公开(公告)号：US08640005B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12785182

申请日：2010-05-21

申请人： Christopher B. Wilkerson ,  Alaa R. Alameldeen ,  Zeshan A. Chishti ,  Dinesh Somasekhar ,  Wei Wu ,  Shih-Lien Lu

发明人： Christopher B. Wilkerson ,  Alaa R. Alameldeen ,  Zeshan A. Chishti ,  Dinesh Somasekhar ,  Wei Wu ,  Shih-Lien Lu

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G06F11/1064

摘要： A cache memory system uses multi-bit Error Correcting Code (ECC) with a low storage and complexity overhead. In an embodiment, error correction logic may include a first error correction logic to determine a number of errors in data that is stored in a cache line of a cache memory, and a second error correction logic to receive the data from the first error correction logic if the number of errors is determined to be greater than one and to perform error correction responsive to receipt of the data. The cache memory system can be operated at very low idle power, without dramatically increasing transition latency to and from an idle power state due to loss of state. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 高速缓冲存储器系统使用具有低存储和复杂度开销的多位错误校正码（ECC）。 在一个实施例中，纠错逻辑可以包括：第一纠错逻辑，用于确定存储在高速缓存存储器的高速缓存行中的数据中的错误数;以及第二纠错逻辑，用于从第一纠错逻辑接收数据 如果错误的数量被确定为大于1，并且响应于数据的接收执行错误校正。 高速缓冲存储器系统可以在非常低的空闲功率下操作，而不会由于状态的损失而急剧增加到空闲功率状态的转换等待时间。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20110289380A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US12785182

申请日：2010-05-21

申请人： CHRISTOPHER B. WILKERSON ,  Alaa R. Alameldeen ,  Zeshan A. Chishti ,  Dinesh Somasekhar ,  Wei Wu ,  Shih-Lien Lu

发明人： CHRISTOPHER B. WILKERSON ,  Alaa R. Alameldeen ,  Zeshan A. Chishti ,  Dinesh Somasekhar ,  Wei Wu ,  Shih-Lien Lu

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1064

摘要： A cache memory system is provided that uses multi-bit Error Correcting Code (ECC) with a low storage and complexity overhead. The cache memory system can be operated at very low idle power, without dramatically increasing transition latency to and from an idle power state due to loss of state.

摘要翻译： 提供了一种使用具有低存储和复杂度开销的多位错误校正码（ECC）的高速缓冲存储器系统。 高速缓冲存储器系统可以在非常低的空闲功率下操作，而不会由于状态的损失而急剧增加到空闲功率状态的转换等待时间。

公开(公告)号：US20100146368A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12331255

申请日：2008-12-09

申请人： Zeshan A. Chishti ,  Alaa R. Alameldeen ,  Chris Wilkerson ,  Wei Wu ,  Dinesh Somasekhar ,  Muhammad Khellah ,  Shih-Lien Lu

发明人： Zeshan A. Chishti ,  Alaa R. Alameldeen ,  Chris Wilkerson ,  Wei Wu ,  Dinesh Somasekhar ,  Muhammad Khellah ,  Shih-Lien Lu

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： H03M13/2921 ,  G06F11/1064 ,  H03M13/1102 ,  H03M13/13 ,  H03M13/15 ,  H03M13/1515 ,  H03M13/2906 ,  H03M13/2918

摘要： A processor may comprise a cache, which may be divided into a first and second section while the processor operates in a low-power mode. A cache line of the first section may be fragmented into segments. A first encoder may generate first data bits and check bits while encoding a first portion of a data stream and a second encoder may, separately, generate second data bits and check bits while encoding a second portion of the data stream. The first data bits may be stored in a first segment of the first section and the check bits in a first portion of the second section that is associated with the first segment. The first decoder may correct errors in multiple bit positions within the first data bits using the check bits stored in the first portion and the second decoder may, separately, decode the second data bits using the second set of check bits.

摘要翻译： 处理器可以包括高速缓存，其可以在处理器以低功率模式操作时被分成第一和第二部分。 第一部分的高速缓存行可以被分段成段。 第一编码器可以在对数据流的第一部分进行编码的同时产生第一数据位和校验位，并且第二编码器可以分别在编码数据流的第二部分时生成第二数据位和校验位。 第一数据位可以存储在第一部分的第一部分中，并且与第一部分相关联的第二部分的第一部分中的校验位。 第一解码器可以使用存储在第一部分中的校验位来校正第一数据位中的多位位置中的错误，并且第二解码器可以单独地使用第二组校验位对第二数据位进行解码。

公开(公告)号：US08245111B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12331255

申请日：2008-12-09

申请人： Zeshan A. Chishti ,  Alaa R. Alameldeen ,  Chris Wilkerson ,  Wei Wu ,  Dinesh Somasekhar ,  Muhammad Khellah ,  Shih-Lien Lu

