公开(公告)号：US5883404A

公开(公告)日：1999-03-16

申请号：US297279

申请日：1994-08-29

申请人： Herbert Goronkin ,  Saied Nikoo Tehrani ,  Jun Shen

发明人： Herbert Goronkin ,  Saied Nikoo Tehrani ,  Jun Shen

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/095 ,  H01L29/66 ,  H01L29/80 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

摘要： A complementary heterojunction semiconductor device (10) has a first resonant interband tunneling transistor (12) coupled to a second resonant interband tunneling transistor (14) through a common output (16). The first transistor (12) has a first gate (18) of a first semiconductor type and a drain (28) coupled to the first gate (18). The first gate (18) is also coupled to the common output (16). The second transistor (14) has a second gate (32) of a second semiconductor type and a source (42) coupled to the second gate (32). The second gate (32) is also coupled to the common output (16). The valence band (60,80,82) of the first semiconductor type has an energy level greater than the conduction band (62,64,84) of the second semiconductor type.

摘要翻译： 互补异质结半导体器件（10）具有通过公共输出（16）耦合到第二谐振频带隧穿晶体管（14）的第一谐振频带隧穿晶体管（12）。 第一晶体管（12）具有第一半导体类型的第一栅极（18）和耦合到第一栅极（18）的漏极（28）。 第一门（18）也耦合到公共输出端（16）。 第二晶体管（14）具有第二半导体类型的第二栅极（32）和耦合到第二栅极（32）的源极（42）。 第二栅极（32）也耦合到公共输出端（16）。 第一半导体类型的价带（60,80,82）具有大于第二半导体类型的导带（62,64,84）的能级。

公开(公告)号：US5326985A

公开(公告)日：1994-07-05

申请号：US951994

申请日：1992-09-28

申请人： Herbert Goronkin ,  Jun Shen ,  Saied N. Tehrani

发明人： Herbert Goronkin ,  Jun Shen ,  Saied N. Tehrani

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/161 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/7783

摘要： A semiconductor structure that provides both N-type and P-type doping from a single dopant source is provided. A first doping region (13) comprising a first material composition includes holes and electrons in a doping energy level (E.sub.D)- A first undoped spacer region (12) comprising the first material composition covers the doping region (13). An undoped channel (11,14) comprising a second material composition covers the first spacer region (12) and a second undoped spacer region (12) comprising the first material composition covers the undoped channel (11,14). The first material composition has a wider bandgap than the second material composition and the doping energy level (E.sub.D) is selected to provide electrons to the undoped channel (11,14) when the second material composition has a conduction band minimum less than the doping energy level (E.sub.D) and to provide holes to the first undoped channel (11,14) when the second material composition has a valence band maximum greater than the doping energy level (E.sub.D).

摘要翻译： 提供了从单个掺杂剂源提供N型和P型掺杂的半导体结构。 包括第一材料组合物的第一掺杂区域（13）包括掺杂能级（ED）的空穴和电子 - 包含第一材料组合物的第一未掺杂间隔区域（12）覆盖掺杂区域（13）。 包括第二材料组合物的未掺杂通道（11,14）覆盖第一间隔区域（12），并且包括第一材料组合物的第二未掺杂间隔区域（12）覆盖未掺杂沟道（11,14）。 第一材料组合物具有比第二材料组成更宽的带隙，并且当第二材料组合物具有小于掺杂能量的导带最小值时，选择掺杂能级（ED）以向未掺杂沟道（11,14）提供电子 （ED），并且当第二材料组合物具有大于掺杂能级（ED）的价带最大值时，向第一未掺杂通道（11,14）提供孔。

公开(公告)号：US5477169A

公开(公告)日：1995-12-19

申请号：US261799

申请日：1994-06-20

申请人： Jun Shen ,  Herbert Goronkin ,  Saied N. Tehrani

发明人： Jun Shen ,  Herbert Goronkin ,  Saied N. Tehrani

IPC分类号： H01L21/822 ,  G11C5/14 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/86 ,  H01L29/88 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/10 ,  H03K19/21 ,  G06F7/50

CPC分类号： G11C5/142 ,  H03K19/094 ,  H03K19/10 ,  H03K19/215

摘要： A logic circuit including a pair of FETs connected in parallel and including first and second common current terminals, each of the FETs further having a control terminal connected to receive a logic signal thereon. A negative differential resistance device affixed to one of the first and second common current terminals and having a conductance characteristic such that the device operates at a peak current when one of the FETs is turned ON and at a valley current when both of the FETs are simultaneously turned ON. A load resistance coupled to the other of the first and second common current terminals and providing an output for the logic circuit.

