公开(公告)号：US20060006071A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US11225493

申请日：2005-09-12

申请人： Guangli Che ,  Vinay Chikarmane ,  Christopher Thomas ,  Robert Wu ,  Daniel Zierath

发明人： Guangli Che ,  Vinay Chikarmane ,  Christopher Thomas ,  Robert Wu ,  Daniel Zierath

IPC分类号： C25D21/12 ,  B23H3/02

CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D5/18 ,  C25D17/001

摘要： Embodiments of the invention provide methods of reducing electroplating defects by adjusting immersion conditions. For one embodiment, the immersion conditions are adjusted based upon characteristics of the substrate, including feature size. Additionally or alternatively, the immersion conditions may be adjusted based upon aspects of the electroplating process, including motion of the substrate upon immersion. Immersion conditions that may be adjusted in accordance with various embodiments of the invention include entry bias voltage/current, vertical immersion speed, and angle of immersion.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了通过调节浸渍条件来减少电镀缺陷的方法。 对于一个实施例，基于衬底的特性（包括特征尺寸）来调整浸渍条件。 另外或替代地，浸渍条件可以基于电镀工艺的方面来进行调整，包括浸渍时基片的运动。 根据本发明的各种实施例可以调节的浸渍条件包括入口偏置电压/电流，垂直浸入速度和浸入角度。

公开(公告)号：US20050112856A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10981207

申请日：2004-11-03

申请人： Valery Dubin ,  Christopher Thomas ,  Vinay Chikarmane

发明人： Valery Dubin ,  Christopher Thomas ,  Vinay Chikarmane

IPC分类号： B32B9/00 ,  C25D5/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02068 ,  C25D5/34 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  Y10T428/24926

摘要： Seed layer treatment to remove impurities in the seed layer that might lead to the formation of voids in interconnect circuit features. In one embodiment, the seed layer is heated in a reducing environment. In another embodiment, the seed layer is washed with a surfactant that is compatible with a surfactant used when forming the remainder of the circuit feature on the seed layer. Yet another embodiment combines both techniques.

摘要翻译： 种子层处理以除去种子层中可能导致在互连电路特征中形成空隙的杂质。 在一个实施方案中，种子层在还原环境中被加热。 在另一个实施方案中，种子层用表面活性剂洗涤，该表面活性剂与在种子层上形成电路特征的其余部分时所用的表面活性剂相容。 又一实施例结合了两种技术。

公开(公告)号：US09508322B2

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：US12790673

申请日：2010-05-28

申请人： Christopher Thomas

发明人： Christopher Thomas

IPC分类号： G09G5/00 ,  G09G5/26 ,  G06F3/0488 ,  G09G5/08

CPC分类号： G09G5/26 ,  G06F3/0488 ,  G09G5/08 ,  G09G2340/045 ,  G09G2340/145

摘要： A system, method, and computer readable medium are disclosed for re-sizing input fields and text of a user interface displayed within a touch-sensitive screen. The user interface comprises an initial view with at least one input field. The user interface is provided for display on the screen. A touch interaction is detected on the screen, and it is determined whether the interaction is within a predefined area of an input field. Responsive to determining that the interaction is within the predefined area, a magnified view of the input field is generated. The magnified view increases the proportion of the screen filled by the input field and text relative to the initial view. The magnified view is then presented for display on the screen.

摘要翻译： 公开了一种系统，方法和计算机可读介质，用于重新调整在触敏屏幕内显示的用户界面的输入字段和文本。 用户界面包括具有至少一个输入字段的初始视图。 提供用户界面以在屏幕上显示。 在屏幕上检测到触摸交互，并且确定交互是否在输入字段的预定义区域内。 响应于确定交互在预定区域内，生成输入字段的放大视图。 放大视图增加了输入字段和文本相对于初始视图填充的屏幕的比例。 然后放大的视图显示在屏幕上。

公开(公告)号：US08855679B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13013851

申请日：2011-01-26

申请人： Vimal Nair ,  Sudhakar Aramalla ,  Agnes Tang ,  Roongko Doong ,  Justin Basanese ,  Oluwatosin Aduroja ,  Dang Le ,  Christopher Thomas ,  Kit Prud'homme ,  Manish Patel ,  Manshan Wong

发明人： Vimal Nair ,  Sudhakar Aramalla ,  Agnes Tang ,  Roongko Doong ,  Justin Basanese ,  Oluwatosin Aduroja ,  Dang Le ,  Christopher Thomas ,  Kit Prud'homme ,  Manish Patel ,  Manshan Wong

IPC分类号： H04W24/00 ,  H04W4/04

CPC分类号： H04W4/043

摘要： Embodiments of the present invention disclose a method and system for populating location-based information on a portable electronic device. According to one embodiment, a request to create a memory record on the portable electronic device is received from a user. Based on the geographic location of the portable electronic device, relevant location information associated with a plurality of reference fields of the memory record are determined and displayed on the portable electronic device.

