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    Air gap for interconnect application
    1.
    发明授权
    Air gap for interconnect application 有权
    互连应用的气隙

    公开(公告)号：US07682963B2

    公开(公告)日：2010-03-23

    申请号：US11867308

    申请日：2007-10-04

    申请人： Hai-Ching Chen ,  Sunil Kumar Singh ,  Tien-I Bao ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

    发明人： Hai-Ching Chen ,  Sunil Kumar Singh ,  Tien-I Bao ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The present disclosure provides a method for fabricating an integrated circuit. The method includes forming an energy removable film (ERF) on a substrate; forming a first dielectric layer on the ERF; patterning the ERF and first dielectric layer to form a trench in the ERF and the first dielectric layer; filling a conductive material in the trench; forming a ceiling layer on the first dielectric layer and conductive material filled in the trench; and applying energy to the ERF to form air gaps in the ERF after the forming of the ceiling layer.

    摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造集成电路的方法。 该方法包括在基板上形成能量可去除膜（ERF）; 在ERF上形成第一介电层; 图案化ERF和第一介电层以在ERF和第一介电层中形成沟槽; 在沟槽中填充导电材料; 在第一介电层上形成顶层和填充在沟槽中的导电材料; 并且在形成天花板层之后，向ERF施加能量以在ERF中形成气隙。

    AIR GAP FOR INTERCONNECT APPLICATION
    2.
    发明申请
    AIR GAP FOR INTERCONNECT APPLICATION 有权
    用于互连应用的空气隙

    公开(公告)号：US20090091038A1

    公开(公告)日：2009-04-09

    申请号：US11867308

    申请日：2007-10-04

    申请人： Hai-Ching Chen ,  Sunil Kumar Singh ,  Tien-I Bao ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

    发明人： Hai-Ching Chen ,  Sunil Kumar Singh ,  Tien-I Bao ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

    IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The present disclosure provides a method for fabricating an integrated circuit. The method includes forming an energy removable film (ERF) on a substrate; forming a first dielectric layer on the ERF; patterning the ERF and first dielectric layer to form a trench in the ERF and the first dielectric layer; filling a conductive material in the trench; forming a ceiling layer on the first dielectric layer and conductive material filled in the trench; and applying energy to the ERF to form air gaps in the ERF after the forming of the ceiling layer.

    摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造集成电路的方法。 该方法包括在基板上形成能量可去除膜（ERF）; 在ERF上形成第一介电层; 图案化ERF和第一介电层以在ERF和第一介电层中形成沟槽; 在沟槽中填充导电材料; 在第一介电层上形成顶层和填充在沟槽中的导电材料; 并且在形成天花板层之后，向ERF施加能量以在ERF中形成气隙。

    Schemes for forming barrier layers for copper in interconnect structures
    7.
    发明申请
    Schemes for forming barrier layers for copper in interconnect structures 有权
    用于在互连结构中形成铜的阻挡层的方案

    公开(公告)号：US20080119047A1

    公开(公告)日：2008-05-22

    申请号：US11602808

    申请日：2006-11-21

    申请人： Chen-Hua Yu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao

    发明人： Chen-Hua Yu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method of forming a semiconductor structure includes providing a substrate; forming a low-k dielectric layer over the substrate; embedding a conductive wiring into the low-k dielectric layer; and thermal soaking the conductive wiring in a carbon-containing silane-based chemical to form a barrier layer on the conductive wiring. A lining barrier layer is formed in the opening for embedding the conductive wiring. The lining barrier layer may comprise same materials as the barrier layer, and the lining barrier layer may be recessed before forming the barrier layer and may contain a metal that can be silicided.

    摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括提供基板; 在衬底上形成低k电介质层; 将导电布线嵌入到低k电介质层中; 并且将导电布线热浸在含碳硅烷类化学品中以在导电布线上形成阻挡层。 在用于嵌入导电布线的开口中形成衬里阻挡层。 衬里阻挡层可以包括与阻挡层相同的材料，并且衬里阻挡层可以在形成阻挡层之前被凹入，并且可以包含可以被硅化的金属。

    Schemes for forming barrier layers for copper in interconnect structures
    10.
    发明授权
    Schemes for forming barrier layers for copper in interconnect structures 有权
    用于在互连结构中形成铜的阻挡层的方案

    公开(公告)号：US08232201B2

    公开(公告)日：2012-07-31

    申请号：US13115161

    申请日：2011-05-25

    申请人： Chen-Hua Yu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao

    发明人： Chen-Hua Yu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/322 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method of forming a semiconductor structure includes providing a substrate; forming a low-k dielectric layer over the substrate; embedding a conductive wiring into the low-k dielectric layer; and thermal soaking the conductive wiring in a carbon-containing silane-based chemical to form a barrier layer on the conductive wiring. A lining barrier layer is formed in the opening for embedding the conductive wiring. The lining barrier layer may comprise same materials as the barrier layer, and the lining barrier layer may be recessed before forming the barrier layer and may contain a metal that can be silicided.

    摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括提供基板; 在衬底上形成低k电介质层; 将导电布线嵌入到低k电介质层中; 并且将导电布线热浸在含碳硅烷类化学品中以在导电布线上形成阻挡层。 在用于嵌入导电布线的开口中形成衬里阻挡层。 衬里阻挡层可以包括与阻挡层相同的材料，并且衬里阻挡层可以在形成阻挡层之前被凹入，并且可以包含可以被硅化的金属。