公开(公告)号：US08293643B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12819634

申请日：2010-06-21

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Kenneth P. Rodbell ,  Xiaoyan Shao

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Kenneth P. Rodbell ,  Xiaoyan Shao

IPC分类号： H01L21/477

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53238 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device or a photovoltaic cell having a contact structure, which includes a silicon (Si) substrate; a metal alloy layer deposited on the silicon substrate; a metal silicide layer and a diffusion layer formed simultaneously from thermal annealing the metal alloy layer; and a metal layer deposited on the metal silicide and barrier layers.

摘要翻译： 具有接触结构的半导体器件或光电池，其包括硅（Si）衬底; 沉积在硅衬底上的金属合金层; 金属硅化物层和由金属合金层热退火同时形成的扩散层; 以及沉积在金属硅化物和阻挡层上的金属层。

公开(公告)号：US20130001784A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13611363

申请日：2012-09-12

申请人： Cyril Cabral, JR. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Kenneth P. Rodbell ,  Xiaoyan Shao

发明人： Cyril Cabral, JR. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Kenneth P. Rodbell ,  Xiaoyan Shao

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53238 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device or a photovoltaic cell having a contact structure, which includes a silicon (Si) substrate; a metal alloy layer deposited on the silicon substrate; a metal silicide layer and a diffusion layer formed simultaneously from thermal annealing the metal alloy layer; and a metal layer deposited on the metal silicide and barrier layers.

摘要翻译： 具有接触结构的半导体器件或光电池，其包括硅（Si）衬底; 沉积在硅衬底上的金属合金层; 金属硅化物层和由金属合金层热退火同时形成的扩散层; 以及沉积在金属硅化物和阻挡层上的金属层。

公开(公告)号：US20110309508A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US12819634

申请日：2010-06-21

申请人： Cyril Cabral, JR. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Kenneth P. Rodbell ,  Xiaoyan Shao

发明人： Cyril Cabral, JR. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Kenneth P. Rodbell ,  Xiaoyan Shao

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53238 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device or a photovoltaic cell having a contact structure, which includes a silicon (Si) substrate; a metal alloy layer deposited on the silicon substrate; a metal silicide layer and a diffusion layer formed simultaneously from thermal annealing the metal alloy layer; and a metal layer deposited on the metal silicide and barrier layers.

摘要翻译： 具有接触结构的半导体器件或光电池，其包括硅（Si）衬底; 沉积在硅衬底上的金属合金层; 金属硅化物层和由金属合金层热退火同时形成的扩散层; 以及沉积在金属硅化物和阻挡层上的金属层。

公开(公告)号：US08492899B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US12904597

申请日：2010-10-14

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Xiaoyan Shao

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Xiaoyan Shao

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2885 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The present disclosure relates to an improved method of providing a Ni silicide metal contact on a silicon surface by electrodepositing a Ni film on a silicon substrate. The improved method results in a controllable silicide formation wherein the silicide has a uniform thickness. The metal contacts may be incorporated in, for example, CMOS devices, MEM (micro-electro-mechanical) devices, and photovoltaic cells.

摘要翻译： 本公开涉及通过在硅衬底上电沉积Ni膜而在硅表面上提供Ni硅化物金属接触的改进方法。 改进的方法导致可控硅化物形成，其中硅化物具有均匀的厚度。 金属触点可以结合在例如CMOS器件，MEM（微电机械）器件和光伏电池中。

公开(公告)号：US08865502B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US12813087

申请日：2010-06-10

申请人： Kathryn C. Fisher ,  Nicholas C. M. Fuller ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  Xiaoyan Shao ,  Jeffrey Hedrick

发明人： Kathryn C. Fisher ,  Nicholas C. M. Fuller ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  Xiaoyan Shao ,  Jeffrey Hedrick

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The present disclosure provides a method of forming a back side surface field of a solar cell without utilizing screen printing. The method includes first forming a p-type dopant layer directly on the back side surface of the semiconductor substrate that includes a p/n junction utilizing an electrodeposition method. The p/n junction is defined as the interface that is formed between an n-type semiconductor portion of the substrate and an underlying p-type semiconductor portion of the substrate. The plated structure is then annealed to from a P++ back side surface field layer directly on the back side surface of the semiconductor substrate. Optionally, a metallic film can be electrodeposited on an exposed surface of the P++ back side surface layer.

