公开(公告)号：US20070264478A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11525403

申请日：2006-09-22

申请人： Jane-Hway Liao ,  Wei-Ling Lin ,  Yu-Yang Chang

发明人： Jane-Hway Liao ,  Wei-Ling Lin ,  Yu-Yang Chang

IPC分类号： G03G7/00

CPC分类号： G03G5/0202 ,  G03G5/0217 ,  G03G7/0013 ,  G03G7/0053 ,  G03G7/0066 ,  Y10T428/24802

摘要： Substrate structures for display devices and fabrication methods thereof The substrate structure comprises a substrate, an interfacial layer disposed on the substrate, and a patterned paste layer applied on the interfacial layer, wherein a contact angle of the interface between the patterned paste layer and the interfacial layer exceeds 35 degrees.

摘要翻译： 用于显示器件的衬底结构及其制造方法衬底结构包括衬底，设置在衬底上的界面层以及施加在界面层上的图案化膏层，其中图案化膏层与界面层之间的界面的接触角 层超过35度。

公开(公告)号：US07842946B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US11849460

申请日：2007-09-04

申请人： Wei-Ling Lin ,  Jiing-Fa Wen ,  Wen-Hsi Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Jiun-Jie Wang ,  Cheng-Chung Lee

发明人： Wei-Ling Lin ,  Jiing-Fa Wen ,  Wen-Hsi Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Jiun-Jie Wang ,  Cheng-Chung Lee

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0537 ,  H01L29/4908

摘要： Electronic devices with hybrid high-k dielectric and fabrication methods thereof. The electronic device includes a substrate. A first electrode is disposed on the substrate. Hybrid high-k multi-layers comprising a first dielectric layer and a second dielectric layer are disposed on the substrate, wherein the first dielectric layer and the second dielectric layer are solvable and substantially without interface therebetween. A second electrode is formed on the hybrid multi-layers.

摘要翻译： 具有混合高k电介质的电子器件及其制造方法。 电子装置包括基板。 第一电极设置在基板上。 包含第一电介质层和第二电介质层的混合高k多层设置在基板上，其中第一介电层和第二介电层是可解的且基本上没有界面。 在混合多层上形成第二电极。

公开(公告)号：US20080035918A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11878907

申请日：2007-07-27

申请人： Liang-Ying Huang ,  Jia-Chong Ho ,  Cheng-Chung Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Wen-Kuei Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Cheng-Chung Hsieh

发明人： Liang-Ying Huang ,  Jia-Chong Ho ,  Cheng-Chung Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Wen-Kuei Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Cheng-Chung Hsieh

IPC分类号： H01L51/10

CPC分类号： H01L51/0022 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558

摘要： An organic thin-film transistor and a method for manufacturing the same are described. The method forms a gate layer on a substrate, an insulator layer on the substrate, forming a semiconductor layer on the insulator layer, and a strip for defining a channel length on the semiconductor layer. An electrode layer is screen printed on the semiconductor layer, and a passivation layer is coated on the electrode layer. The organic thin-film transistor manufactured by the method of the invention has a substrate, a gate layer formed on the substrate, an insulator layer formed on the substrate, a semiconductor layer formed on the insulator layer, a strip for defining a channel length formed on the semiconductor layer, an electrode layer screen-printed on the semiconductor layer, and a passivation layer coated on the electrode layer. Thereby, an organic thin-film transistor with a top-contact/bottom-gate structure is obtained.

摘要翻译： 对有机薄膜晶体管及其制造方法进行说明。 该方法在衬底上形成栅极层，在衬底上形成绝缘体层，在绝缘体层上形成半导体层，以及在半导体层上限定沟道长度的条带。 在半导体层上丝网印刷电极层，在电极层上涂布钝化层。 通过本发明的方法制造的有机薄膜晶体管具有基板，形成在基板上的栅极层，形成在基板上的绝缘体层，形成在绝缘体层上的半导体层，形成用于限定沟道长度的条带 在半导体层上，丝网印刷在半导体层上的电极层和涂覆在电极层上的钝化层。 由此，得到具有顶接触/底栅结构的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：US07829137B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11308387

申请日：2006-03-21

申请人： Wei-Ling Lin ,  Pang Lin ,  Tarng-Shiang Hu ,  Liang-Xiang Chen

发明人： Wei-Ling Lin ,  Pang Lin ,  Tarng-Shiang Hu ,  Liang-Xiang Chen

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： H01L51/0537 ,  C23C24/08 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/316 ,  H01L29/517

摘要： A composition for forming a dielectric layer includes a liquid organometallic compound serving as a precursor with high dielectric constant, a photo-sensitive polymer or a non-photo-sensitive polymer and a solvent, wherein the liquid organometallic compound includes metal alkoxide, and the metal of the metal alkoxide includes Al Ti, Zr, Ta, Si, Ba, Ge and Hf. The dielectric layer formed by the composition includes the photo-sensitive polymer or the non-photo-sensitive polymer and an amorphous metal oxide formed therein.

