公开(公告)号：US20130224960A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13882272

申请日：2011-10-27

申请人： Jairaj Payyapilly ,  Jong Mun Kim ,  Kenny Doan ,  Li Ling

发明人： Jairaj Payyapilly ,  Jong Mun Kim ,  Kenny Doan ,  Li Ling

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116

摘要： Methods for etching an oxide layer disposed on a substrate through a patterned layer defining one or more features to be etched into the oxide layer are provided herein. In some embodiments, a method for etching an oxide layer disposed on a substrate through a patterned layer defining one or more features to be etched into the oxide layer may include: etching the oxide layer through the patterned layer using a process gas comprising a polymer forming gas and an oxygen containing gas to form the one or more features in the oxide layer; and pulsing at least one of the polymer forming gas or the oxygen containing gas for at least a portion of etching the oxide layer to control a dimension of the one or more features.

摘要翻译： 本文提供了通过限定一个或多个要蚀刻到氧化物层中的特征的图案化层来蚀刻设置在衬底上的氧化物层的方法。 在一些实施例中，通过限定要蚀刻到氧化物层中的一个或多个特征的图案化层蚀刻设置在衬底上的氧化物层的方法可以包括：使用包含形成聚合物的聚合物的工艺气体蚀刻氧化物层通过图案化层 气体和含氧气体以形成氧化物层中的一个或多个特征; 并且脉冲至少一种聚合物形成气体或含氧气体用于蚀刻氧化物层的至少一部分以控制一个或多个特征的尺寸。

公开(公告)号：US20130122712A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13656578

申请日：2012-10-19

申请人： Jong Mun KIM ,  Kenny Linh Doan ,  Li Ling ,  Jairaj Payyapilly ,  Daisuke Shimuzu ,  Srinivas D. Nemani ,  Thorsten B. Lill

发明人： Jong Mun KIM ,  Kenny Linh Doan ,  Li Ling ,  Jairaj Payyapilly ,  Daisuke Shimuzu ,  Srinivas D. Nemani ,  Thorsten B. Lill

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： Methods of etching HAR features in a dielectric layer are described. In one embodiment, a substrate is provided into an etch chamber. The substrate has a patterned mask disposed on a dielectric layer formed thereon where the patterned mask has openings. A gas mixture is provided into the etch chamber, the gas mixture includes CO, O2, a fluorocarbon gas, and an optional inert gas. A plasma is formed from the gas mixture. Features are etched in the dielectric layer through the openings in the presence of the plasma

摘要翻译： 描述了蚀刻介电层中的HAR特征的方法。 在一个实施例中，将衬底提供到蚀刻室中。 衬底具有设置在其上形成的电介质层上的图案化掩模，其中图案化掩模具有开口。 气体混合物被提供到蚀刻室中，气体混合物包括CO，O 2，碳氟化合物气体和任选的惰性气体。 从气体混合物形成等离子体。 在存在等离子体的情况下，通过开口在电介质层中蚀刻特征

公开(公告)号：US08141152B1

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US11958729

申请日：2007-12-18

申请人： Lin Yuh-Ing Hwang ,  Leroy Lacy ,  Li Ling

发明人： Lin Yuh-Ing Hwang ,  Leroy Lacy ,  Li Ling

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： H04L63/0227 ,  H04L51/12

摘要： The present invention provides methods, devices, and systems for detecting and filtering SPam over Internet Telephony (SPIT). The invention includes a two level filter. The first level may include a robust audio hash used to filter audio messages based on their audio content and the second level may include a near-duplicate pattern matching algorithm having a number of content filters and an evaluator to aggregate the results from the multiple content filters. By supporting multiple aggregation methods, a more flexible SPIT detection scheme is provided.

摘要翻译： 本发明提供用于检测和过滤因特网电话（SPIT）的垃圾邮件的方法，设备和系统。 本发明包括一个二级过滤器。 第一级可以包括用于基于其音频内容来过滤音频消息的鲁棒音频散列，并且第二级可以包括具有多个内容过滤器的近似重复的模式匹配算法和用于聚合来自多个内容过滤器的结果的评估器 。 通过支持多种聚合方法，提供了更灵活的SPIT检测方案。

公开(公告)号：US5906708A

公开(公告)日：1999-05-25

申请号：US567971

申请日：1995-12-06

申请人： McDonald Robinson ,  Richard C. Westhoff ,  Charles E. Hunt ,  Li Ling

发明人： McDonald Robinson ,  Richard C. Westhoff ,  Charles E. Hunt ,  Li Ling

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L29/161 ,  H01L21/84 ,  C23F1/24

CPC分类号： H01L29/161 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76251 ,  Y10S148/059 ,  Y10S148/15

摘要： Silicon-germanium-based compositions comprising silicon, germanium, and carbon (i.e., Si--Ge--C), methods for growing Si--Ge--C epitaxial layer(s) on a substrate, etchants especially suitable for Si--Ge--C etch-stops, and novel methods of use for Si--Ge--C compositions are provided. In particular, the invention relates to Si--Ge--C compositions, especially for use as etch-stops and related processes and etchants useful for microelectronic and nanotechnology fabrication.

