公开(公告)号：US20140312458A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：US14092485

申请日：2013-11-27

申请人： Fairchild Semiconductor Corporation

发明人： Ahmad ASHRAFZADEH ,  Vijay ULLAL ,  Justin CHIANG ,  Daniel KINZER ,  Michael M. DUBE ,  Oseob JEON ,  Chung-Lin WU ,  Maria Cristina ESTACIO

IPC分类号： H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/645 ,  H01L24/19 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00

摘要： In one general aspect, a method can include forming a redistribution layer on a substrate using a first electroplating process, and forming a conductive pillar on the redistribution layer using a second electroplating process. The method can include coupling a semiconductor die to the redistribution layer, and can include forming a molding layer encapsulating at least a portion of the redistribution layer and at least a portion of the conductive pillar.

摘要翻译： 在一个一般方面，一种方法可以包括使用第一电镀工艺在衬底上形成再分配层，以及使用第二电镀工艺在再分配层上形成导电柱。 该方法可以包括将半导体管芯耦合到再分配层，并且可以包括形成封装再分布层的至少一部分和导电柱的至少一部分的成型层。

公开(公告)号：US20180012958A1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：US15688833

申请日：2017-08-28

申请人： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： Joseph A. YEDINAK ,  Ashok CHALLA ,  Dean E. PROBST ,  Daniel KINZER

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： Exemplary power semiconductor devices with features providing increased breakdown voltage and other benefits are disclosed.

公开(公告)号：US20160126219A1

公开(公告)日：2016-05-05

申请号：US14927871

申请日：2015-10-30

申请人： Fairchild Semiconductor Corporation

发明人： Ahmad R. ASHRAFZADEH ,  Vijay G. ULLAL ,  Justin CHIANG ,  Daniel KINZER ,  Michael M. DUBE ,  Oseob JEON ,  Chung-Lin WU ,  Maria Cristina ESTACIO

IPC分类号： H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/645 ,  H01L24/19 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00

摘要： In one general aspect, a method can include forming a redistribution layer on a substrate using a first electroplating process, and forming a conductive pillar on the redistribution layer using a second electroplating process. The method can include coupling a semiconductor die to the redistribution layer, and can include forming a molding layer encapsulating at least a portion of the redistribution layer and at least a portion of the conductive pillar.

摘要翻译： 在一个一般方面，一种方法可以包括使用第一电镀工艺在衬底上形成再分配层，以及使用第二电镀工艺在再分配层上形成导电柱。 该方法可以包括将半导体管芯耦合到再分配层，并且可以包括形成封装再分布层的至少一部分和导电柱的至少一部分的成型层。