摘要翻译： 用于形成电介质层的组合物包括作为高介电常数的前体的液体有机金属化合物，光敏聚合物或非感光聚合物和溶剂，其中液体有机金属化合物包括金属醇盐，金属 的金属醇盐包括Al Ti，Zr，Ta，Si，Ba，Ge和Hf。 由该组合物形成的电介质层包括光敏性聚合物或非感光性聚合物和形成于其中的无定形金属氧化物。

公开(公告)号：US06498226B2

公开(公告)日：2002-12-24

申请号：US09848525

申请日：2001-05-03

申请人： Kung-Lung Cheng ,  Shu-Chen Lin ,  Wen-Ling Lui ,  Chih-Hsiang Lin ,  Wei-Ling Lin ,  Woan-Shiow Tzeng

发明人： Kung-Lung Cheng ,  Shu-Chen Lin ,  Wen-Ling Lui ,  Chih-Hsiang Lin ,  Wei-Ling Lin ,  Woan-Shiow Tzeng

IPC分类号： C08G7310

CPC分类号： C08G73/10 ,  G02F1/133723 ,  G03F7/037 ,  G03F7/0387

摘要： This invention provides cycloaliphatic polyimide having the following formula (I): wherein 1 and n are integers from 4 to 7; m is an integer from 0 to 2; p is an integer from 1 to 8; polycyclic aliphatic compound R reprents C1-8 cycloalkyl, cycloalkenyl, cycloalkynyl, norbornenyl, decalinyl, adamantanyl, or cubanyl. That cycloaliphatic polyimide can be a through transparent film, their thermal stability is over 430° C. and dielectric constant is about 2.7.

摘要翻译： 本发明提供具有下式（I）的脂环族聚酰亚胺：其中1和n为4-7的整数; m为0〜2的整数; p是1至8的整数; 多环脂肪族化合物R排斥C 1-8环烷基，环烯基，环炔基，降冰片烯基，十氢化萘基，金刚烷基或十六烷基。 该脂环族聚酰亚胺可以是透明膜，它们的热稳定性高于430℃，介电常数约为2.7。

公开(公告)号：US20100144085A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12694231

申请日：2010-01-26

申请人： Lih-Hsiung Chan ,  Ming-Chun Hsiao ,  Wei-Ling Lin ,  Gary Wei

发明人： Lih-Hsiung Chan ,  Ming-Chun Hsiao ,  Wei-Ling Lin ,  Gary Wei

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/43 ,  H01L51/0097 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/207 ,  H05K2201/0251 ,  H05K2201/026 ,  H05K2203/016

摘要： Substrate structures and fabrication methods thereof. A substrate structure includes a bendable substrate and an inorganic electrode structure on the bendable structure, wherein the inorganic electrode structure includes a conductive layer or a semiconductor layer. The inorganic electrode structure includes carbon nanotubes, carbon nanofibers, a nanolinear material, or a micro-linear material. The bendable substrate includes polyethylene (PE), polyimide (PI), polyvinyl alcohol (PVA), or polymethyl methacrylate (PMMA).

摘要翻译： 基板结构及其制造方法。 基板结构包括可弯曲基板和可弯曲结构上的无机电极结构，其中无机电极结构包括导电层或半导体层。 无机电极结构包括碳纳米管，碳纳米纤维，纳米线材或微线材。 可弯曲基材包括聚乙烯（PE），聚酰亚胺（PI），聚乙烯醇（PVA）或聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。

公开(公告)号：US07679081B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11625791

申请日：2007-01-22

申请人： Lih-Hsiung Chan ,  Ming-Chun Hsiao ,  Wei-Ling Lin ,  Gary Wei

发明人： Lih-Hsiung Chan ,  Ming-Chun Hsiao ,  Wei-Ling Lin ,  Gary Wei

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/43 ,  H01L51/0097 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/207 ,  H05K2201/0251 ,  H05K2201/026 ,  H05K2203/016

摘要： Substrate structures and fabrication methods thereof. A substrate structure includes a bendable substrate and an inorganic electrode structure on the bendable structure, wherein the inorganic electrode structure includes a conductive layer or a semiconductor layer. The inorganic electrode structure includes carbon nanotubes, carbon nanofibers, a nanolinear material, or a micro-linear material. The bendable substrate includes polyethylene (PE), polyimide (PI), polyvinyl alcohol (PVA), or polymethyl methacrylate (PMMA).

