公开(公告)号：US20100046138A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12344182

申请日：2008-12-24

申请人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

发明人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01G4/008 ,  H01G7/00

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/16 ,  H01L28/60 ,  Y10T29/435

摘要： A semiconductor device and a method of fabricating the same include an electrode having a nickel layer with impurities. The electrode having a nickel layer with impurities can be a gate electrode or a capacitor electrode. The electrode having a nickel layer with impurities may include a combination of a pure nickel layer and a nickel layer with impurities.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法包括具有杂质的镍层的电极。 具有杂质的镍层的电极可以是栅电极或电容电极。 具有带有杂质的镍层的电极可以包括纯镍层和具有杂质的镍层的组合。

公开(公告)号：US20090261454A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12343379

申请日：2008-12-23

申请人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

发明人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/71

CPC分类号： H01L28/65

摘要： A capacitor includes a bottom electrode, a dielectric layer and a top electrode over a substrate. A RuXTiYOZ film is included in at least one of the bottom and top electrodes, where x, y and z are positive real numbers. A method of fabricating the capacitor through a sequential formation of a bottom electrode, a dielectric layer and a top electrode over a substrate includes forming a RuXTiYOZ film during a formation of at least one of the bottom electrode and top electrode, where x, y and z are positive real numbers.

摘要翻译： 电容器包括底部电极，电介质层和衬底上的顶部电极。 至少一个底部电极和顶部电极中包含RuXTiYOZ膜，其中x，y和z为正实数。 通过顺序形成底部电极，电介质层和衬底上的顶部电极来制造电容器的方法包括在形成底部电极和顶部电极中的至少一个时形成RuXTiYOZ膜，其中x，y和 z是正实数。

公开(公告)号：US20130022744A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13612505

申请日：2012-09-12

申请人： Deok-Sin KIL ,  Kee-Jeung LEE ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE ,  Ja-Yong KIM

发明人： Deok-Sin KIL ,  Kee-Jeung LEE ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE ,  Ja-Yong KIM

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76873 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/65

摘要： A noble metal layer is formed using ozone (O3) as a reaction gas.

摘要翻译： 使用臭氧（O 3）作为反应气体形成贵金属层。

公开(公告)号：US20100012989A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12346522

申请日：2008-12-30

申请人： Kee-Jeung LEE ,  Jae-Sung ROH ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

发明人： Kee-Jeung LEE ,  Jae-Sung ROH ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/311 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： A semiconductor device, and a method of fabricating the semiconductor device, which is able to prevent a leaning phenomenon from occurring between the adjacent storage nodes. The method includes forming a plurality of multi-layered pillar type storage nodes each of which is buried in a plurality of mold layers, wherein the uppermost layers of the multi-layered pillar type storage nodes are fixed by a support layer, etching a portion of the support layer to form an opening, and supplying an etch solution through the opening to remove the multiple mold layers. A process of depositing and etching the mold layer by performing the process 2 or more times to form the multi-layered pillar type storage node. Thus, the desired capacitance is sufficiently secured and the leaning phenomenon is avoided between adjacent storage nodes.

摘要翻译： 半导体器件以及制造该半导体器件的方法，其能够防止在相邻存储节点之间发生倾斜现象。 该方法包括：形成多个多层支柱型存储节点，每个堆叠在多个模具层中，其中多层支柱型存储节点的最上层由支撑层固定，蚀刻一部分 所述支撑层形成开口，并且通过所述开口提供蚀刻溶液以移除所述多个模具层。 通过进行2次以上的处理来沉积和蚀刻成形层的工序，形成多层支柱型存储节点。 因此，充分确保期望的电容，并且避免相邻存储节点之间的倾斜现象。

公开(公告)号：US20120147519A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13403541

申请日：2012-02-23

申请人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

发明人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01L23/482

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/16 ,  H01L28/60 ,  Y10T29/435

摘要： A semiconductor device and a method of fabricating the same include an electrode having a nickel layer with impurities. The electrode having a nickel layer with impurities can be a gate electrode or a capacitor electrode. The electrode having a nickel layer with impurities may include a combination of a pure nickel layer and a nickel layer with impurities.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法包括具有杂质的镍层的电极。 具有杂质的镍层的电极可以是栅电极或电容电极。 具有带有杂质的镍层的电极可以包括纯镍层和具有杂质的镍层的组合。

公开(公告)号：US20090273882A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12427117

申请日：2009-04-21

申请人： Kyung-Woong PARK ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Jeong-Yeop LEE

发明人： Kyung-Woong PARK ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Jeong-Yeop LEE

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01G4/008 ,  H01G4/33 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： A capacitor includes a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode. The capacitor also includes a buffer layer formed over at least one of an interface between the first electrode and the dielectric layer and an interface between the dielectric layer and the second electrode, wherein the buffer layer includes a compound of a metal element from electrode materials of one of the first and second electrodes and a metal element from materials included in the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括第一电极，电介质层和第二电极。 电容器还包括在第一电极和电介质层之间的界面中的至少一个上形成的缓冲层以及介电层和第二电极之间的界面，其中缓冲层包括来自电极材料的金属元素的化合物 第一和第二电极中的一个以及包含在电介质层中的材料的金属元件。

公开(公告)号：US20090002917A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11965733

申请日：2007-12-28

申请人： Deok-Sin KIL ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Deok-Sin KIL ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01G9/00

CPC分类号： H01G4/008

摘要： A capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer over the lower electrode, and an upper electrode having a stack structure including a ruthenium-containing layer and a tungsten-containing layer over the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括下电极，在下电极上的电介质层，以及在电介质层上方具有包含含钌层和含钨层的叠层结构的上电极。

公开(公告)号：US20110027465A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12895678

申请日：2010-09-30

申请人： Deok-Sin KIL ,  Kwon Hong ,  Seung-Jin Yeom

发明人： Deok-Sin KIL ,  Kwon Hong ,  Seung-Jin Yeom

IPC分类号： H01G9/00 ,  C23C16/40 ,  H01G9/07

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/40

摘要： Provided is a method for forming a dielectric film in a semiconductor device, wherein the method can improve a dielectric characteristic and a leakage current characteristic. According to specific embodiments of the present invention, the method for forming a dielectric film includes: forming a zirconium dioxide (ZrO2) layer over a wafer in a predetermined thickness that does not allow continuous formation of the ZrO2 layer; and forming an aluminum oxide (Al2O3) layer over portions of the wafer where the ZrO2 layer is not formed, in a predetermined thickness that does not allow continuous formation of the Al2O3 layer.

摘要翻译： 提供一种在半导体器件中形成电介质膜的方法，其中该方法可以改善介电特性和漏电流特性。 根据本发明的具体实施方案，形成电介质膜的方法包括：在不允许连续形成ZrO 2层的预定厚度的晶片上形成二氧化锆（ZrO 2）层; 并且在没有形成ZrO 2层的晶片的部分上形成氧化铝（Al 2 O 3）层，其厚度不能连续地形成Al 2 O 3层。