the protection ring are formed in the second dielectric structure and the protection ring connects two adjacent metal layers to define an enclosed space between two adjacent metal layers. The first dielectric structure and the second dielectric structure outside the enclosed space are removed to form an MEMS device in the MEMS region.

摘要翻译： MEMS的制造方法如下所述。 提供了包括彼此分离的电路区域和MEMS区域的衬底。 第一金属互连结构形成在电路区域中的衬底上，并且同时在MEMS区域中的衬底上形成第一电介质结构。 第二金属互连结构形成在第一金属互连结构上，并且同时具有第二电介质结构，至少两个金属层和至少一个保护环形成在第一电介质结构上。 金属层和保护环形成在第二电介质结构中，并且保护环连接两个相邻的金属层以限定两个相邻金属层之间的封闭空间。 除去封闭空间外的第一电介质结构和第二电介质结构，以在MEMS区域中形成MEMS器件。

公开(公告)号：US07851975B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US12202563

申请日：2008-09-02

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L27/20

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49155

摘要： A microelectromechanical system (MEMS) structure and a fabricating method thereof are described. The MEMS structure includes a fixed part and a movable part. The fixed part is disposed on and connects with a substrate. The movable part including at least two first metal layers, a first protection ring and a first dielectric layer is suspended on the substrate. The first protection ring connects two adjacent first metal layers, so as to define a first enclosed space between the two adjacent first metal layers. The first dielectric layer is disposed in the enclosed space and connects the two adjacent first metal layers.

摘要翻译： 描述了微机电系统（MEMS）结构及其制造方法。 MEMS结构包括固定部分和可动部分。 固定部分设置在基板上并与基板连接。 包括至少两个第一金属层，第一保护环和第一介电层的可移动部分悬挂在基板上。 第一保护环连接两个相邻的第一金属层，以限定两个相邻的第一金属层之间的第一封闭空间。 第一介电层设置在封闭空间中，并且连接两个相邻的第一金属层。

公开(公告)号：US20100052179A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12202563

申请日：2008-09-02

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Li-Hsun Ho ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49155

摘要： A microelectromechanical system (MEMS) structure and a fabricating method thereof are described. The MEMS structure includes a fixed part and a movable part. The fixed part is disposed on and connects with a substrate. The movable part including at least two first metal layers, a first protection ring and a first dielectric layer is suspended on the substrate. The first protection ring connects two adjacent first metal layers, so as to define a first enclosed space between the two adjacent first metal layers. The first dielectric layer is disposed in the enclosed space and connects the two adjacent first metal layers.

摘要翻译： 描述了微机电系统（MEMS）结构及其制造方法。 MEMS结构包括固定部分和可动部分。 固定部分设置在基板上并与基板连接。 包括至少两个第一金属层，第一保护环和第一介电层的可移动部分悬挂在基板上。 第一保护环连接两个相邻的第一金属层，以限定两个相邻的第一金属层之间的第一封闭空间。 第一介电层设置在封闭空间中，并且连接两个相邻的第一金属层。

公开(公告)号：US08872287B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US12056286

申请日：2008-03-27

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Li-Hsun Ho ,  Wei-Cheng Wu ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Tzung-I Su ,  Chien-Hsin Huang

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Li-Hsun Ho ,  Wei-Cheng Wu ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Tzung-I Su ,  Chien-Hsin Huang

IPC分类号： H01L29/84 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0792 ,  H01L27/0688

摘要： The present invention relates to an integrated structure for a MEMS device and a semiconductor device and a method of fabricating the same, in which an etch stopping element is included on a substrate between the MEMS device and the semiconductor device for protecting the semiconductor device from lateral damage when an oxide releasing process is performed to fabricate the MEMS device. The etch stopping element has various profiles and is selectively formed by an individual fabricating process or is simultaneously formed with the semiconductor device in the same fabricating process. It is a singular structure or a combined stacked multilayered structure, for example, a plurality of rows of pillared etch-resistant material plugs, one or a plurality of wall-shaped etch-resistant material plugs, or a multilayered structure of a stack of which and an etch-resistant material layer.

摘要翻译： 本发明涉及用于MEMS器件和半导体器件的集成结构及其制造方法，其中在MEMS器件和半导体器件之间的衬底上包括蚀刻停止元件，用于保护半导体器件免受横向 执行氧化物释放处理以制造MEMS器件时的损坏。 蚀刻停止元件具有各种形状，并且通过单独的制造工艺选择性地形成，或者在相同的制造工艺中与半导体器件同时形成。 它是单一结构或组合堆叠的多层结构，例如，多排支柱抗蚀刻材料插塞，一个或多个壁状耐蚀刻材料插塞或其堆叠的多层结构 和耐蚀刻材料层。

公开(公告)号：US20090243004A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12056286

申请日：2008-03-27

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Li-Hsun Ho ,  Wei-Cheng Wu ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Tzung-I Su ,  Chien-Hsin Huang

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Li-Hsun Ho ,  Wei-Cheng Wu ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Tzung-I Su ,  Chien-Hsin Huang

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00246 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0792 ,  H01L27/0688

摘要： The present invention relates to an integrated structure for a MEMS device and a semiconductor device and a method of fabricating the same, in which an etch stopping device is included on a substrate between the MEMS device and the semiconductor device for protecting the semiconductor device from lateral damage when an oxide releasing process is performed to fabricate the MEMS device. The etch stopping device has various profiles and is selectively formed by an individual fabricating process or is simultaneously formed with the semiconductor device in the same fabricating process. It is a singular structure or a combined stacked multilayered structure, for example, a plurality of rows of pillared etch-resistant material plugs, one or a plurality of wall-shaped etch-resistant material plugs, or a multilayered structure of a stack of which and an etch-resistant material layer.

