公开(公告)号：US09577043B2

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：US14826174

申请日：2015-08-13

申请人： Jongryeol Yoo ,  Hyun Jung Lee ,  Sunjung Kim ,  Seung Hun Lee ,  Eunhye Choi

发明人： Jongryeol Yoo ,  Hyun Jung Lee ,  Sunjung Kim ,  Seung Hun Lee ,  Eunhye Choi

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7849

摘要： A semiconductor device includes a buffer layer on a semiconductor substrate including first and second regions, a first channel layer on the buffer layer of the first region, a second channel layer on the buffer layer of the second region, and a spacer layer between the second channel layer and the buffer layer. The buffer layer, the first and second channel layers, and the spacer layer are formed of semiconductor materials including germanium. A germanium concentration difference between the first and second channel layers is greater than a germanium concentration difference between the buffer layer and the second channel layer. The spacer layer has a germanium concentration gradient.

摘要翻译： 半导体器件包括在半导体衬底上的包括第一和第二区域的缓冲层，第一区域的缓冲层上的第一沟道层，第二区域的缓冲层上的第二沟道层以及第二区域之间的间隔层 通道层和缓冲层。 缓冲层，第一和第二沟道层以及间隔层由包括锗的半导体材料形成。 第一和第二沟道层之间的锗浓度差大于缓冲层和第二沟道层之间的锗浓度差。 间隔层具有锗浓度梯度。

公开(公告)号：US20160218181A1

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：US14968049

申请日：2015-12-14

申请人： Moon Seung Yang ,  Eun Hye Choi ,  Sun Jung Kim ,  Seung Hun Lee ,  Hyun-Jung Lee

发明人： Moon Seung Yang ,  Eun Hye Choi ,  Sun Jung Kim ,  Seung Hun Lee ,  Hyun-Jung Lee

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor substrate and a semiconductor device are provided. The semiconductor substrate includes a base substrate, a first silicon germanium layer on the base substrate and a second silicon germanium layer on the first silicon germanium layer. A germanium fraction of the second silicon germanium layer decreases in the direction away from the base substrate, and a germanium fraction of a lowermost part of the second silicon germanium layer is greater than a germanium fraction of an uppermost part of the first silicon germanium layer.

摘要翻译： 提供半导体衬底和半导体器件。 半导体衬底包括基底衬底，在基底衬底上的第一硅锗层和第一硅锗层上的第二硅锗层。 第二硅锗层的锗部分在远离基底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下部分的锗部分大于第一硅锗层的最上部的锗部分。

公开(公告)号：US09818824B2

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：US14968049

申请日：2015-12-14

申请人： Moon Seung Yang ,  Eun Hye Choi ,  Sun Jung Kim ,  Seung Hun Lee ,  Hyun-Jung Lee

发明人： Moon Seung Yang ,  Eun Hye Choi ,  Sun Jung Kim ,  Seung Hun Lee ,  Hyun-Jung Lee

IPC分类号： H01L29/161 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor substrate and a semiconductor device are provided. The semiconductor substrate includes a base substrate, a first silicon germanium layer on the base substrate and a second silicon germanium layer on the first silicon germanium layer. A germanium fraction of the second silicon germanium layer decreases in the direction away from the base substrate, and a germanium fraction of a lowermost part of the second silicon germanium layer is greater than a germanium fraction of an uppermost part of the first silicon germanium layer.

公开(公告)号：US20120329252A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13529564

申请日：2012-06-21

申请人： WonSeok Yoo ,  Nam-Kyu Kim ,  Bonghyun Kim ,  Seung Hun Lee ,  Heedon Hwang

发明人： WonSeok Yoo ,  Nam-Kyu Kim ,  Bonghyun Kim ,  Seung Hun Lee ,  Heedon Hwang

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66636

摘要： A semiconductor device may include a semiconductor substrate with an active region, a gate line disposed on the active region, an epitaxial pattern disposed on the semiconductor substrate beside the gate line, the epitaxial pattern including a semiconductor material different from the semiconductor substrate, and a capping pattern disposed on the epitaxial pattern. The capping pattern may improve contact with contact plug and may reduce variation in mean ion depths of an associated field effect transistor.