摘要翻译： 本发明的实施例公开了一种用于在便携式电子设备上填充基于位置的信息的方法和系统。 根据一个实施例，从用户接收到在便携式电子设备上创建存储器记录的请求。 基于便携式电子设备的地理位置，确定与存储器记录的多个参考场相关联的相关位置信息并将其显示在便携式电子设备上。

公开(公告)号：US08240331B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12253080

申请日：2008-10-16

申请人： Andrew Appleby ,  Jennifer Reich ,  Christopher Thomas ,  Dave Tornquist

发明人： Andrew Appleby ,  Jennifer Reich ,  Christopher Thomas ,  Dave Tornquist

IPC分类号： F16K15/03

CPC分类号： B64D13/00 ,  F16K15/033 ,  F16K17/0413 ,  F16K17/042 ,  F16K24/06 ,  Y10T137/6906 ,  Y10T137/7738 ,  Y10T137/7897 ,  Y10T137/7898

摘要： A negative pressure valve assembly is provided. The valve assembly comprises a valve port assembly comprising a port and a flange substantially surrounding the port, a valve comprising a plate adapted to substantially cover the port, the plate comprising a minor edge, a major edge having a major edge length, and a plate biasing assembly stop located at a first position along the major edge, the first position more than 50% of the major edge length as measured from the minor edge. The valve assembly further comprises a hinge coupled to the plate, the hinge adapted to couple the plate to the flange, and first plate biasing assembly adapted to couple to the valve port assembly and to bias the plate towards the valve port assembly, the first plate biasing assembly comprising a resilient member adapted to contact the stop plate.

摘要翻译： 提供负压阀组件。 阀组件包括阀口组件，该阀口组件包括端口和基本上围绕端口的凸缘，阀包括适于基本上覆盖端口的板，该板包括小边缘，具有主边缘长度的主边缘和板 位于沿着主边缘的第一位置的偏置组件止动件，第一位置大于从较小边缘测量的主边缘长度的50％。 阀组件还包括联接到板的铰链，铰链适于将板耦合到凸缘，以及第一板偏压组件，其适于联接到阀口组件并将板偏压到阀口组件，第一板 偏置组件包括适于接触止动板的弹性构件。

公开(公告)号：US08000763B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12495696

申请日：2009-06-30

申请人： John C. Mazza ,  Songbiao Zhang ,  Udo Hoss ,  Christopher Thomas

发明人： John C. Mazza ,  Songbiao Zhang ,  Udo Hoss ,  Christopher Thomas

IPC分类号： A61B5/05

CPC分类号： A61B5/4839 ,  A61B5/14532 ,  A61B5/1486 ,  A61B5/14865 ,  A61B5/150022 ,  A61B5/150358 ,  A61B5/150435 ,  A61B5/150442 ,  A61B5/150503 ,  A61B5/150633 ,  A61B5/15087 ,  A61B5/151 ,  A61B5/157 ,  A61B5/6848 ,  A61B2562/0295 ,  A61B2562/125 ,  G01N27/3272

摘要： The present disclosure provides electrode structures and integrated electrode structures having one or more conductive materials coextruded with one or more dielectric materials. The disclosed electrode structures can be configured for use as analyte sensors. Also provided, are methods of making and using the electrode structures and integrated electrode structures described herein.

摘要翻译： 本公开提供具有一个或多个与一种或多种介电材料共挤出的导电材料的电极结构和集成电极结构。 公开的电极结构可被配置为用作分析物传感器。 还提供了制造和使用本文所述的电极结构和集成电极结构的方法。

公开(公告)号：US20070080605A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：US11509323

申请日：2006-08-24

申请人： MVS Chandrashekhar ,  Christopher Thomas ,  Michael Spencer

发明人： MVS Chandrashekhar ,  Christopher Thomas ,  Michael Spencer

IPC分类号： G21H1/00

CPC分类号： G21H1/02

摘要： High aspect ratio micromachined structures in semiconductors are used to improve power density in Betavoltaic cells by providing large surface areas in a small volume. A radioactive beta-emitting material may be placed within gaps between the structures to provide fuel for a cell. The pillars may be formed of SiC. In one embodiment, SiC pillars are formed of n-type SiC. P type dopant, such as boron is obtained by annealing a borosilicate glass boron source formed on the SiC. The glass is then removed. In further embodiments, a dopant may be implanted, coated by glass, and then annealed. The doping results in shallow planar junctions in SiC.

