公开(公告)号：US20090117333A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12198746

申请日：2008-08-26

申请人： Byeong-Jin Lee ,  Hong-sick Park ,  Hong-long Ning ,  Chang-oh Jeong ,  Yang-ho Bae ,  Pil-sang Yun ,  Sung-hen Cho ,  Ki-Yong Song ,  Seung-jae Jung ,  Byeong-beom Kim

发明人： Byeong-Jin Lee ,  Hong-sick Park ,  Hong-long Ning ,  Chang-oh Jeong ,  Yang-ho Bae ,  Pil-sang Yun ,  Sung-hen Cho ,  Ki-Yong Song ,  Seung-jae Jung ,  Byeong-beom Kim

IPC分类号： B32B3/02 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/0331 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/31 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  Y10T428/24479

摘要： A method of manufacturing a display device includes: forming an auxiliary layer including at least one of metal and a metal oxide on an insulating substrate; forming a photoresist layer pattern partially exposing the auxiliary layer on the auxiliary layer; forming a trench on the insulating substrate by etching the exposed auxiliary layer and the insulating substrate under the exposed auxiliary layer; forming a seed layer including a first seed layer disposed on the photoresist layer pattern and a second seed layer disposed in the trench; removing the photoresist layer pattern and the first seed layer by lifting off the photoresist layer pattern; removing the auxiliary layer remaining on the insulating substrate after lifting off the photoresist layer pattern; and forming a main wiring layer on the second seed layer by electroless plating.

摘要翻译： 一种制造显示装置的方法包括：在绝缘基板上形成包括金属和金属氧化物中的至少一种的辅助层; 形成部分地使辅助层上的辅助层暴露的光致抗蚀剂层图案; 通过在暴露的辅助层下蚀刻暴露的辅助层和绝缘基板，在绝缘基板上形成沟槽; 形成种子层，其包括设置在所述光致抗蚀剂层图案上的第一种子层和设置在所述沟槽中的第二种子层; 通过剥离光致抗蚀剂层图案去除光致抗蚀剂层图案和第一种子层; 在剥离光致抗蚀剂层图案之后去除残留在绝缘基板上的辅助层; 以及通过无电解电镀在所述第二晶种层上形成主布线层。

公开(公告)号：US20080173870A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US11929586

申请日：2007-10-30

申请人： Byeong-beom Kim ,  Chang-oh Jeong ,  Yang-ho Bae

发明人： Byeong-beom Kim ,  Chang-oh Jeong ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13439

摘要： A thin film transistor substrate having low resistivity and reduced contact resistance includes a gate wiring line formed on an insulating substrate, a data wiring line crossing the gate wiring line while being insulated from the gate wiring line, and a pixel electrode connected to a portion of the data wiring line and including a zinc oxide layer pattern doped with a dopant and an anti-oxidizing substance layer pattern.

摘要翻译： 具有低电阻率和降低的接触电阻的薄膜晶体管基板包括形成在绝缘基板上的栅极布线，与栅极布线相交而与栅极布线绝缘的数据布线，以及连接到栅极布线的一部分的像素电极 数据布线并且包括掺杂有掺杂剂的氧化锌层图案和抗氧化物质层图案。

公开(公告)号：US08173492B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12509290

申请日：2009-07-24

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method of forming a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method of manufacturing the TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer disposed on a lower structure, a copper conductive layer comprising copper or copper alloy disposed on the barrier layer, an intermediate layer comprising copper nitride disposed on the copper conductive layer, and a capping layer disposed on the intermediate layer.

摘要翻译： 提供一种线结构，形成线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括设置在下部结构上的阻挡层，设置在阻挡层上的包含铜或铜合金的铜导电层，设置在铜导电层上的包含氮化铜的中间层和设置在中间层上的覆盖层 。

公开(公告)号：US07851920B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US11486720

申请日：2006-07-15

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method for fabricating a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method for fabricating a TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer formed on a substrate and including copper nitride and a copper conductive layer formed on the barrier layer and including copper or a copper alloy.

摘要翻译： 提供一种线结构，制造线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括在基板上形成的阻挡层，其包括形成在阻挡层上并包括铜或铜合金的氮化铜和铜导电层。

公开(公告)号：US07808108B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US11502918

申请日：2006-08-11

申请人： Beom-seok Cho ,  Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Yang-ho Bae

发明人： Beom-seok Cho ,  Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L29/43

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/124

摘要： A thin film conductor having improved adhesion and superior conductivity, a method for fabricating the same, a thin film transistor (TFT) plate including the thin film conductor, and a method for fabricating the TFT plate are provided. The thin film conductor includes an adhesive layer containing an oxidation-reactive metal or silicidation-reactive metal and silver, a silver conductive layer formed on the adhesive layer, and a protection layer formed on the silver conductive layer and containing an oxidation-reactive metal and silver.