摘要翻译： 半导体器件可以包括具有有源区的半导体衬底，设置在有源区上的栅极线，设置在栅极线旁边的半导体衬底上的外延图案，该外延图案包括不同于半导体衬底的半导体材料，以及 设置在外延图案上的封盖图案。 封盖图案可以改善与接触塞的接触，并且可以减小相关的场效应晶体管的平均离子深度的变化。

公开(公告)号：US20100194712A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12566411

申请日：2009-09-24

申请人： Keon Joon Ahn ,  Jae Dong Kim ,  Jong Uk Kim ,  Sang IL Park ,  Seung Hun Lee ,  Hyun Youl Lee

发明人： Keon Joon Ahn ,  Jae Dong Kim ,  Jong Uk Kim ,  Sang IL Park ,  Seung Hun Lee ,  Hyun Youl Lee

IPC分类号： G06F3/042

CPC分类号： H03K17/9631 ,  G06F3/042 ,  H03K2217/96042

摘要： Disclosed herein is an optical pointing device as a user interface for electronic devices such as communication terminals and the like. The optical pointing device includes a light receiving part, an optical unit transferring light to the light receiving part and including a reflection part disposed in an optical path, a frame body integrally formed with the reflection part to support the reflection part, a cover covering the frame body and having an interface surface, and a light source illuminating the cover. The optical pointing device reduces the number of components and permits convenient and easy assembly, thereby significantly improving productivity while reducing assembly defect.

摘要翻译： 这里公开了作为用于诸如通信终端等的电子设备的用户界面的光学指向设备。 光学指向装置包括光接收部分，光学单元，其将光传输到光接收部分并且包括设置在光路中的反射部分，与反射部分一体地形成以支撑反射部分的框体，覆盖 框体并具有界面，以及照明该盖的光源。 光学指向装置减少了部件的数量并且允许方便和容易的组装，从而显着地提高生产率，同时减少组装缺陷。

公开(公告)号：US07480194B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11610212

申请日：2006-12-13

申请人： Seung Hun Lee

发明人： Seung Hun Lee

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C7/02 ,  G11C5/04 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1069 ,  G11C11/4093

摘要： A data I/O apparatus for use in a memory device. The data I/O apparatus for use in the memory device performs data transmission using the same polarity when neighbor global I/O lines have opposite polarities to reduce coupling noise generated between global I/O lines acting as data I/O lines of a memory device, performs data recovery, and basically deletes the coupling noise, such that it reduces the failure rate of the memory device.

摘要翻译： 一种用于存储装置的数据I / O装置。 当相邻全局I / O线具有相反的极性时，用于存储装置的数据I / O装置使用相同的极性执行数据传输，以减少作为充当存储器的数据I / O线的全局I / O线之间产生的耦合噪声 设备，执行数据恢复，并基本上删除耦合噪声，从而降低存储器件的故障率。

公开(公告)号：US20130295348A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13979312

申请日：2012-01-11

申请人： Dong Sik Jang ,  Seung Hun Lee

发明人： Dong Sik Jang ,  Seung Hun Lee

IPC分类号： B32B15/04

CPC分类号： B32B15/04 ,  B41M5/38214 ,  B41M2205/30 ,  B41M2205/38 ,  B44C1/1704 ,  B44C1/1712 ,  B44C1/1716 ,  B44C1/1729 ,  Y10T428/24851

摘要： Disclosed is a transfer film which is transferred to an injection molding product. The transfer film includes a protective layer a printing layer which is stacked on the protective layer; a metal deposition layer which is deposited on the printing layer so as to have an island structure and thus to provide non-conductive property; and adhesive layer which is deposited on the metal deposition layer, thereby providing metal color and non-conductive property.