摘要翻译： 包含硅，锗和碳的硅 - 锗基组合物（即Si-Ge-C），用于在衬底上生长Si-Ge-C外延层的方法，特别适用于Si-Ge-C蚀刻的蚀刻剂 并提供了Si-Ge-C组合物的新颖的使用方法。 特别地，本发明涉及Si-Ge-C组合物，特别是用作蚀刻停止剂和用于微电子和纳米技术制造的相关工艺和蚀刻剂。

公开(公告)号：US09101547B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US13561105

申请日：2012-07-30

申请人： Yu Qian ,  Li Juan Zhang ,  Zhi Min Wu ,  Li Ying Zhou ,  Wei Jiang ,  Li Ling ,  Qian Luo ,  Xin Dong Guo

发明人： Yu Qian ,  Li Juan Zhang ,  Zhi Min Wu ,  Li Ying Zhou ,  Wei Jiang ,  Li Ling ,  Qian Luo ,  Xin Dong Guo

IPC分类号： A61K9/50 ,  A61K38/28 ,  A61K9/16 ,  A61K9/48 ,  B82Y5/00

CPC分类号： A61K9/5026 ,  A61K9/1635 ,  A61K9/1647 ,  A61K9/4891 ,  A61K38/28 ,  B82Y5/00

摘要： The invention relates to an enteric-coated capsule containing cationic nanoparticles for oral insulin delivery, in particular to a type of cationic nanoparticle including a polycationic and mucoadhesive polymer and a biodegradable polymer, wherein each of the nanoparticles has positive surface charge and enhanced permeability for paracellular insulin delivery; the enteric-coated capsule further includes a pH-sensitive polymer as the coating. The enteric-coated capsule containing cationic nanoparticles, when being orally administered to a subject, are configured to prevent the acidic degradation of the active substance such as insulin before being released from said cationic nanoparticles to a specific absorption site along the gastrointestinal tract.

摘要翻译： 本发明涉及含有用于口服胰岛素递送的阳离子纳米颗粒的肠溶衣胶囊，特别涉及一种阳离子纳米颗粒，包括聚阳离子和粘膜粘附聚合物和可生物降解的聚合物，其中每种纳米颗粒具有正表面电荷并且增加细胞旁通道的渗透性 胰岛素分泌 肠溶衣胶囊还包括作为涂层的pH敏感聚合物。 包含阳离子纳米颗粒的肠溶衣胶囊当被口服给药时被配置成防止活性物质如胰岛素在从所述阳离子纳米颗粒释放到沿着胃肠道的特定吸收部位之前的酸性降解。

公开(公告)号：US6064081A

公开(公告)日：2000-05-16

申请号：US7526

申请日：1998-01-15

申请人： McDonald Robinson ,  Richard C. Westhoff ,  Charles E. Hunt ,  Li Ling ,  Ziv Atzmon

发明人： McDonald Robinson ,  Richard C. Westhoff ,  Charles E. Hunt ,  Li Ling ,  Ziv Atzmon

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L29/161 ,  H01L31/0312

CPC分类号： H01L29/161 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76251 ,  Y10S148/059 ,  Y10S148/15

摘要： Silicon-germanium-based compositions comprising silicon, germanium, and carbon (i.e., Si--Ge--C), methods for growing Si--Ge--C epitaxial layer(s) on a substrate, etchants especially suitable for Si--Ge--C etch-stops, and novel methods of use for Si--Ge--C compositions are provided. In particular, the invention relates to Si--Ge--C compositions, especially for use as etch-stops and related processes and etchants useful for microelectronic and nanotechnology fabrication.

公开(公告)号：US06667522B2

公开(公告)日：2003-12-23

申请号：US10155632

申请日：2002-05-23

申请人： Kramadhati V. Ravi ,  Li Ling ,  Sing-Chung S. Hu

发明人： Kramadhati V. Ravi ,  Li Ling ,  Sing-Chung S. Hu

IPC分类号： H01L2936

CPC分类号： H01L27/0921 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/223 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/105 ,  Y10S148/041

摘要： Techniques include heating a substantially uniformly boron-doped wafer to achieve a significantly increased resistivity in a near-surface region of the wafer and forming at least one electrical circuit element in the near-surface region. Integrated circuits or other devices may include a semiconductor wafer with a substantially uniformly boron-doped bulk region and a reduced boron concentration layer near a surface of the wafer. An electrical circuit element may be provided in the reduced boron concentration layer.