摘要翻译： 一种逻辑电路，包括并联连接并包括第一和第二公共电流端子的一对FET，每个FET还具有连接以在其上接收逻辑信号的控制端子。 固定在第一和第二公共电流端子中的一个并具有电导特性的负差分电阻器件，使得器件在FET中的一个导通时以峰值电流工作，并且当两个FET同时处于谷值电流时工作 打开。 负载电阻耦合到第一和第二公共电流端子中的另一个，并提供逻辑电路的输出。

公开(公告)号：US5412224A

公开(公告)日：1995-05-02

申请号：US894989

申请日：1992-06-08

申请人： Herbert Goronkin ,  Jun Shen ,  Saied Tehrani

发明人： Herbert Goronkin ,  Jun Shen ,  Saied Tehrani

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778 ,  H01L29/161 ,  H01L29/205 ,  H01L29/225

CPC分类号： H01L29/1029 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/778

摘要： A field effect semiconductor device having multiple vertically stacked channels (12, 14, 16) separated by barrier layers comprising wide bandgap material (18) is provided. The channels (12, 14, 16) are formed on a wide bandgap buffer layer (11) and each channel is coupled a N-type drain region (22b). Each channel is also coupled to an N-type source region (25b). With appropriate gate bias on a gate electrode (17), quantized energy levels in the channels (12, 14, 16) are aligned to provide self-doping by electrons in the valence band of the P-channel (14) moving to the conduction band of the N-channels (12, 16) providing peak channel conductivity. At higher gate bias, one of the N-channels (12) becomes non-conductive creating a negative resistance region.

摘要翻译： 提供了具有由包括宽带隙材料（18）的阻挡层隔开的多个垂直堆叠通道（12,14,16）的场效应半导体器件。 通道（12,14,16）形成在宽带隙缓冲层（11）上，每个通道耦合有N型漏区（22b）。 每个通道也耦合到N型源极区域（25b）。 在栅电极（17）上具有合适的栅极偏置，通道（12,14,16）中的量化能级被对准以提供通过移动到导通的P沟道（14）的价带中的电子的自掺杂 带宽的N沟道（12,16）提供峰值沟道导电性。 在较高的栅极偏压下，N沟道（12）中的一个变为不导通，产生负电阻区域。

公开(公告)号：US5289014A

公开(公告)日：1994-02-22

申请号：US930958

申请日：1992-08-17

申请人： Herbert Goronkin ,  Jun Shen ,  Saied Tehrani ,  X. Theodore Zhu

发明人： Herbert Goronkin ,  Jun Shen ,  Saied Tehrani ,  X. Theodore Zhu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/76 ,  H01L29/80 ,  H01L29/161 ,  H01L29/205

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/7613

摘要： A semiconductor device having a vertical interconnect or via stacked formed by quantum well comprising a semiconductor material is provided. A first semiconductor device (11) having a current carrying region (19) is formed in a first horizontal plane. A second semiconductor device (12) having a current carrying region (29) is formed in a second horizontal plane. Each of the current carrying regions have a first quantized energy level that is substantially equal. A semiconductor via (31) couples the current carrying region (19) of the first semiconductor device (11) to the current carrying region (29) of the second device (12), wherein the semiconductor via (31) has a first quantized energy level capable of alignment with the quantized energy levels of the current carrying regions (19, 29) of the first and second semiconductor devices (11,12).

