公开(公告)号：US07687228B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US12071804

申请日：2008-02-26

申请人： Jun Hatakeyama ,  Kazumi Noda ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara

发明人： Jun Hatakeyama ,  Kazumi Noda ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  C08F20/24

CPC分类号： G03F7/091

摘要： An antireflection film composition, wherein an etching speed is fast, thus, when used as a resist lower layer, a film loss of a resist pattern and deformation of the pattern during etching can be minimized, and because of a high crosslinking density, a dense film can be formed after thermal crosslinking, thus, mixing with an upper layer resist can be prevented and the resist pattern after development is good is provided. The antireflection film composition comprising; at least a polymer having a repeating unit represented by the following general formula (I).

摘要翻译： 一种防反射膜组合物，其中蚀刻速度快，因此，当用作抗蚀剂下层时，抗蚀剂图案的膜损失和蚀刻期间图案的变形可以最小化，并且由于交联密度高，致密的 可以在热交联后形成膜，因此可以防止与上层抗蚀剂的混合，显影后的抗蚀剂图案良好。 该防反射膜组合物包含： 至少一种具有由以下通式（I）表示的重复单元的聚合物。

公开(公告)号：US08288072B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12071806

申请日：2008-02-26

申请人： Jun Hatakeyama ,  Kazumi Noda ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara

发明人： Jun Hatakeyama ,  Kazumi Noda ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara

IPC分类号： G03F7/004

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0046

摘要： A resist lower layer film composition, wherein an etching speed is fast, thus an etching time period can be shortened to minimize a film thickness loss of a resist pattern and a deformation of the pattern during etching, therefore, a pattern can be transferred with high accuracy and an excellent pattern can be formed on a substrate is provided.The resist lower layer film composition comprising at least a polymer having a repeating unit represented by the following general formula (1).

摘要翻译： 一种抗蚀剂下层膜组合物，其中蚀刻速度快，因此可以缩短蚀刻时间周期，以最小化抗蚀剂图案的膜厚度损失和蚀刻期间图案的变形，因此，图案可以高转印 可以在基板上形成精度和极好的图案。 所述抗蚀剂下层膜组合物至少含有具有下述通式（1）表示的重复单元的聚合物。

公开(公告)号：US20080220381A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US12071804

申请日：2008-02-26

申请人： Jun Hatakeyama ,  Kazumi Noda ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara

发明人： Jun Hatakeyama ,  Kazumi Noda ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F5/00

CPC分类号： G03F7/091

摘要： An antireflection film composition, wherein an etching speed is fast, thus, when used as a resist lower layer, a film loss of a resist pattern and deformation of the pattern during etching can be minimized, and because of a high crosslinking density, a dense film can be formed after thermal crosslinking, thus, mixing with an upper layer resist can be prevented and the resist pattern after development is good is provided.The antireflection film composition comprising; at least a polymer having a repeating unit represented by the following general formula (1).

摘要翻译： 一种防反射膜组合物，其中蚀刻速度快，因此，当用作抗蚀剂下层时，抗蚀剂图案的膜损失和蚀刻期间图案的变形可以最小化，并且由于交联密度高，致密的 可以在热交联后形成膜，因此可以防止与上层抗蚀剂的混合，显影后的抗蚀剂图案良好。 该防反射膜组合物包含： 至少一种具有由以下通式（1）表示的重复单元的聚合物。

公开(公告)号：US20080227037A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12071806

申请日：2008-02-26

申请人： Jun Hatakeyama ,  Kazumi Noda ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara

发明人： Jun Hatakeyama ,  Kazumi Noda ,  Seiichiro Tachibana ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F5/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0046

摘要： A resist lower layer film composition, wherein an etching speed is fast, thus an etching time period can be shortened to minimize a film thickness loss of a resist pattern and a deformation of the pattern during etching, therefore, a pattern can be transferred with high accuracy and an excellent pattern can be formed on a substrate is provided.The resist lower layer film composition comprising at least a polymer having a repeating unit represented by the following general formula (1).