摘要翻译： 提供了具有改善的粘附性和优异导电性的薄膜导体，其制造方法，包括薄膜导体的薄膜晶体管（TFT）板以及制造TFT板的方法。 薄膜导体包括含有氧化反应性金属或硅化反应性金属和银的粘合剂层，形成在粘合剂层上的银导电层，以及形成在银导电层上并含有氧化反应性金属的保护层， 银。

公开(公告)号：US20110047792A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12942910

申请日：2010-11-09

申请人： Je-hun LEE ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun LEE ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01B13/00

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method for fabricating a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method for fabricating a TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer formed on a substrate and including copper nitride and a copper conductive layer formed on the barrier layer and including copper or a copper alloy

摘要翻译： 提供一种线结构，制造线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括形成在基板上的阻挡层，其包含形成在阻挡层上的包含铜或铜合金的二氧化铜和铜导电层

公开(公告)号：US20070013077A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11474918

申请日：2006-06-24

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method of forming a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method of manufacturing the TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer disposed on a lower structure, a copper conductive layer comprising copper or copper alloy disposed on the barrier layer, an intermediate layer comprising copper nitride disposed on the copper conductive layer, and a capping layer disposed on the intermediate layer.

摘要翻译： 提供一种线结构，形成线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括设置在下部结构上的阻挡层，设置在阻挡层上的包含铜或铜合金的铜导电层，设置在铜导电层上的包含氮化铜的中间层和设置在中间层上的覆盖层 。

公开(公告)号：US08158499B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12942910

申请日：2010-11-09

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method for fabricating a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method for fabricating a TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer formed on a substrate and including copper nitride and a copper conductive layer formed on the barrier layer and including copper or a copper alloy

摘要翻译： 提供一种线结构，制造线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括形成在基板上的阻挡层，其包含形成在阻挡层上的包含铜或铜合金的二氧化铜和铜导电层

公开(公告)号：US20060175706A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11316242

申请日：2005-12-21

申请人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Jin-kwan Kim ,  Yang-ho Bae ,  Beom-seok Cho ,  Jun-hyung Souk

发明人： Je-hun Lee ,  Chang-oh Jeong ,  Jin-kwan Kim ,  Yang-ho Bae ,  Beom-seok Cho ,  Jun-hyung Souk

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0021

摘要： Disclosed is display part such as a TFT array panel comprising an aluminum layer, and a molybdenum layer formed on the aluminum layer. The thickness of the molybdenum layer may be about 10% to about 40% the thickness of the aluminum layer. As a result, a top surface of the aluminum layer may have a width about equal to a bottom surface of the molybdenum layer. Accordingly, it is an aspect of the present invention to provide a TFT array panel comprising an aluminum wiring on which aluminum protrusion is reduced or eliminated.

摘要翻译： 公开了诸如包括铝层的TFT阵列面板和形成在铝层上的钼层的显示部分。 钼层的厚度可以为铝层的厚度的约10％至约40％。 结果，铝层的顶表面可以具有大约等于钼层的底表面的宽度。 因此，本发明的一个方面是提供一种TFT阵列面板，其包括在其上减少或消除铝突起的铝布线。

公开(公告)号：US20090286386A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12509290

申请日：2009-07-24

申请人： JE-HUN LEE ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

发明人： JE-HUN LEE ,  Chang-oh Jeong ,  Beom-seok Cho ,  Yang-ho Bae

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a wire structure, a method of forming a wire, a thin film transistor (TFT) substrate, and a method of manufacturing the TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer disposed on a lower structure, a copper conductive layer comprising copper or copper alloy disposed on the barrier layer, an intermediate layer comprising copper nitride disposed on the copper conductive layer, and a capping layer disposed on the intermediate layer.

摘要翻译： 提供一种线结构，形成线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板以及制造TFT基板的方法。 导线结构包括设置在下部结构上的阻挡层，设置在阻挡层上的包含铜或铜合金的铜导电层，设置在铜导电层上的包含氮化铜的中间层和设置在中间层上的覆盖层 。