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    ELECTRONIC SYNAPSES FOR REINFORCEMENT LEARNING
    5.
    发明申请
    ELECTRONIC SYNAPSES FOR REINFORCEMENT LEARNING 有权
    用于加强学习的电子技术

    公开(公告)号：US20140310220A1

    公开(公告)日：2014-10-16

    申请号：US12982505

    申请日：2010-12-30

    申请人： Leland Chang ,  Dharmendra S. Modha ,  Robert K. Montoye

    发明人： Leland Chang ,  Dharmendra S. Modha ,  Robert K. Montoye

    IPC分类号： G06N3/08

    CPC分类号： G06N3/08 ,  G06N3/063 ,  G06N3/0635 ,  G11C11/54

    摘要： Embodiments of the invention provide electronic synapse devices for reinforcement learning. An electronic synapse is configured for interconnecting a pre-synaptic electronic neuron and a post-synaptic electronic neuron. The electronic synapse comprises memory elements configured for storing a state of the electronic synapse and storing meta information for updating the state of the electronic synapse. The electronic synapse further comprises an update module configured for updating the state of the electronic synapse based on the meta information in response to an update signal for reinforcement learning. The update module is configured for updating the state of the electronic synapse based on the meta information, in response to a delayed update signal for reinforcement learning based on a learning rule.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供用于加强学习的电子突触装置。 配置电子突触以互连预突触电子神经元和突触后电子神经元。 电子突触包括配置用于存储电子突触的状态并存储用于更新电子突触的状态的元信息的存储器元件。 电子突变还包括更新模块，该更新模块被配置为响应于用于加强学习的更新信号，基于元信息来更新电子突触的状态。 更新模块被配置为响应于用于基于学习规则的加强学习的延迟更新信号，基于元信息来更新电子突触的状态。

    Electronic synapses for reinforcement learning
    6.
    发明授权
    Electronic synapses for reinforcement learning 有权
    加强学习的电子突触

    公开(公告)号：US08892487B2

    公开(公告)日：2014-11-18

    申请号：US12982505

    申请日：2010-12-30

    申请人： Leland Chang ,  Dharmendra S. Modha ,  Robert K. Montoye

    发明人： Leland Chang ,  Dharmendra S. Modha ,  Robert K. Montoye

    IPC分类号： G06F15/18

    CPC分类号： G06N3/08 ,  G06N3/063 ,  G06N3/0635 ,  G11C11/54

    摘要： Embodiments of the invention provide electronic synapse devices for reinforcement learning. An electronic synapse is configured for interconnecting a pre-synaptic electronic neuron and a post-synaptic electronic neuron. The electronic synapse comprises memory elements configured for storing a state of the electronic synapse and storing meta information for updating the state of the electronic synapse. The electronic synapse further comprises an update module configured for updating the state of the electronic synapse based on the meta information in response to an update signal for reinforcement learning. The update module is configured for updating the state of the electronic synapse based on the meta information, in response to a delayed update signal for reinforcement learning based on a learning rule.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供用于加强学习的电子突触装置。 配置电子突触以互连预突触电子神经元和突触后电子神经元。 电子突触包括配置用于存储电子突触的状态并存储用于更新电子突触的状态的元信息的存储器元件。 电子突变还包括更新模块，该更新模块被配置为响应于用于加强学习的更新信号，基于元信息来更新电子突触的状态。 更新模块被配置为响应于用于基于学习规则的加强学习的延迟更新信号，基于元信息来更新电子突触的状态。

    TERNARY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE CHANGE DEVICES
    7.
    发明申请
    TERNARY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE CHANGE DEVICES 审中-公开
    使用相位变更设备的内容可寻址存储器

    公开(公告)号：US20120120701A1

    公开(公告)日：2012-05-17

    申请号：US13350823

    申请日：2012-01-16

    申请人： Brian L. Ji ,  Chung H. Lam ,  Robert K. Montoye ,  Bipin Rajendran

    发明人： Brian L. Ji ,  Chung H. Lam ,  Robert K. Montoye ,  Bipin Rajendran

    IPC分类号： G11C15/00

    CPC分类号： G11C15/046 ,  G11C13/0004

    摘要： A content addressable memory device with a plurality of memory cells storing ternary data values of high, low, and don't care. An aspect of the content addressable memory device is the use of first memory elements and second memory elements in the memory cells. The first and second memory elements are electrically coupled in parallel circuit to a match-line. The first memory elements are coupled to first word-lines and the second memory elements are coupled to second word-lines. The first memory elements are configured to store low resistance states if the ternary data value is low and high resistance states if the ternary data value is either high or don't care. The second memory elements are configured to store the low resistance states if the ternary data value is high and the high resistance states if the ternary data value is either low or don't care.