摘要翻译： 本公开提供了一种在不使用丝网印刷的情况下形成太阳能电池的背面表面场的方法。 该方法包括首先使用电沉积方法在包括p / n结的半导体衬底的背侧表面上直接形成p型掺杂剂层。 p / n结被定义为在衬底的n型半导体部分和衬底的下面的p型半导体部分之间形成的界面。 然后将电镀结构从直接在半导体衬底的背面表面上的P ++背面表面场层退火。 任选地，金属膜可以电沉积在P ++背面表面层的暴露表面上。

公开(公告)号：US20120325312A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13605768

申请日：2012-09-06

申请人： Kathryn C. Fisher ,  Nicholas C. M. Fuller ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  Xiaoyan Shao ,  Jeffrey Hedrick

发明人： Kathryn C. Fisher ,  Nicholas C. M. Fuller ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  Xiaoyan Shao ,  Jeffrey Hedrick

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0236

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The present disclosure provides a method of forming a back side surface field of a solar cell without utilizing screen printing. The method includes first forming a p-type dopant layer directly on the back side surface of the semiconductor substrate that includes a p/n junction utilizing an electrodeposition method. The p/n junction is defined as the interface that is formed between an n-type semiconductor portion of the substrate and an underlying p-type semiconductor portion of the substrate. The plated structure is then annealed to from a P++ back side surface field layer directly on the back side surface of the semiconductor substrate. Optionally, a metallic film can be electrodeposited on an exposed surface of the P++ back side surface layer.

摘要翻译： 本公开提供了一种在不使用丝网印刷的情况下形成太阳能电池的背面表面场的方法。 该方法包括首先使用电沉积方法在包括p / n结的半导体衬底的背侧表面上直接形成p型掺杂剂层。 p / n结被定义为在衬底的n型半导体部分和衬底的下面的p型半导体部分之间形成的界面。 然后将电镀结构从直接在半导体衬底的背面表面上的P ++背面表面场层退火。 任选地，金属膜可以电沉积在P ++背面表面层的暴露表面上。

公开(公告)号：US20110303274A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12813087

申请日：2010-06-10

申请人： Kathryn C. Fisher ,  Nicholas C. M. Fuller ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  Xiaoyan Shao ,  Jeffrey Hedrick

发明人： Kathryn C. Fisher ,  Nicholas C. M. Fuller ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  Xiaoyan Shao ,  Jeffrey Hedrick

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The present disclosure provides a method of forming a back side surface field of a solar cell without utilizing screen printing. The method includes first forming a p-type dopant layer directly on the back side surface of the semiconductor substrate that includes a p/n junction utilizing an electrodeposition method. The p/n junction is defined as the interface that is formed between an n-type semiconductor portion of the substrate and an underlying p-type semiconductor portion of the substrate. The plated structure is then annealed to from a P++ back side surface field layer directly on the back side surface of the semiconductor substrate. Optionally, a metallic film can be electrodeposited on an exposed surface of the P++ back side surface layer.

摘要翻译： 本公开提供了一种在不使用丝网印刷的情况下形成太阳能电池的背面表面场的方法。 该方法包括首先使用电沉积方法在包括p / n结的半导体衬底的背侧表面上直接形成p型掺杂剂层。 p / n结被定义为在衬底的n型半导体部分和衬底的下面的p型半导体部分之间形成的界面。 然后将电镀结构从直接在半导体衬底的背面表面上的P ++背面表面场层退火。 任选地，金属膜可以电沉积在P ++背面表面层的暴露表面上。

公开(公告)号：US09284656B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US13154058

申请日：2011-06-06

申请人： Kathryn C. Fisher ,  Qiang Huang ,  Satyavolu S. Papa Rao

发明人： Kathryn C. Fisher ,  Qiang Huang ,  Satyavolu S. Papa Rao

IPC分类号： C25D3/56 ,  C25D3/58 ,  H01L21/288 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L31/0224 ,  C25D3/38 ,  C25D3/60 ,  C25D3/62 ,  C25D3/64 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  C25D5/00