摘要翻译： 提供了具有由包括半导体材料的量子阱形成的垂直互连或通过层叠形成的半导体器件。 具有载流区域（19）的第一半导体器件（11）形成在第一水平面中。 具有载流区域（29）的第二半导体器件（12）形成在第二水平面中。 每个电流承载区域具有基本相等的第一量化能级。 半导体通孔（31）将第一半导体器件（11）的载流区域（19）耦合到第二器件（12）的载流区域（29），其中半导体通孔（31）具有第一量子化能 能够与第一和第二半导体器件（11,12）的载流区域（19,29）的量化能级对准。

公开(公告)号：US5349214A

公开(公告)日：1994-09-20

申请号：US119554

申请日：1993-09-13

申请人： Saied N. Tehrani ,  X. Theodore Zhu ,  Herbert Goronkin ,  Jun Shen

发明人： Saied N. Tehrani ,  X. Theodore Zhu ,  Herbert Goronkin ,  Jun Shen

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/095 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L27/092 ,  Y10S148/015 ,  Y10S148/072 ,  Y10S148/16

摘要： A heterojunction device including a first semiconductive layer on a substrate, a barrier layer on the first layer, a second semiconductive layer on the barrier layer and a multi-layer cap, on the second semiconductive layer. First and second gates positioned on layers of the cap to define first and second transistors, with the cap layers being selected and etched to pin the Fermi level in a first transistor conduction channel in the second semiconductive layer such that the number of carriers in the first conduction channel are substantially less than the number of carriers in surrounding portions of the second semiconductive layer and the Fermi level in a second transistor conduction channel in the first semiconductive layer such that the number of carriers in the second conduction channel are substantially less than the number of carriers in surrounding portions of the first semiconductive layer.

摘要翻译： 一种异质结装置，在第二半导体层上包括衬底上的第一半导体层，第一层上的阻挡层，阻挡层上的第二半导体层和多层帽。 位于盖的层上的第一和第二栅极限定第一和第二晶体管，其中盖层被选择和蚀刻以在第二半导体层中的第一晶体管导通通道中引导费米能级，使得第一和第二晶体管中的载流子数目 传导通道基本上小于第一半导体层中的第二半导体层的周围部分中的载流子数量和第二晶体管传导通道中的费米能级数，使得第二导电通道中的载流子数目基本上小于数量 在第一半导体层的周围部分的载体。

公开(公告)号：US5294809A

公开(公告)日：1994-03-15

申请号：US65338

申请日：1993-05-24

申请人： Herbert Goronkin ,  Saied N. Tehrani ,  Jun Shen ,  Xiaodong T. Zhu

发明人： Herbert Goronkin ,  Saied N. Tehrani ,  Jun Shen ,  Xiaodong T. Zhu

IPC分类号： H01L29/88

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/882

摘要： A resonant tunneling diode having a quantum well sandwiched between first and second tunnel barrier layers and the quantum well and tunnel barrier layers sandwiched between an injection layer and a collector layer. The improvement includes a relatively thin layer of semiconductor material sandwiched between either the first tunnel barrier layer and the injection layer or the first tunnel barrier layer and the quantum well. The thin semiconductor layer has a valence band with an energy level lower than the valence band of the first tunnel barrier layer so as to prevent minority carriers from travelling toward the injection layer.

摘要翻译： 一种谐振隧道二极管，其具有夹在第一和第二隧道势垒层之间的量子阱以及夹在注入层和集电极层之间的量子阱和隧道势垒层。 该改进包括夹在第一隧道势垒层和注入层之间的相对薄的半导体材料层或第一隧道势垒层和量子阱。 薄半导体层具有能级低于第一隧道势垒层的价带的价带，以防止少数载流子朝向注入层行进。

公开(公告)号：US5552330A

公开(公告)日：1996-09-03

申请号：US386171

申请日：1995-02-09

申请人： Saied N. Tehrani ,  Herbert Goronkin ,  Jun Shen ,  Xiaodong T. Zhu

发明人： Saied N. Tehrani ,  Herbert Goronkin ,  Jun Shen ,  Xiaodong T. Zhu

IPC分类号： H01L29/68 ,  H01L21/20 ,  H01L21/334 ,  H01L27/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/76 ,  H01L21/265 ,  H01L21/44

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02576 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/66939 ,  H01L29/7606

摘要： A resonant tunneling FET including a heterostructure FET with a channel layer having a first current contact and a control contact operatively coupled thereto and a resonant tunneling device, including a quantum well layer sandwiched between barrier layers with a resonant tunneling layer affixed to an opposite side of one barrier layer, operably affixed to the heterostructure FET to form a second current contact. The resonant tunneling FET being constructed from a material system which allows the fabrication of additional devices on the same substrate.

