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    Non-volatile memory
    1.
    发明授权
    Non-volatile memory 失效
    非易失性存储器

    公开(公告)号：US07291857B2

    公开(公告)日：2007-11-06

    申请号：US10967222

    申请日：2004-10-19

    申请人： Hideyuki Tanaka ,  Takashi Ohtsuka ,  Kiyoyuki Morita ,  Kiyoshi Morimoto

    发明人： Hideyuki Tanaka ,  Takashi Ohtsuka ,  Kiyoyuki Morita ,  Kiyoshi Morimoto

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

    摘要： A non-volatile memory (1) which comprises an insulating substrate (11) having a plurality of first electrodes (15) extending therethrough from a front surface of the substrate to a rear surface thereof, a second electrode (12) formed on one surface side of the substrate (11), and a recording layer (14) held between the first electrodes (15) and the second electrode (12) and variable in resistance value by electric pulses applied across the first electrodes (15) and the second electrode (12), the plurality of first electrodes (15) being electrically connected to the recording layer (14) in a region constituting a single memory cell (MC). The non-volatile memory (1) can be reduced in power consumption and has great freedom of design and high reliability.

    摘要翻译： 一种非易失性存储器（1），其包括绝缘基板（11），所述绝缘基板具有从所述基板的前表面延伸穿过其延伸到其后表面的多个第一电极（15），形成在一个表面上的第二电极 基板（11）的一侧，以及保持在第一电极（15）和第二电极（12）之间的记录层（14），并且通过施加在第一电极（15）和第二电极 （12），所述多个第一电极（15）在构成单个存储单元（MC）的区域中与记录层（14）电连接。 非易失性存储器（1）可以降低功耗，并具有很大的设计自由度和高可靠性。

    Method of fabrication of non-volatile memory
    2.
    发明授权
    Method of fabrication of non-volatile memory 有权
    非易失性存储器的制作方法

    公开(公告)号：US07115473B2

    公开(公告)日：2006-10-03

    申请号：US11038034

    申请日：2005-01-21

    申请人： Hideyuki Tanaka ,  Kiyoshi Morimoto

    发明人： Hideyuki Tanaka ,  Kiyoshi Morimoto

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1418 ,  G11B9/1463 ,  G11B9/149 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： A non-volatile memory, which comprises an insulating substrate (11) that has a first electrode (18) that extends through the substrate from the front surface to the rear surface thereof; a second electrode (13) that is formed on one side of the insulating substrate (11); and a recording layer (12) that is clamped between the first electrode (18) and the second electrode (13) and whose resistance value varies when an electric pulse is applied across the first electrode (18) and the second electrode (13); wherein the insulating substrate (11) has a layered structure composed of an organic dielectric thin film (112) and an inorganic dielectric layer (111) that is thinner than the organic dielectric thin film (112); with the recording layer (12) being formed on the side on which the inorganic dielectric layer is formed. Use of this non-volatile memory increases the possible number of data writing cycles while saving power.

    摘要翻译： 一种非易失性存储器，包括绝缘基板（11），所述绝缘基板具有从所述基板的前表面延伸到其后表面的第一电极（18）; 形成在绝缘基板（11）一侧的第二电极（13）; 以及夹持在所述第一电极（18）和所述第二电极（13）之间并且当跨越所述第一电极（18）和所述第二电极（13）施加电脉冲时其电阻值变化的记录层（12）。 其特征在于，所述绝缘基板（11）具有由有机电介质薄膜（112）和比所述有机介电薄膜（112）薄的无机介电层（111）构成的层叠结构。 其中记录层（12）形成在其上形成无机介电层的一侧。 使用这种非易失性存储器可以在节省电力的同时增加可能的数据写入周期数。

    Non-volatile memory and the fabrication method thereof
    3.
    发明申请
    Non-volatile memory and the fabrication method thereof 有权
    非易失性存储器及其制造方法

    公开(公告)号：US20050121659A1

    公开(公告)日：2005-06-09

    申请号：US11038034

    申请日：2005-01-21

    申请人： Hideyuki Tanaka ,  Kiyoshi Morimoto

    发明人： Hideyuki Tanaka ,  Kiyoshi Morimoto

    IPC分类号： G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11C11/22 ,  G11C16/02 ,  H01L27/10 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1418 ,  G11B9/1463 ,  G11B9/149 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： A non-volatile memory, which comprises an insulating substrate (11) that has a first electrode (18) that extends through the substrate from the front surface to the rear surface thereof; a second electrode (13) that is formed on one side of the insulating substrate (11); and a recording layer (12) that is clamped between the first electrode (18) and the second electrode (13) and whose resistance value varies when an electric pulse is applied across the first electrode (18) and the second electrode (13); wherein the insulating substrate (11) has a layered structure composed of an organic dielectric thin film (112) and an inorganic dielectric layer (111) that is thinner than the organic dielectric thin film (112); with the recording layer (12) being formed on the side on which the inorganic dielectric layer is formed. Use of this non-volatile memory increases the possible number of data writing cycles while saving power.