CPC分类号： H01L31/022433 ,  C25D3/38 ,  C25D3/56 ,  C25D3/562 ,  C25D3/567 ,  C25D3/58 ,  C25D3/60 ,  C25D3/62 ,  C25D3/64 ,  C25D5/006 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53238 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： A photovoltaic device, such as a solar cell, including a copper-containing-grid metallization structure that contains a metal phosphorus layer as a diffusion barrier is provided. The copper-containing-grid metallization structure includes, from bottom to top, an electroplated metal phosphorus layer that does not include copper or a copper alloy located within a grid pattern formed on a front side surface of a semiconductor substrate, and an electroplated copper-containing layer. A method of forming such a structure is also provided.

摘要翻译： 提供了包含含有金属磷层作为扩散阻挡层的含铜网状金属化结构的太阳能电池等太阳能电池。 含铜网格金属化结构从底部到顶部包括不包括位于半导体衬底的前侧表面上的栅格图案内的铜或铜合金的电镀金属磷层，以及电镀铜 - 含有层。 还提供了一种形成这种结构的方法。

公开(公告)号：US08440494B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13112465

申请日：2011-05-20

申请人： Kathryn C. Fisher ,  Jun Liu ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  George G. Totir ,  James Vichiconti

发明人： Kathryn C. Fisher ,  Jun Liu ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  George G. Totir ,  James Vichiconti

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C09K13/02 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

摘要： Alternative additives that can be used in place of isopropyl alcohol in aqueous alkaline etchant solutions for texturing a surface of a single-crystalline silicon substrate are provided. The alternative additives do not have volatile constituents, yet can be used in an aqueous alkaline etchant solution to provide a pyramidal shaped texture surface to the single-crystalline silicon substrate that is exposed to such an etchant solution. Also provided is a method of forming a textured silicon surface. The method includes immersing a single-crystalline silicon substrate into an etchant solution to form a pyramid shaped textured surface on the single-crystalline silicon substrate. The etchant solution includes an alkaline component, silicon (etched into the solution as a bath conditioner) and glycerol or ethylene glycol as an additive. The textured surface of the single-crystalline silicon substrate has (111) faces that are now exposed.

摘要翻译： 提供了可用于代替异丙醇的水性碱性蚀刻剂溶液中用于织构单晶硅衬底的表面的替代添加剂。 替代的添加剂不具有挥发性成分，但也可用于碱性蚀刻剂水溶液中以向暴露于这种蚀刻剂溶液的单晶硅衬底提供金字塔形的纹理表面。 还提供了形成纹理硅表面的方法。 该方法包括将单晶硅衬底浸入蚀刻剂溶液中以在单晶硅衬底上形成棱锥形织构表面。 蚀刻剂溶液包括碱性组分，硅（作为浴调节剂蚀刻到溶液中）和甘油或乙二醇作为添加剂。 单晶硅衬底的纹理表面具有现在暴露的（111）面。

公开(公告)号：US20130014812A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13182880

申请日：2011-07-14

申请人： Kathryn C. Fisher ,  Qiang Huang ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  Ming-Ling Yeh

发明人： Kathryn C. Fisher ,  Qiang Huang ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  Ming-Ling Yeh

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

摘要： A photovoltaic device is provided that includes a semiconductor substrate including a p-n junction with a p-type semiconductor portion and an n-type semiconductor portion one on top of the other. A plurality of patterned antireflective coating layers is located on a p-type semiconductor surface of the semiconductor substrate, wherein at least one portion of the p-type semiconductor surface of the semiconductor substrate is exposed. Aluminum is located directly on the at least one portion of the p-type semiconductor surface of the semiconductor substrate that is exposed.

摘要翻译： 提供一种光电器件，其包括半导体衬底，该半导体衬底包括具有p型半导体部分的p-n结和在另一个顶部上的n型半导体部分。 多个图案化抗反射涂层位于半导体衬底的p型半导体表面上，其中露出半导体衬底的p型半导体表面的至少一部分。 铝直接位于暴露的半导体衬底的p型半导体表面的至少一部分上。