    摘要翻译： 一种具有多个存储单元的内容可寻址存储器件，其存储高，低和不关心的三进制数据值。 内容可寻址存储器件的一个方面是在存储器单元中使用第一存储器元件和第二存储器元件。 第一和第二存储器元件以并联电路电耦合到匹配线。 第一存储器元件耦合到第一字线，并且第二存储器元件耦合到第二字线。 如果三进制数据值低，则第一存储器元件被配置为存储低电阻状态，并且如果三进制数据值高或不在乎，则高电阻状态。 如果三进制数据值高，则第二存储器元件被配置为存储低电阻状态，并且如果三进制数据值为低或不关心，则存在高电阻状态。

    Content addressable memory using phase change devices
    9.
    发明授权
    Content addressable memory using phase change devices 有权
    内容可寻址内存使用相变设备

    公开(公告)号：US07751217B2

    公开(公告)日：2010-07-06

    申请号：US12166311

    申请日：2008-07-01

    申请人： Chung H. Lam ,  Brian L. Ji ,  Robert K. Montoye ,  Bipin Rajendran

    发明人： Chung H. Lam ,  Brian L. Ji ,  Robert K. Montoye ,  Bipin Rajendran

    IPC分类号： G11C15/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C15/046

    摘要： Content addressable memory device utilizing phase change devices. An aspect of the content addressable memory device is the use of a comparatively lower power search-line access element and a comparatively higher power word-line access element. The word-line access element is only utilized during write operations and the search-line access element is only utilized during search operations. The word-line access element being electrically coupled to a second end of a phase change memory element and a word-line. The search-line access element also being electrically coupled to the second end of the phase change memory element and a search-line. The search-line being electrically coupled to a match-line. A bit-line is electrically coupled to a first end of the phase change memory element. Additionally, a complementary set of access elements, a complementary phase change memory element, a complementary search-line, and a complementary bit-line are also included in the content addressable memory device.

    摘要翻译： 使用相变装置的内容寻址存储装置。 内容可寻址存储器件的一个方面是使用相对较低功率的搜索线访问元件和相对较高功率的字线访问元件。 字线访问元件仅在写入操作期间使用，并且搜索线访问元件仅在搜索操作期间被使用。 字线访问元件电耦合到相变存储器元件的第二端和字线。 搜索线访问元件还电耦合到相变存储元件的第二端和搜索线。 搜索线电耦合到匹配线。 位线电耦合到相变存储元件的第一端。 此外，内容可寻址存储器件中还包括互补的一组存取元件，互补相变存储器元件，互补搜索线和互补位线。

    Ternary content addressable memory using phase change devices
    10.
    发明授权
    Ternary content addressable memory using phase change devices 有权
    使用相变装置的三元内容可寻址存储器

    公开(公告)号：US08120937B2

    公开(公告)日：2012-02-21

    申请号：US12399346

    申请日：2009-03-06

    申请人： Brian L. Ji ,  Chung H. Lam ,  Robert K. Montoye ,  Bipin Rajendran

    发明人： Brian L. Ji ,  Chung H. Lam ,  Robert K. Montoye ,  Bipin Rajendran

    IPC分类号： G11C10/00 ,  G11C11/00 ,  G11C11/56

    CPC分类号： G11C15/046 ,  G11C13/0004

    摘要： A content addressable memory device with a plurality of memory cells storing ternary data values of high, low, and don't care. An aspect of the content addressable memory device is the use of first memory elements and second memory elements in the memory cells. The first and second memory elements are electrically coupled in parallel circuit to a match-line. The first memory elements are coupled to first word-lines and the second memory elements are coupled to second word-lines. The first memory elements are configured to store low resistance states if the ternary data value is low and high resistance states if the ternary data value is either high or don't care. The second memory elements are configured to store the low resistance states if the ternary data value is high and the high resistance states if the ternary data value is either low or don't care.

    摘要翻译： 一种具有多个存储单元的内容可寻址存储器件，其存储高，低和不关心的三进制数据值。 内容可寻址存储器件的一个方面是在存储器单元中使用第一存储器元件和第二存储器元件。 第一和第二存储器元件以并联电路电耦合到匹配线。 第一存储器元件耦合到第一字线，并且第二存储器元件耦合到第二字线。 如果三进制数据值低，则第一存储器元件被配置为存储低电阻状态，并且如果三进制数据值高或不在乎，则高电阻状态。 如果三进制数据值高，则第二存储器元件被配置为存储低电阻状态，并且如果三进制数据值为低或不关心，则存在高电阻状态。