摘要翻译： 本发明涉及用于MEMS器件和半导体器件的集成结构及其制造方法，其中在MEMS器件和半导体器件之间的衬底上包括蚀刻停止器件，用于保护半导体器件免受横向 执行氧化物释放处理以制造MEMS器件时的损坏。 蚀刻停止装置具有各种形状，并且通过单独的制造工艺选择性地形成，或者在相同的制造工艺中与半导体器件同时形成。 它是单一结构或组合堆叠的多层结构，例如多排支撑的耐蚀刻材料插塞，一个或多个壁状耐蚀刻材料插塞或其堆叠的多层结构 和耐蚀刻材料层。

公开(公告)号：US08558336B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US12542671

申请日：2009-08-17

申请人： Tzung-I Su ,  Bang-Chiang Lan ,  Chao-An Su ,  Hui-Min Wu ,  Ming-I Wang ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-Han Tan ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin ,  Wen-Yu Su

发明人： Tzung-I Su ,  Bang-Chiang Lan ,  Chao-An Su ,  Hui-Min Wu ,  Ming-I Wang ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-Han Tan ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin ,  Wen-Yu Su

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L31/08

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L27/1461 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A semiconductor photodetector structure is provided. The structure includes a substrate, a photodetecting element and a semiconductor layer disposed on the photodetecting element. The substrate includes a first semiconductor material and includes a deep trench. The surface of the deep trench includes a first type dopant. The photodetecting element is disposed in the deep trench. The photodetecting element includes a second semiconductor material. The semiconductor layer includes a second type dopant.

摘要翻译： 提供半导体光电检测器结构。 该结构包括基板，受光元件和设置在光电检测元件上的半导体层。 衬底包括第一半导体材料并且包括深沟槽。 深沟槽的表面包括第一类型的掺杂剂。 光检测元件设置在深沟槽中。 光检测元件包括第二半导体材料。 半导体层包括第二种掺杂剂。

公开(公告)号：US20120205808A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13459268

申请日：2012-04-30

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Tzung-Han Tan ,  Li-Che Chen ,  Meng-Jia Lin

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Tzung-Han Tan ,  Li-Che Chen ,  Meng-Jia Lin

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： A protection structure of a pad is provided. The pad is disposed in a dielectric layer on a semiconductor substrate and the pad includes a connection region and a peripheral region which encompasses the connection region. The protection structure includes at least a barrier, an insulation layer and a mask layer. The barrier is disposed in the dielectric layer in the peripheral region. The insulation layer is disposed on the dielectric layer. The mask layer is disposed on the dielectric layer and covers the insulation layer and the mask layer includes an opening to expose the connection region of the pad.

摘要翻译： 提供垫的保护结构。 衬垫设置在半导体衬底上的电介质层中，衬垫包括连接区域和包围连接区域的周边区域。 保护结构至少包括屏障，绝缘层和掩模层。 阻挡层设置在周边区域的电介质层中。 绝缘层设置在电介质层上。 掩模层设置在电介质层上并覆盖绝缘层，掩模层包括露出焊盘连接区域的开口。

公开(公告)号：US08193640B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12538168

申请日：2009-08-10

申请人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Tzung-Han Tan ,  Li-Che Chen ,  Meng-Jia Lin

发明人： Bang-Chiang Lan ,  Ming-I Wang ,  Hui-Min Wu ,  Min Chen ,  Chien-Hsin Huang ,  Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Tzung-Han Tan ,  Li-Che Chen ,  Meng-Jia Lin

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/115 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： A protection structure of a pad is provided. The pad is disposed in a dielectric layer on a semiconductor substrate and the pad includes a connection region and a peripheral region which encompasses the connection region. The protection structure includes at least a barrier, an insulation layer and a mask layer. The barrier is disposed in the dielectric layer in the peripheral region. The insulation layer is disposed on the dielectric layer. The mask layer is disposed on the dielectric layer and covers the insulation layer and the mask layer includes an opening to expose the connection region of the pad.

摘要翻译： 提供垫的保护结构。 衬垫设置在半导体衬底上的电介质层中，衬垫包括连接区域和包围连接区域的周边区域。 保护结构至少包括屏障，绝缘层和掩模层。 阻挡层设置在周边区域的电介质层中。 绝缘层设置在电介质层上。 掩模层设置在电介质层上并覆盖绝缘层，掩模层包括露出焊盘连接区域的开口。

公开(公告)号：US20110115040A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12618774

申请日：2009-11-15

申请人： Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Ming-I Wang ,  Bang-Chiang Lan ,  Tzung-Han Tan ,  Hui-Min Wu ,  Chien-Hsin Huang ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

发明人： Tzung-I Su ,  Chao-An Su ,  Ming-I Wang ,  Bang-Chiang Lan ,  Tzung-Han Tan ,  Hui-Min Wu ,  Chien-Hsin Huang ,  Min Chen ,  Meng-Jia Lin

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： G02B6/1228 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/136 ,  G02B6/428

摘要： A method of fabricating a semiconductor optoelectronic structure is provided. First, a substrate is provided, and a waveguide is formed therein, and then a plurality of dielectric layers is formed on the waveguide. Next, a contact pad and a passivation layer are provided on the dielectric layers and a patterned mask layer is formed thereon. Last, an etching process is provided by using the patterned mask layer to expose the contact pad and remove a portion of the passivation layer and the dielectric layers to form a transformer.

摘要翻译： 提供一种制造半导体光电子结构的方法。 首先，提供基板，并且在其中形成波导，然后在波导上形成多个电介质层。 接下来，在电介质层上设置接触焊盘和钝化层，并且在其上形成图案化的掩模层。 最后，通过使用图案化掩模层来暴露接触焊盘并去除钝化层和介电层的一部分以形成变压器来提供蚀刻工艺。