    摘要翻译： 一种非易失性存储器，包括绝缘基板（11），所述绝缘基板具有从所述基板的前表面延伸到其后表面的第一电极（18）; 形成在绝缘基板（11）一侧的第二电极（13）; 以及夹持在所述第一电极（18）和所述第二电极（13）之间并且当跨越所述第一电极（18）和所述第二电极（13）施加电脉冲时其电阻值变化的记录层（12）。 其特征在于，所述绝缘基板（11）具有由有机电介质薄膜（112）和比所述有机介电薄膜（112）薄的无机介电层（111）构成的层叠结构。 其中记录层（12）形成在其上形成无机介电层的一侧。 使用这种非易失性存储器可以在节省电力的同时增加可能的数据写入周期数。

    Non-volatile memory with phase-change recording layer
    4.
    发明授权
    Non-volatile memory with phase-change recording layer 失效
    具有相变记录层的非易失性存储器

    公开(公告)号：US06900517B2

    公开(公告)日：2005-05-31

    申请号：US10646816

    申请日：2003-08-25

    申请人： Hideyuki Tanaka ,  Kiyoshi Morimoto

    发明人： Hideyuki Tanaka ,  Kiyoshi Morimoto

    IPC分类号： G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11C11/22 ,  G11C16/02 ,  H01L27/10 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L29/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1418 ,  G11B9/1463 ,  G11B9/149 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： A non-volatile memory, which comprises an insulating substrate (11) that has a first electrode (18) that extends through the substrate from the front surface to the rear surface thereof; a second electrode (13) that is formed on one side of the insulating substrate (11); and a recording layer (12) that is clamped between the first electrode (18) and the second electrode (13) and whose resistance value varies when an electric pulse is applied across the first electrode (18) and the second electrode (13); wherein the insulating substrate (11) has a layered structure composed of an organic dielectric thin film (112) and an inorganic dielectric layer (111) that is thinner than the organic dielectric thin film (112); with the recording layer (12) being formed on the side on which the inorganic dielectric layer is formed. Use of this non-volatile memory increases the possible number of data writing cycles while saving power.

    摘要翻译： 一种非易失性存储器，包括绝缘基板（11），所述绝缘基板具有从所述基板的前表面延伸到其后表面的第一电极（18）; 形成在绝缘基板（11）一侧的第二电极（13）; 以及夹持在所述第一电极（18）和所述第二电极（13）之间并且当跨越所述第一电极（18）和所述第二电极（13）施加电脉冲时其电阻值变化的记录层（12）。 其特征在于，所述绝缘基板（11）具有由有机电介质薄膜（112）和比所述有机介电薄膜（112）薄的无机介电层（111）构成的层叠结构。 其中记录层（12）形成在其上形成无机介电层的一侧。 使用这种非易失性存储器可以在节省电力的同时增加可能的数据写入周期数。

    Non-volatile memory
    5.
    发明申请
    Non-volatile memory 失效
    非易失性存储器

    公开(公告)号：US20050045864A1

    公开(公告)日：2005-03-03

    申请号：US10967222

    申请日：2004-10-19

    申请人： Hideyuki Tanaka ,  Takashi Ohtsuka ,  Kiyoyuki Morita ,  Kiyoshi Morimoto

    发明人： Hideyuki Tanaka ,  Takashi Ohtsuka ,  Kiyoyuki Morita ,  Kiyoshi Morimoto

    IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L47/00

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

    摘要： A non-volatile memory (1) which comprises an insulating substrate (11) having a plurality of first electrodes (15) extending therethrough from a front surface of the substrate to a rear surface thereof, a second electrode (12) formed on one surface side of the substrate (11), and a recording layer (14) held between the first electrodes (15) and the second electrode (12) and variable in resistance value by electric pulses applied across the first electrodes (15) and the second electrode (12), the plurality of first electrodes (15) being electrically connected to the recording layer (14) in a region constituting a single memory cell (MC). The non-volatile memory (1) can be reduced in power consumption and has great freedom of design and high reliability.