摘要翻译： 半导体中的高纵横比微加工结构用于通过在小体积中提供大的表面积来改善Betavoltaic细胞中的功率密度。 放射性β发射材料可以放置在结构之间的间隙内以为电池提供燃料。 支柱可以由SiC形成。 在一个实施例中，SiC柱由n型SiC形成。 通过对形成在SiC上的硼硅酸盐玻璃硼源进行退火，得到硼等P型掺杂剂。 然后取出玻璃。 在另外的实施方案中，掺杂剂可以被注入，用玻璃涂覆，然后退火。 掺杂导致SiC中的浅平面结。

公开(公告)号：US20060045968A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10925573

申请日：2004-08-25

申请人： Matthew Metz ,  Mark Brazier ,  Timothy Glassman ,  Christopher Thomas ,  Lawrence Foley ,  Christopher Parker ,  Ying Zhou ,  Markus Kuhn ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Robert Chau

发明人： Matthew Metz ,  Mark Brazier ,  Timothy Glassman ,  Christopher Thomas ,  Lawrence Foley ,  Christopher Parker ,  Ying Zhou ,  Markus Kuhn ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Robert Chau

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45527

摘要： Increasing the number of successive pulses of oxidant before applying pulses of metal precursor may improve the quality of the resulting metal or rare earth oxide films. These metal or rare earth oxide films may be utilized for high dielectric constant gate dielectrics. In addition, pulsing the oxidant during the pre-stabilization period may be advantageous. Also, using more pulses of oxidant than the pulses of precursor may reduce chlorine concentration in the resulting films.

摘要翻译： 在施加金属前体的脉冲之前增加氧化剂的连续脉冲数可以提高所得金属或稀土氧化物膜的质量。 这些金属或稀土氧化物膜可用于高介电常数栅极电介质。 此外，在预稳定化期间脉冲氧化剂可能是有利的。 此外，使用比前体脉冲更多的氧化剂脉冲可以降低所得膜中的氯浓度。

公开(公告)号：US20050148136A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10748559

申请日：2003-12-29

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A semiconductor device and a method for forming it are described. The semiconductor device comprises a metal NMOS gate electrode that is formed on a first part of a substrate, and a silicide PMOS gate electrode that is formed on a second part of the substrate.

摘要翻译： 对半导体装置及其形成方法进行说明。 半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。

公开(公告)号：US20050044184A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10640257

申请日：2003-08-14

申请人： Christopher Thomas ,  Robin Anderson ,  Robert Gilgen ,  Mark DesMarais ,  William Pinkston ,  Jamie Collins ,  Stephan Schultz

发明人： Christopher Thomas ,  Robin Anderson ,  Robert Gilgen ,  Mark DesMarais ,  William Pinkston ,  Jamie Collins ,  Stephan Schultz

IPC分类号： G06F13/00 ,  G06F3/023 ,  G06F3/038 ,  H04L12/46 ,  H04L29/06 ,  G06F15/16

CPC分类号： G06F3/038 ,  G06F3/023

摘要： A keyboard/video/mouse (KVM) switching protocol is disclosed in which KVM information is applied to a network of workstations. At least one data converter communicates on the workstation network and retrieves KVM information from the workstation network that is addressed to a server assigned to the converter. The converter places the KVM information in a format suitable to the assigned server and applies the converted KVM information to the appropriate standard device ports of the server. The system provides motherboard access to the servers that is characteristics of KVM switches but provides essentially unlimited scalability not known in traditional KVM switches.

摘要翻译： 公开了一种键盘/视频/鼠标（KVM）切换协议，其中将KVM信息应用于工作站网络。 至少一个数据转换器在工作站网络上进行通信，并且从工作站网络检索寻址到分配给转换器的服务器的KVM信息。 转换器将KVM信息以适合于分配的服务器的格式放置，并将转换的KVM信息应用于服务器的相应标准设备端口。 该系统提供对作为KVM交换机特性的服务器的主板访问，但是在传统的KVM交换机中提供基本上无限的可扩展性。