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    Chemical reactions in reverse micelle systems
    6.
    发明授权
    Chemical reactions in reverse micelle systems 失效
    反胶束系统中的化学反应

    公开(公告)号：US5238671A

    公开(公告)日：1993-08-24

    申请号：US274558

    申请日：1988-11-22

    申请人： Dean W. Matson ,  John L. Fulton ,  Richard D. Smith ,  Keith A. Consani

    发明人： Dean W. Matson ,  John L. Fulton ,  Richard D. Smith ,  Keith A. Consani

    IPC分类号： A61K9/107 ,  B01D11/02 ,  B01F3/08 ,  B01F17/00 ,  B01J3/00 ,  B01J10/00 ,  B01J19/00 ,  C01B13/32 ,  C01B33/16 ,  C01F7/34 ,  C01G3/02 ,  C01G5/02 ,  C08F2/32 ,  C08F2/48 ,  C09K11/07

    CPC分类号： A61K9/1075 ,  B01D11/0203 ,  B01F17/00 ,  B01F3/0811 ,  B01J10/002 ,  B01J3/008 ,  C01B13/32 ,  C01B13/328 ,  C01B33/163 ,  C01F7/34 ,  C01G3/02 ,  C01G5/02 ,  C08F2/32 ,  B01F2003/0064 ,  B01F2003/0834 ,  B01J2219/00058 ,  B01J2219/00065 ,  B01J2219/00191 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  Y02P20/544 ,  Y10S516/925

    摘要： This invention is directed to conducting chemical reactions in reverse micelle or microemulsion systems comprising a substantially discontinuous phase including a polar fluid, typically an aqueous fluid, and a microemulsion promoter, typically a surfactant, for facilitating the formation of reverse micelles in the system. The system further includes a substantially continuous phase including a non-polar or low-polarity fluid material which is a gas under standard temperature and pressure and has a critical density, and which is generally a water-insoluble fluid in a near critical or supercritical state. Thus, the microemulsion system is maintained at a pressure and temperature such that the density of the non-polar or low-polarity fluid exceeds the critical density thereof. The method of carrying out chemical reactions generally comprises forming a first reverse micelle system including an aqueous fluid including reverse micelles in a water-insoluble fluid in the supercritical state. Then, a first reactant is introduced into the first reverse micelle system, and a chemical reaction is carried out with the first reactant to form a reaction product. In general, the first reactant can be incorporated into, and the product formed in, the reverse micelles. A second reactant can also be incorporated in the first reverse micelle system which is capable of reacting with the first reactant to form a product.

    摘要翻译： 本发明涉及在反胶束或微乳液体系中进行化学反应，其包括基本上不连续的相，其包含极性流体，通常为水性流体，以及微乳液促进剂，通常为表面活性剂，以便于在体系中形成反胶束。 该系统还包括基本上连续的相，其包括在标准温度和压力下为气体且具有临界密度的非极性或低极性流体材料，并且其通常为接近临界或超临界状态的水不溶性流体 。 因此，微乳液系统保持在非极性或低极性流体的密度超过其临界密度的压力和温度。 进行化学反应的方法通常包括在超临界状态的水不溶性流体中形成包括含有反胶束的水性流体的第一反胶束系统。 然后，将第一反应物引入到第一反胶束体系中，并用第一反应物进行化学反应以形成反应产物。 通常，第一反应物可以并入反胶束中形成的产物中。 第二反应物也可以并入第一反胶束体系中，其能够与第一反应物反应以形成产物。

    Methods and apparatus for depositing tantalum metal films to surfaces and substrates
    9.
    发明授权
    Methods and apparatus for depositing tantalum metal films to surfaces and substrates 失效
    将钽金属薄膜沉积到表面和基材上的方法和设备

    公开(公告)号：US07482289B2

    公开(公告)日：2009-01-27

    申请号：US11511548

    申请日：2006-08-25

    申请人： Clement R. Yonker ,  Dean W. Matson ,  John T Bays

    发明人： Clement R. Yonker ,  Dean W. Matson ,  John T Bays

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： C23C18/08 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/52

    摘要： Methods and an apparatus are disclosed for depositing tantalum metal films in next-generation solvent fluids on substrates and/or deposition surfaces useful, e.g., as metal seed layers. Deposition involves low valence oxidation state metal precursors soluble in liquid and/or compressible solvent fluids at liquid, near-critical, or supercritical conditions for the mixed precursor solutions. Metal film deposition is effected via thermal and/or photolytic activation of the metal precursors. The invention finds application in fabrication and processing of semiconductor, metal, polymer, ceramic, and like substrates or composites.

    摘要翻译： 公开了用于在下一代溶剂流体中沉积钽金属膜的方法和装置，该衬底和/或沉积表面可用作例如金属种子层。 沉积涉及溶解在用于混合前体溶液的液体，接近临界或超临界条件下的液体和/或可压缩溶剂流体中的低价态氧化态金属前体。 通过金属前体的热和/或光解活化来实现金属膜沉积。 本发明应用于半导体，金属，聚合物，陶瓷等基板或复合材料的制造和加工中。

    Methods and apparatus for depositing tantalum metal films to surfaces and substrates
    10.
    发明申请
    Methods and apparatus for depositing tantalum metal films to surfaces and substrates 失效
    将钽金属薄膜沉积到表面和基材上的方法和设备

    公开(公告)号：US20080050916A1

    公开(公告)日：2008-02-28

    申请号：US11511548

    申请日：2006-08-25

    申请人： Clement R. Yonker ,  Dean W. Matson ,  John T. Bays

    发明人： Clement R. Yonker ,  Dean W. Matson ,  John T. Bays

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： C23C18/08 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/52

    摘要： Methods and an apparatus are disclosed for depositing tantalum metal films in next-generation solvent fluids on substrates and/or deposition surfaces useful, e.g., as metal seed layers. Deposition involves low valence oxidation state metal precursors soluble in liquid and/or compressible solvent fluids at liquid, near-critical, or supercritical conditions for the mixed precursor solutions. Metal film deposition is effected via thermal and/or photolytic activation of the metal precursors. The invention finds application in fabrication and processing of semiconductor, metal, polymer, ceramic, and like substrates or composites.

    摘要翻译： 公开了用于在下一代溶剂流体中沉积钽金属膜的方法和装置，该衬底和/或沉积表面可用作例如金属种子层。 沉积涉及溶解在用于混合前体溶液的液体，接近临界或超临界条件下的液体和/或可压缩溶剂流体中的低价态氧化态金属前体。 通过金属前体的热和/或光解活化来实现金属膜沉积。 本发明应用于半导体，金属，聚合物，陶瓷等基板或复合材料的制造和加工中。