摘要翻译： 一种谐振隧穿FET，其包括具有第一电流接触的通道层和可操作地耦合到其上的控制触点的异质结构FET，以及谐振隧穿装置，其包括夹在阻挡层之间的量子阱层，其中谐振隧穿层固定在 一个阻挡层，可操作地固定到异质结构FET以形成第二电流接触。 谐振隧道FET由材料系统构成，其允许在同一衬底上制造附加器件。

公开(公告)号：US5489785A

公开(公告)日：1996-02-06

申请号：US209789

申请日：1994-03-11

申请人： Saied N. Tehrani ,  Jun Shen ,  Herbert Goronkin ,  Xiaodong T. Zhu

发明人： Saied N. Tehrani ,  Jun Shen ,  Herbert Goronkin ,  Xiaodong T. Zhu

IPC分类号： H01L29/68 ,  H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/737 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7376 ,  B82Y10/00

摘要： A band-to-band resonant tunneling transistor including GaSb and InAs resonant tunneling layers separated by a thin barrier layer and a second InAs layer separated from the GaSb layer by another thin barrier layer. A terminal on the InAs resonant tunneling layer and a terminal on the second InAs layer. Leakage current reduction layers are positioned on the second InAs layer with a bias terminal positioned thereon. The InAs resonant tunneling layer has a plurality of quantized states which are misaligned with the ground state of the GaSb layer in a quiescent state, each of the quantized states of the InAs resonant tunneling layer are movable into alignment with the ground state of the GaSb layer to provide current flow through the transistor with the application of a specific potential to the terminal on the second InAs layer.

摘要翻译： 包括GaSb和InAs谐振隧道层的带对带谐振隧穿晶体管，其由薄的阻挡层和由另一个薄的阻挡层与GaSb层分离的第二InAs层隔开。 InAs谐振隧穿层上的一个端子和第二个InAs层上的一个端子。 漏电流减少层位于第二InAs层上，偏置端子位于其上。 InAs谐振隧穿层具有与处于静止状态的GaSb层的基态不对准的多个量化状态，InAs谐振隧穿层的每个量子化状态可移动地与GaSb层的基态对准 以通过向第二InAs层上的端子施加特定电位来提供流过晶体管的电流。

公开(公告)号：US5427965A

公开(公告)日：1995-06-27

申请号：US262292

申请日：1994-06-20

申请人： Saied N. Tehrani ,  X. T. Zhu ,  Herbert Goronkin ,  Jun Shen

发明人： Saied N. Tehrani ,  X. T. Zhu ,  Herbert Goronkin ,  Jun Shen

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/095 ,  H01L21/265 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L27/092 ,  Y10S148/015 ,  Y10S148/072 ,  Y10S148/16

摘要： A heterojunction device including a first semiconductive layer on a substrate, a barrier layer on the first layer, a second semiconductive layer on the barrier layer and a multi-layer cap, on the second semiconductive layer. First and second gates positioned on layers of the cap to define first and second transistors, with the cap layers being selected and etched to pin the Fermi level in a first transistor conduction channel in the second semiconductive layer such that the number of carriers in the first conduction channel are substantially less than the number of carriers in surrounding portions of the second semiconductive layer and the Fermi level in a second transistor conduction channel in the first semiconductive layer such that the number of carriers in the second conduction channel are substantially less than the number of carriers in surrounding portions of the first semiconductive layer.

摘要翻译： 一种异质结装置，在第二半导体层上包括衬底上的第一半导体层，第一层上的阻挡层，阻挡层上的第二半导体层和多层帽。 位于盖的层上的第一和第二栅极限定第一和第二晶体管，其中盖层被选择和蚀刻以在第二半导体层中的第一晶体管导通通道中引导费米能级，使得第一和第二晶体管中的载流子数目 传导通道基本上小于第一半导体层中的第二半导体层的周围部分中的载流子数量和第二晶体管传导通道中的费米能级数，使得第二导电通道中的载流子数目基本上小于数量 在第一半导体层的周围部分的载体。