发明人： Zeshan A. Chishti ,  Alaa R. Alameldeen ,  Chris Wilkerson ,  Wei Wu ,  Dinesh Somasekhar ,  Muhammad Khellah ,  Shih-Lien Lu

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： H03M13/2921 ,  G06F11/1064 ,  H03M13/1102 ,  H03M13/13 ,  H03M13/15 ,  H03M13/1515 ,  H03M13/2906 ,  H03M13/2918

摘要： A processor may comprise a cache, which may be divided into a first and second section while the processor operates in a low-power mode. A cache line of the first section may be fragmented into segments. A first encoder may generate first data bits and check bits while encoding a first portion of a data stream and a second encoder may, separately, generate second data bits and check bits while encoding a second portion of the data stream. The first data bits may be stored in a first segment of the first section and the check bits in a first portion of the second section that is associated with the first segment. The first decoder may correct errors in multiple bit positions within the first data bits using the check bits stored in the first portion and the second decoder may, separately, decode the second data bits using the second set of check bits.

摘要翻译： 处理器可以包括高速缓存，其可以在处理器以低功率模式操作时被分成第一和第二部分。 第一部分的高速缓存行可以被分段成段。 第一编码器可以在对数据流的第一部分进行编码的同时产生第一数据位和校验位，并且第二编码器可以分别在编码数据流的第二部分时生成第二数据位和校验位。 第一数据位可以存储在第一部分的第一部分中，并且与第一部分相关联的第二部分的第一部分中的校验位。 第一解码器可以使用存储在第一部分中的校验位来校正第一数据位中的多位位置中的错误，并且第二解码器可以单独地使用第二组校验位对第二数据位进行解码。

公开(公告)号：US20060054977A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10942019

申请日：2004-09-16

申请人： Dinesh Somasekhar ,  Shekhar Borkar ,  Vivek De ,  Yibin Ye ,  Muhammad Khellah ,  Fabrice Paillet ,  Stephen Tang ,  Ali Keshavarzi ,  Shih-Lien Lu

发明人： Dinesh Somasekhar ,  Shekhar Borkar ,  Vivek De ,  Yibin Ye ,  Muhammad Khellah ,  Fabrice Paillet ,  Stephen Tang ,  Ali Keshavarzi ,  Shih-Lien Lu

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C11/404 ,  G11C16/0416

摘要： A memory device is provided that includes a plurality of memory cells where each memory cell includes a source region, a drain region and a floating gate. A coupling bit-line is also provided that extends over at least one column of the plurality of memory cells. The coupling bit-line may be formed on each of the floating gates of memory cells forming the column of the plurality of memory cells. The coupling bit-line may also be formed within a well of each of memory cells forming the column of the plurality of memory cells.

摘要翻译： 提供一种存储器件，其包括多个存储器单元，其中每个存储器单元包括源极区域，漏极区域和浮动栅极。 还提供了在多个存储单元中的至少一列延伸的耦合位线。 耦合位线可以形成在形成多个存储单元的列的存储单元的每个浮置栅极上。 耦合位线也可以形成在形成多个存储器单元的列的每个存储单元的阱中。

公开(公告)号：US20050145886A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10750572

申请日：2003-12-31

申请人： Ali Keshavarzi ,  Stephen Tang ,  Dinesh Somasekhar ,  Fabrice Paillet ,  Muhammad Khellah ,  Yibin Ye ,  Shih-Lien Lu ,  Vivek De

发明人： Ali Keshavarzi ,  Stephen Tang ,  Dinesh Somasekhar ,  Fabrice Paillet ,  Muhammad Khellah ,  Yibin Ye ,  Shih-Lien Lu ,  Vivek De

IPC分类号： G11C11/404 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78

CPC分类号： G11C11/404 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/108 ,  H01L29/7841

摘要： Some embodiments provide a memory cell that includes a body region, a source region and a drain region. The body region is doped with charge carriers of a first type, the source region is disposed in the body region and doped with charge carriers of a second type, and the drain region is disposed in the body region and doped with charge carriers of the second type. The body region and the source region form a first junction, the body region and the drain region form a second junction, and a conductivity of the first junction from the body region to the source region in a case that the first junction is unbiased is substantially less than a conductivity of the second junction from the body region to the drain region in a case that the second junction is unbiased.

