公开(公告)号：US06529062B2

公开(公告)日：2003-03-04

申请号：US09767226

申请日：2001-01-23

申请人： Gourab Majumdar ,  Mitsutaka Iwasaki ,  Shinji Hatae ,  Fumitaka Tametani ,  Toru Iwagami ,  Akihisa Yamamoto

发明人： Gourab Majumdar ,  Mitsutaka Iwasaki ,  Shinji Hatae ,  Fumitaka Tametani ,  Toru Iwagami ,  Akihisa Yamamoto

IPC分类号： H03K17687

CPC分类号： H01L24/49 ,  H01L24/48 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H03K2017/0806 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： A power module is provided with an insulating substrate with a heat sink being bonded to one surface thereof and a circuit pattern being formed on the other surface. The circuit pattern is formed by an electrode layer. A switching semiconductor element and a free wheeling diode that is connected to a switching semiconductor element in anti-parallel therewith are placed on the circuit pattern. A controlling IC for controlling the switching semiconductor element is placed on the free wheeling diode. Thus, it is possible to make the entire power module compact, and it becomes possible to provide an inexpensive power module which can prevent the controlling IC from malfunctioning due to heat generated by the switching semiconductor element.

公开(公告)号：USD470825S1

公开(公告)日：2003-02-25

申请号：US29159531

申请日：2002-04-24

申请人： Mitsutaka Iwasaki ,  Toru Iwagami ,  Hisashi Kawafuji

设计人： Mitsutaka Iwasaki ,  Toru Iwagami ,  Hisashi Kawafuji

公开(公告)号：USD472530S1

公开(公告)日：2003-04-01

申请号：US29156527

申请日：2002-03-04

申请人： Mitsutaka Iwasaki ,  Toru Iwagami ,  Hisashi Kawafuji

设计人： Mitsutaka Iwasaki ,  Toru Iwagami ,  Hisashi Kawafuji

公开(公告)号：USD470824S1

公开(公告)日：2003-02-25

申请号：US29156570

申请日：2002-03-05

申请人： Mitsutaka Iwasaki ,  Toru Iwagami ,  Hisashi Kawafuji

设计人： Mitsutaka Iwasaki ,  Toru Iwagami ,  Hisashi Kawafuji

公开(公告)号：USD470463S1

公开(公告)日：2003-02-18

申请号：US29156541

申请日：2002-03-05

申请人： Mitsutaka Iwasaki ,  Toru Iwagami ,  Hisashi Kawafuji

设计人： Mitsutaka Iwasaki ,  Toru Iwagami ,  Hisashi Kawafuji

公开(公告)号：US07924064B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US12076580

申请日：2008-03-20

申请人： Toru Iwagami ,  Mamoru Seo

发明人： Toru Iwagami ,  Mamoru Seo

IPC分类号： H03B1/00

CPC分类号： H03K17/08148 ,  H02M7/538 ,  Y10S315/07

摘要： An inverter circuit includes an IGBT (3) and an IGBT (4) connected in series between a power supply potential (Vcc) and a GND potential, and an HVIC (1) and an LVIC (2) for respectively controlling actuation of the IGBTs (3) and (4). The inverter circuit also includes a capacitor (5), a diode (6), and a resistor (7). The capacitor (5) is connected between a terminal (VS) and the GND potential. The diode (6) has a series connection to the capacitor (5) between the terminal (VS) and the GND potential, with such a polarity that a forward current flows from the GND potential to the terminal (VS). The resistor (7) is connected in parallel to the capacitor (5).

摘要翻译： 逆变器电路包括IGBT（3）和串联连接在电源电位（Vcc）和GND电位之间的IGBT（4）和用于分别控制IGBT的驱动的HVIC（1）和LVIC（2） （3）和（4）。 逆变器电路还包括电容器（5），二极管（6）和电阻器（7）。 电容器（5）连接在端子（VS）和GND电位之间。 二极管（6）具有与端子（VS）和GND电位之间的电容器（5）的串联连接，具有正向电流从GND电位流到端子（VS）的极性。 电阻器（7）与电容器（5）并联连接。

公开(公告)号：US20090180228A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12076580

申请日：2008-03-20

申请人： Toru Iwagami ,  Mamoru Seo

发明人： Toru Iwagami ,  Mamoru Seo

IPC分类号： H02H9/04

CPC分类号： H03K17/08148 ,  H02M7/538 ,  Y10S315/07

摘要： An inverter circuit includes an IGBT (3) and an IGBT (4) connected in series between a power supply potential (Vcc) and a GND potential, and an HVIC (1) and an LVIC (2) for respectively controlling actuation of the IGBTs (3) and (4). The inverter circuit also includes a capacitor (5), a diode (6), and a resistor (7). The capacitor (5) is connected between a terminal (VS) and the GND potential. The diode (6) has a series connection to the capacitor (5) between the terminal (VS) and the GND potential, with such a polarity that a forward current flows from the GND potential to the terminal (VS). The resistor (7) is connected in parallel to the capacitor (5).

