公开(公告)号：US20130331004A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13915119

申请日：2013-06-11

申请人： JSR CORPORATION ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： Gaku MINAMIHABA ,  Akifumi Gawase ,  Hajime Eda ,  Yukiteru Matsui ,  Satoshi Kamo ,  Naoki Nishiguchi ,  Ayako Maekawa

IPC分类号： B24B53/017 ,  B24B53/095 ,  B24B37/04

CPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/042 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B53/095

摘要： According to one embodiment, a semiconductor device manufacturing method comprises forming a film to be polished on a semiconductor substrate, and performing a CMP method on the film to be polished. The CMP method includes polishing the film to be polished by bringing a surface of the film to be polished into contact with a surface of a polishing pad having a negative Rsk value.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成待研磨的膜，并对待抛光的膜进行CMP方法。 CMP方法包括通过使要抛光的膜的表面与具有负Rsk值的抛光垫的表面接触来抛光待抛光的膜。

公开(公告)号：US10319605B2

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：US15584168

申请日：2017-05-02

申请人： JSR Corporation

发明人： Yasutaka Kamei ,  Takahiro Hayama ,  Naoki Nishiguchi ,  Satoshi Kamo ,  Tomotaka Shinoda

IPC分类号： H01L21/321 ,  C09G1/04 ,  C09G1/00 ,  C09G1/06 ,  C09K13/06 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  C11D3/14 ,  C11D7/20 ,  C11D11/00

摘要： A semiconductor treatment composition includes particles having a particle size of 0.1 to 0.3 micrometers in a number of 3×101 to 1.5×103 per mL.

公开(公告)号：US10304694B2

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：US15608176

申请日：2017-05-30

申请人： JSR CORPORATION

发明人： Takahiro Hayama ,  Yasutaka Kamei ,  Naoki Nishiguchi ,  Satoshi Kamo ,  Tomotaka Shinoda

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/306 ,  B24B37/04 ,  B24B49/16

摘要： A semiconductor treatment composition includes potassium, sodium, and a compound A represented by the formula (1), and has a potassium content MK (ppm) and a sodium content MNa (ppm) that satisfy MK/MNa=1×10−1 to 1×104.

公开(公告)号：US20170330763A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：US15584168

申请日：2017-05-02

申请人： JSR Corporation

发明人： Yasutaka Kamei ,  Takahiro Hayama ,  Naoki Nishiguchi ,  Satoshi Kamo ,  Tomotaka Shinoda

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/3212 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  C09G1/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K13/06 ,  C11D3/14 ,  C11D7/20 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/30625

摘要： A semiconductor treatment composition includes particles having a particle size of 0.1 to 0.3 micrometers in a number of 3×101 to 1.5×103 per mL.