摘要翻译： 公开了转移到注射成型产品的转移膜。 转印膜包括保护层，层叠在保护层上的印刷层; 金属沉积层，其沉积在印刷层上以具有岛状结构，从而提供非导电性; 以及沉积在金属沉积层上的粘合剂层，从而提供金属颜色和非导电性。

公开(公告)号：US20130036970A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13641694

申请日：2011-04-14

申请人： Sun Hong Choi ,  Kwang Man Ko ,  Seung Hun Lee ,  Seung Ho Lee ,  Ho Chul Lee

发明人： Sun Hong Choi ,  Kwang Man Ko ,  Seung Hun Lee ,  Seung Ho Lee ,  Ho Chul Lee

IPC分类号： B05C13/00

CPC分类号： H01L21/6719 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： A substrate processing apparatus for deposition on a water seated therein is disclosed. The substrate processing apparatus includes a chamber having a reaction space, a lid provided on the chamber to selectively open or close the reaction space, a main disc accommodated in the chamber, on which at least one wafer is placed, and a drive device including a drive shaft to selectively rotate the main disc and a drive unit to drive the drive shaft. The drive shaft is separably coupled to the main disc to transmit drive force. When the lid is opened to expose the reaction space, the main disc is separated from the drive shaft and is discharged to the outside of the chamber in a state in which the wafer is placed thereon.

摘要翻译： 公开了一种用于沉积在其上的水上的基板处理装置。 基板处理装置包括具有反应空间的室，设置在室上的盖，以选择性地打开或关闭反应空间;容纳在室中的主盘，其上放置至少一个晶片;以及驱动装置， 驱动轴以选择性地旋转主盘和驱动单元以驱动驱动轴。 驱动轴可分离地联接到主盘以传递驱动力。 当盖打开以暴露反应空间时，主盘与驱动轴分离，并且在晶片被放置在其上的状态下被排出到室外。

公开(公告)号：US07615338B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11298385

申请日：2005-12-08

申请人： Geun Su Lee ,  Seung Chan Moon ,  Seung Hun Lee

发明人： Geun Su Lee ,  Seung Chan Moon ,  Seung Hun Lee

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03F7/26 ,  G03F7/36

CPC分类号： G03F7/40

摘要： A photoresist coating composition that includes a compound represented by Formula 1 and an aqueous solvent, and a method for forming a fine pattern by coating the composition on a photoresist pattern to effectively reduce a size of a photoresist contact hole and a space, which can be applied to all semiconductor processes.

摘要翻译： 包括由式1表示的化合物和水性溶剂的光致抗蚀剂涂料组合物，以及通过在光致抗蚀剂图案上涂覆该组合物以有效地减小光致抗蚀剂接触孔的尺寸和空间来形成精细图案的方法，其可以是 适用于所有半导体工艺。

公开(公告)号：US07161847B2

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：US11030784

申请日：2005-01-07

申请人： Seung Hun Lee

发明人： Seung Hun Lee

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C7/02 ,  G11C5/04 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1069 ,  G11C11/4093

摘要： A data I/O apparatus for use in a memory device. The data I/O apparatus for use in the memory device performs data transmission using the same polarity when neighbor global I/O lines have opposite polarities to reduce coupling noise generated between global I/O lines acting as data I/O lines of a memory device, performs data recovery, and basically deletes the coupling noise, such that it reduces the failure rate of the memory device.

摘要翻译： 一种用于存储装置的数据I / O装置。 当相邻全局I / O线具有相反的极性时，用于存储装置的数据I / O装置使用相同的极性执行数据传输，以减少作为充当存储器的数据I / O线的全局I / O线之间产生的耦合噪声 设备，执行数据恢复，并基本上删除耦合噪声，从而降低存储器件的故障率。