摘要翻译： 基板结构及其制造方法。 基板结构包括可弯曲基板和可弯曲结构上的无机电极结构，其中无机电极结构包括导电层或半导体层。 无机电极结构包括碳纳米管，碳纳米纤维，纳米线材或微线材。 可弯曲基材包括聚乙烯（PE），聚酰亚胺（PI），聚乙烯醇（PVA）或聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。

公开(公告)号：US20080054255A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11625791

申请日：2007-01-22

申请人： Lih-Hsiung Chan ,  Ming-Chun Hsiao ,  Wei-Ling Lin ,  Gary Wei

发明人： Lih-Hsiung Chan ,  Ming-Chun Hsiao ,  Wei-Ling Lin ,  Gary Wei

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/43 ,  H01L51/0097 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/207 ,  H05K2201/0251 ,  H05K2201/026 ,  H05K2203/016

摘要： Substrate structures and fabrication methods thereof. A substrate structure includes a bendable substrate and an inorganic electrode structure on the bendable structure, wherein the inorganic electrode structure includes a conductive layer or a semiconductor layer. The inorganic electrode structure includes carbon nanotubes, carbon nanofibers, a nanolinear material, or a micro-linear material. The bendable substrate includes polyethylene (PE), polyimide (PI), polyvinyl alcohol (PVA), or polymethyl methacrylate (PMMA).

摘要翻译： 基板结构及其制造方法。 基板结构包括可弯曲基板和可弯曲结构上的无机电极结构，其中无机电极结构包括导电层或半导体层。 无机电极结构包括碳纳米管，碳纳米纤维，纳米线材或微线材。 可弯曲基材包括聚乙烯（PE），聚酰亚胺（PI），聚乙烯醇（PVA）或聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。

公开(公告)号：US20110001221A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12883185

申请日：2010-09-16

申请人： Wei-Ling Lin ,  Pang LIN ,  Tarng-Shiang Hu ,  Liang-Xiang Chen

发明人： Wei-Ling Lin ,  Pang LIN ,  Tarng-Shiang Hu ,  Liang-Xiang Chen

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L51/0537 ,  C23C24/08 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/316 ,  H01L29/517

摘要： A dielectric layer is provided. The dielectric layer includes a photo-sensitive polymer or a non-photo-sensitive polymer and an amorphous metal oxide disposed in the photo-sensitive polymer or a non-photo-sensitive polymer.

摘要翻译： 提供介电层。 介电层包括光敏聚合物或非感光聚合物和设置在光敏聚合物中的无定形金属氧化物或非感光聚合物。

公开(公告)号：US07495253B2

公开(公告)日：2009-02-24

申请号：US11878907

申请日：2007-07-27

申请人： Liang-Ying Huang ,  Jia-Chong Ho ,  Cheng-Chung Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Wen-Kuei Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Cheng-Chung Hsieh

发明人： Liang-Ying Huang ,  Jia-Chong Ho ,  Cheng-Chung Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Wen-Kuei Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Cheng-Chung Hsieh

IPC分类号： H01L51/10

CPC分类号： H01L51/0022 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558

摘要： An organic thin-film transistor and a method for manufacturing the same are described. The method forms a gate layer on a substrate, an insulator layer on the substrate, forming a semiconductor layer on the insulator layer, and a strip for defining a channel length on the semiconductor layer. An electrode layer is screen printed on the semiconductor layer, and a passivation layer is coated on the electrode layer. The organic thin-film transistor manufactured by the method of the invention has a substrate, a gate layer formed on the substrate, an insulator layer formed on the substrate, a semiconductor layer formed on the insulator layer, a strip for defining a channel length formed on the semiconductor layer, an electrode layer screen-printed on the semiconductor layer, and a passivation layer coated on the electrode layer. Thereby, an organic thin-film transistor with a top-contact/bottom-gate structure is obtained.

摘要翻译： 对有机薄膜晶体管及其制造方法进行说明。 该方法在衬底上形成栅极层，在衬底上形成绝缘体层，在绝缘体层上形成半导体层，以及在半导体层上限定沟道长度的条带。 在半导体层上丝网印刷电极层，在电极层上涂布钝化层。 通过本发明的方法制造的有机薄膜晶体管具有基板，形成在基板上的栅极层，形成在基板上的绝缘体层，形成在绝缘体层上的半导体层，形成用于限定沟道长度的条带 在半导体层上，丝网印刷在半导体层上的电极层和涂覆在电极层上的钝化层。 由此，得到具有顶接触/底栅结构的有机薄膜晶体管。