    摘要翻译： 一种非易失性存储器（1），其包括绝缘基板（11），所述绝缘基板具有从所述基板的前表面延伸穿过其延伸到其后表面的多个第一电极（15），形成在一个表面上的第二电极 基板（11）的一侧，以及保持在第一电极（15）和第二电极（12）之间的记录层（14），并且通过施加在第一电极（15）和第二电极 （12），所述多个第一电极（15）在构成单个存储单元（MC）的区域中与记录层（14）电连接。 非易失性存储器（1）可以降低功耗，并具有很大的设计自由度和高可靠性。

    Non-volatile memory and fabrication method thereof
    7.
    发明授权
    Non-volatile memory and fabrication method thereof 有权
    非易失性存储器及其制造方法

    公开(公告)号：US07023014B2

    公开(公告)日：2006-04-04

    申请号：US10716621

    申请日：2003-11-20

    申请人： Kiyoshi Morimoto ,  Hideyuki Tanaka ,  Takashi Ohtsuka ,  Akihito Miyamoto

    发明人： Kiyoshi Morimoto ,  Hideyuki Tanaka ,  Takashi Ohtsuka ,  Akihito Miyamoto

    IPC分类号： H01L29/18

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  H01L27/0814 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1675

    摘要： The present invention relates to a non-volatile memory comprising: a first electrode (11); a second electrode (12); and a phase-change recording medium (14) sandwiched between the first electrode (11) and the second electrode (12), in which resistance value is varied by applying an electrical pulse across the first electrode (11) and the second electrode (12), at least one of the first electrode (11) and the second electrode (12) contains as a main ingredient at least one member selected from the group consisting of ruthenium, rhodium and osmium, and the phase-change recording medium (14) is formed of a phase-change material that contains chalcogen(s). This non-volatile memory exhibits improved durability and reliability by preventing deterioration of property (i.e., mutual impurity diffusion between the electrode and the phase-change recording medium) caused by application of current.

    摘要翻译： 本发明涉及一种非易失性存储器，包括：第一电极（11）; 第二电极（12）; 以及夹在第一电极（11）和第二电极（12）之间的相变记录介质（14），其中通过在第一电极（11）和第二电极（12）上施加电脉冲来改变电阻值 ），第一电极（11）和第二电极（12）中的至少一个包含选自钌，铑和锇中的至少一种元素和相变记录介质（14）作为主要成分， 由含有硫族元素的相变材料形成。 这种非易失性存储器通过防止由施加电流引起的性能劣化（即，电极和相变记录介质之间的相互杂质扩散）而显示出改进的耐久性和可靠性。

    Water-based ink composition for inkjet recording
    8.
    发明授权
    Water-based ink composition for inkjet recording 失效
    用于喷墨记录的水性油墨组合物

    公开(公告)号：US08222326B2

    公开(公告)日：2012-07-17

    申请号：US12535702

    申请日：2009-08-05

    申请人： Kiyoshi Morimoto ,  Keiichi Tateishi

    发明人： Kiyoshi Morimoto ,  Keiichi Tateishi

    IPC分类号： C09D11/10

    CPC分类号： C09B29/0025 ,  C09B29/3656 ,  C09B33/12 ,  C09B33/24 ,  C09B67/0084 ,  C09D11/322 ,  C09D11/326

    摘要： The invention provides a water-based ink composition for inkjet recording which contains vinyl polymer particles containing a styrene-acrylic acid copolymer in which the total content of the constitutional units derived from styrene monomer, acrylic acid, and methacrylic acid is 45% by mass or more; and at least one of an azo pigment represented by Formula (1), a tautomer thereof, a salt or hydrate thereof; and a water-based liquid medium, and which is excellent in discharge stability after a long-term storage or after aging at high temperatures: wherein, Q represents a heterocyclic group; W represents an alkoxy group, an amino group etc.; X1 and X2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group etc.; R1 represents a hydrogen atom or a substituent; R2 represents a heterocyclic group; and n represents an integer of 1 to 4.

    摘要翻译： 本发明提供了一种喷墨记录用水性油墨组合物，其含有含有苯乙烯 - 丙烯酸共聚物的乙烯基聚合物颗粒，其中衍生自苯乙烯单体，丙烯酸和甲基丙烯酸的结构单元的总含量为45质量％ 更多; 和由式（1）表示的偶氮颜料，其互变异构体，其盐或水合物中的至少一种; 水性液体介质，长期保存后或高温老化后的放电稳定性优异：其中，Q表示杂环基; W表示烷氧基，氨基等; X1和X2各自独立地表示氢原子，烷基等。 R1表示氢原子或取代基; R2表示杂环基; n表示1〜4的整数。