摘要翻译： 技术包括加热基本上均匀的硼掺杂晶片以在晶片的近表面区域中实现显着增加的电阻率，并在近表面区域中形成至少一个电路元件。 集成电路或其他器件可以包括具有基本上均匀的硼掺杂体区域和靠近晶片表面的还原硼浓度层的半导体晶片。 还可以在还原硼浓度层中设置电路元件。

公开(公告)号：US5961877A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：US568112

申请日：1995-12-06

申请人： McDonald Robinson ,  Richard C. Westhoff ,  Charles E. Hunt ,  Li Ling

发明人： McDonald Robinson ,  Richard C. Westhoff ,  Charles E. Hunt ,  Li Ling

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 ,  H01L21/762 ,  H01L29/161 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L29/161 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76251 ,  Y10S148/059 ,  Y10S148/15

摘要： Silicon-germanium-based compositions comprising silicon, germanium, and carbon (i.e., Si--Ge--C), methods for growing Si--Ge--C epitaxial layer(s) on a substrate, etchants especially suitable for Si--Ge--C etch-stops, and novel methods of use for Si--Ge--C compositions are provided. In particular, the invention relates to Si--Ge--C compositions, especially for use as etch-stops and related processes and etchants useful for microelectronic and nanotechnology fabrication.

摘要翻译： 包含硅，锗和碳的硅 - 锗基组合物（即Si-Ge-C），用于在衬底上生长Si-Ge-C外延层的方法，特别适用于Si-Ge-C蚀刻的蚀刻剂 并提供了Si-Ge-C组合物的新颖的使用方法。 特别地，本发明涉及Si-Ge-C组合物，特别是用作蚀刻停止剂和用于微电子和纳米技术制造的相关工艺和蚀刻剂。

公开(公告)号：US08859004B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13561106

申请日：2012-07-30

申请人： Lijuan Zhang ,  Li Ling ,  Li Ying Zhou ,  Zhi Min Wu ,  Xin Dong Guo ,  Wei Jiang ,  Qian Luo ,  Yu Qian

发明人： Lijuan Zhang ,  Li Ling ,  Li Ying Zhou ,  Zhi Min Wu ,  Xin Dong Guo ,  Wei Jiang ,  Qian Luo ,  Yu Qian

IPC分类号： A61K9/51 ,  A61K38/28

CPC分类号： A61K9/5153 ,  A61K9/5161 ,  A61K9/5192 ,  A61K38/28 ,  Y10S977/906

摘要： The present invention discloses the pH-sensitive nanoparticles composed of pH-sensitive polymer, hydrophobic material, internal stabilizer, external stabilizer content and insulin drug. The present invention also includes a method for preparation of pH-sensitive nanoparticles, in particular, a multiple emulsions solvent evaporation method. The pH-sensitive nanoparticles of the present invention show good pH-sensitive property with 100-300 nanometer particle size. Significant decrease in blood glucose level is observed in streptozotocin (STZ)-induced diabetic rats and the bioavailability of insulin is more than 10% after oral administration of the insulin-loaded pH-sensitive nanoparticles.

摘要翻译： 本发明公开了由pH敏感聚合物，疏水材料，内部稳定剂，外部稳定剂含量和胰岛素药物组成的pH敏感纳米颗粒。 本发明还包括用于制备pH敏感性纳米颗粒的方法，特别是多重乳液溶剂蒸发法。 本发明的pH敏感纳米颗粒具有100-300纳米粒度的良好的pH敏感性质。 在链脲佐菌素（STZ）诱导的糖尿病大鼠中观察到血糖水平的显着降低，并且口服施用负载胰岛素的pH敏感纳米颗粒后胰岛素的生物利用度大于10％。

公开(公告)号：US06423615B1

公开(公告)日：2002-07-23

申请号：US09401555

申请日：1999-09-22

申请人： Kramadhati V. Ravi ,  Li Ling ,  Sing-Chung S. Hu

发明人： Kramadhati V. Ravi ,  Li Ling ,  Sing-Chung S. Hu

IPC分类号： H01L2146

CPC分类号： H01L27/0921 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/223 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/105 ,  Y10S148/041

摘要： Techniques include heating a substantially uniformly boron-doped wafer to achieve a significantly increased resistivity in a near-surface region of the water and forming at least one electrical circuit element in the near-surface region.

摘要翻译： 技术包括加热基本均匀的硼掺杂晶片以在水的近表面区域中实现显着增加的电阻率并且在近表面区域中形成至少一个电路元件。