摘要翻译： 一些实施例提供了包括体区，源区和漏区的存储单元。 主体区域掺杂有第一类型的电荷载流子，源极区域设置在体区中并掺杂有第二类型的电荷载流子，并且漏极区域设置在体区中并掺杂有第二类型的载流子 类型。 主体区域和源极区域形成第一结，主体区域和漏极区域形成第二结，并且在第一接合点不偏向的情况下，从体区域到源极区域的第一结的导电率基本上 在第二接头不偏差的情况下，小于从体区到漏区的第二结的导电性。

公开(公告)号：US20050135169A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10740551

申请日：2003-12-22

申请人： Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  Muhammad Khellah ,  Fabrice Paillet ,  Stephen Tang ,  Ali Keshavarzi ,  Shih-Lien Lu ,  Vivek De

发明人： Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  Muhammad Khellah ,  Fabrice Paillet ,  Stephen Tang ,  Ali Keshavarzi ,  Shih-Lien Lu ,  Vivek De

IPC分类号： G11C7/14 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4097 ,  G11C11/4099 ,  G11C7/02

CPC分类号： G11C11/4099 ,  G11C7/14 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4097

摘要： An apparatus and method for generating a reference in a memory circuit are disclosed. At least two dummy bit-cells are used to generate a reference voltage. One cell has high value stored and the other has a low value stored. The cells are activated and discharged into respective bit-lines. The bit-lines are equalized during the discharge process to generate a reference that is approximately a mid point between a high value cell and a low value cell.

摘要翻译： 公开了一种用于在存储器电路中产生参考的装置和方法。 使用至少两个伪位单元来产生参考电压。 一个单元格具有高存储值，另一个存储值较低。 电池被激活并放电到相应的位线。 在放电过程期间，位线被均衡以产生大约高值单元和低值单元之间的中点的参考。

公开(公告)号：US20070004162A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11170504

申请日：2005-06-29

申请人： Stephen Tang ,  Ali Keshavarzi ,  Dinesh Somasekhar ,  Fabrice Paillet ,  Muhammad Khellah ,  Yibin Ye ,  Shih-Lien Lu ,  Vivek De

发明人： Stephen Tang ,  Ali Keshavarzi ,  Dinesh Somasekhar ,  Fabrice Paillet ,  Muhammad Khellah ,  Yibin Ye ,  Shih-Lien Lu ,  Vivek De

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40

摘要： A manufacturing process modification is disclosed for producing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor. The MIM capacitor may be used in memory cells, such as DRAMs, and may also be integrated into logic processing, such as for microprocessors. The processing used to generate the MIM capacitor is adaptable to current logic processing techniques. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 公开了制造金属绝缘体金属（MIM）电容器的制造工艺改进。 MIM电容器可以用在诸如DRAM的存储器单元中，并且还可以被集成到诸如微处理器的逻辑处理中。 用于生成MIM电容器的处理适用于当前的逻辑处理技术。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20060014331A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US10879480

申请日：2004-06-30

申请人： Stephen Tang ,  Ali Keshavarzi ,  Dinesh Somasekhar ,  Fabrice Paillet ,  Muhammad Khellah ,  Yibin Ye ,  Shih-Lien Lu ,  Brian Doyle ,  Suman Datta ,  Vivek De

发明人： Stephen Tang ,  Ali Keshavarzi ,  Dinesh Somasekhar ,  Fabrice Paillet ,  Muhammad Khellah ,  Yibin Ye ,  Shih-Lien Lu ,  Brian Doyle ,  Suman Datta ,  Vivek De

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7841

摘要： A floating-body dynamic random access memory device may include a semiconductor body having a top surface and laterally opposite sidewalls formed on a substrate. A gate dielectric layer may be formed on the top surface of the semiconductor body and on the laterally opposite sidewalls of the semiconductor body. A gate electrode may be formed on the gate dielectric on the top surface of the semiconductor body and adjacent to the gate dielectric on the laterally opposite sidewalls of the semiconductor body. The gate electrode may only partially deplete a region of the semiconductor body, and the partially depleted region may be used as a storage node for logic states.

摘要翻译： 浮体动态随机存取存储器件可以包括半导体本体，其具有形成在衬底上的顶表面和横向相对的侧壁。 可以在半导体主体的顶表面和半导体本体的横向相对的侧壁上形成栅介质层。 栅极电极可以形成在半导体本体的顶表面上的栅极电介质上并与半导体本体的横向相对的侧壁上的栅电介质相邻。 栅电极可能仅部分地耗尽半导体本体的区域，并且部分耗尽的区域可以用作逻辑状态的存储节点。

公开(公告)号：US08848858B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13564497

申请日：2012-08-01

申请人： James W. Tschanz ,  Christopher B. Wilkerson ,  Scott Robinson ,  Shih-Lien Lu

发明人： James W. Tschanz ,  Christopher B. Wilkerson ,  Scott Robinson ,  Shih-Lien Lu

IPC分类号： G06M3/00

CPC分类号： H03K21/023 ,  H03K21/12

摘要： Some embodiments include a counter having a first generator to generate signals having different frequencies, and a second generator to generate counter values of the counter. Each of the counter values may be based at least in part on a number of transitions of a respective signal among the signals. Other embodiments are described.

摘要翻译： 一些实施例包括具有第一发生器以产生具有不同频率的信号的计数器，以及产生计数器的计数器值的第二发生器。 每个计数器值可以至少部分地基于信号中相应信号的转换的数量。 描述其他实施例。