摘要翻译： 逆变器电路包括IGBT（3）和串联连接在电源电位（Vcc）和GND电位之间的IGBT（4）和用于分别控制IGBT的驱动的HVIC（1）和LVIC（2） （3）和（4）。 逆变器电路还包括电容器（5），二极管（6）和电阻器（7）。 电容器（5）连接在端子（VS）和GND电位之间。 二极管（6）具有与端子（VS）和GND电位之间的电容器（5）的串联连接，具有正向电流从GND电位流到端子（VS）的极性。 电阻器（7）与电容器（5）并联连接。

公开(公告)号：US07102376B2

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：US10846546

申请日：2004-05-17

申请人： Toru Iwagami ,  Shinya Shirakawa ,  Mamoru Seo ,  Masaki Sakai ,  Dong Wang

发明人： Toru Iwagami ,  Shinya Shirakawa ,  Mamoru Seo ,  Masaki Sakai ,  Dong Wang

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M7/003 ,  H02M2001/0009 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A power semiconductor module has a detector for detecting main circuit current passing through a power semiconductor element. The detector includes first and second circuit patterns; a bonding wire connected at first and second bonding points with the first and second circuit patterns, respectively; and a pair of terminal patterns extended from near the first and second bonding points of the first and second circuit patterns. The detector is designed to detect a potential difference between the pair of terminal patterns generated by flowing main circuit current through the first circuit pattern, the bonding wire and then the second circuit pattern, in order to detect a potential difference across the bonding wire.

摘要翻译： 功率半导体模块具有用于检测通过功率半导体元件的主电路电流的检测器。 检测器包括第一和第二电路图案; 分别在第一和第二接合点处与第一和第二电路图案连接的接合线; 以及从第一和第二电路图案的第一和第二接合点附近延伸的一对端子图案。 检测器被设计成检测通过流过主电路电流通过第一电路图案，接合线和第二电路图案而产生的一对端子图案之间的电位差，以便检测接合线两端的电位差。

公开(公告)号：US20050007139A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10846546

申请日：2004-05-17

申请人： Toru Iwagami ,  Shinya Shirakawa ,  Mamoru Seo ,  Masaki Sakai ,  Dong Wang

发明人： Toru Iwagami ,  Shinya Shirakawa ,  Mamoru Seo ,  Masaki Sakai ,  Dong Wang

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L23/34 ,  H01L23/62 ,  H02M1/00 ,  H02M7/48 ,  H05K1/02 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M7/003 ,  H02M2001/0009 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A power semiconductor module has a detector for detecting main circuit current passing through a power semiconductor element. The detector includes first and second circuit patterns; a bonding wire connected at first and second bonding points with the first and second circuit patterns, respectively; and a pair of terminal patterns extended from near the first and second bonding points of the first and second circuit patterns. The detector is designed to detect a potential difference between the pair of terminal patterns generated by flowing main circuit current through the first circuit pattern, the bonding wire and then the second circuit pattern, in order to detect a potential difference across the bonding wire.

摘要翻译： 功率半导体模块具有用于检测通过功率半导体元件的主电路电流的检测器。 检测器包括第一和第二电路图案; 分别在第一和第二接合点处与第一和第二电路图案连接的接合线; 以及从第一和第二电路图案的第一和第二接合点附近延伸的一对端子图案。 检测器被设计成检测通过流过主电路电流通过第一电路图案，接合线和第二电路图案而产生的一对端子图案之间的电位差，以便检测接合线两端的电位差。

公开(公告)号：US09106156B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US13677028

申请日：2012-11-14

申请人： Tomofumi Tanaka ,  Toru Iwagami

发明人： Tomofumi Tanaka ,  Toru Iwagami

IPC分类号： H02M1/088 ,  H02M7/537 ,  H02M7/00

CPC分类号： H02M7/537 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H02M1/088 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/49111

摘要： Among first IGBTs and first MOSFETs, a transistor arranged near a first gate control circuit gives, through a gate thereof, a gate control signal supplied from the first gate control circuit to a gate of a transistor arranged at a position farther from the first gate control circuit. Among second IGBTs and second MOSFETs, a transistor arranged near a second gate control circuit gives, through a gate thereof, a gate control signal supplied from the second gate control circuit to a gate of a transistor arranged at a position farther from the second gate control circuit.

摘要翻译： 在第一IGBT和第一MOSFET中，布置在第一栅极控制电路附近的晶体管通过其栅极将从第一栅极控制电路提供的栅极控制信号提供给布置在离第一栅极控制器更远的位置处的晶体管的栅极 电路。 在第二IGBT和第二MOSFET中，布置在第二栅极控制电路附近的晶体管通过其栅极将从第二栅极控制电路提供的栅极控制信号提供给布置在距离第二栅极控制器更远的位置处的晶体管的栅极 电路。