摘要翻译： 一种抗蚀剂下层膜组合物，其中蚀刻速度快，因此可以缩短蚀刻时间周期，以最小化抗蚀剂图案的膜厚度损失和蚀刻期间图案的变形，因此，图案可以高转印 可以在基板上形成精度和极好的图案。 所述抗蚀剂下层膜组合物至少含有具有下述通式（1）表示的重复单元的聚合物。

公开(公告)号：US08835092B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13015094

申请日：2011-01-27

申请人： Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara ,  Katsuya Takemura ,  Toshihiko Fujii ,  Daisuke Kori

发明人： Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara ,  Katsuya Takemura ,  Toshihiko Fujii ,  Daisuke Kori

IPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  G03F7/09 ,  C07C69/753 ,  C08L61/06

CPC分类号： C07C69/753 ,  C07C2604/00 ,  C08L61/06 ,  G03F7/094 ,  G03F7/40

摘要： There is disclosed a resist underlayer film composition of a multilayer resist film used in lithography including (A) a fullerene derivative having a carboxyl group protected by a thermally labile group and (B) an organic solvent. There can be a resist underlayer film composition of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer in which generation of wiggling in substrate etching can be highly suppressed and the poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist can be avoided, a process for forming the resist underlayer film, a patterning process and a fullerene derivative.

摘要翻译： 公开了用于光刻的多层抗蚀剂膜的抗蚀剂下层膜组合物，其包含（A）具有由热不稳定基团保护的羧基的富勒烯衍生物和（B）有机溶剂。 可以存在用于形成抗蚀剂底层的光刻用的多层抗蚀剂膜的抗蚀剂下层膜组合物，其中可以高度抑制基板蚀刻中的摆动的产生，并且可以使用化学放大抗蚀剂形成上层图案的中毒问题 避免形成抗蚀剂下层膜的方法，图案化工艺和富勒烯衍生物。

公开(公告)号：US5665271A

公开(公告)日：1997-09-09

申请号：US598595

申请日：1996-02-12

申请人： Tsutomu Ogihara ,  Takaaki Shimizu ,  Takeshi Kinsho ,  Tatsushi Kaneko ,  Kazuyuki Asakura ,  Mutsuo Nakashima

发明人： Tsutomu Ogihara ,  Takaaki Shimizu ,  Takeshi Kinsho ,  Tatsushi Kaneko ,  Kazuyuki Asakura ,  Mutsuo Nakashima

IPC分类号： C07F7/08 ,  C07F7/12 ,  C09K19/40 ,  C09K19/34

CPC分类号： C07F7/12 ,  C07F7/0818 ,  C07F7/0896 ,  C09K19/406

摘要： Silacyclohexane compounds of the following formula (I) or (II) along with intermediate compounds therefor are described ##STR1## wherein R is an organic residue, one of ##STR2## represents a trans-1-sila-1,4-cyclohexylene group or trans-4-sila-1,4-cyclohexylene group having a substituent of H, F, Cl or CH.sub.3, and the other represents a trans-1,4-cyclohexylene group, or such a trans-1-sila-1,4-cyclohexylene group or trans-4-sila-1,4-cyclohexylene group as defined above, n is 0 or 1, L.sub.1 represents H or F, L.sub.2 represents H, F or Cl, and Z represents CN, F, Cl or an organic residue, and ##STR3## The processes for preparing the compounds (I) and (II) are also described along with liquid crystal compositions comprising the compounds and the liquid crystal devices comprising the compositions.

摘要翻译： 描述下式（I）或（II）的硅环己烷化合物及其中间体化合物描述：其中R是有机残基，其中一个表示反式-1-硅烷-1,4-二醇， 具有H，F，Cl或CH 3的取代基的亚环己基或反式-4-硅烷-1,4-亚环己基，另一个表示反式-1,4-亚环己基或反式-1-硅烷基， 1,4-亚环己基或反式-4-硅烷-1,4-亚环己基，n为0或1，L 1表示H或F，L 2表示H，F或Cl，Z表示CN，F， Cl或有机残基，以及包含化合物的液晶组合物和包含该组合物的液晶装置也描述了（I）和（II）。

公开(公告)号：US5659059A

公开(公告)日：1997-08-19

申请号：US331957

申请日：1994-10-31

申请人： Tsutomu Ogihara ,  Takaaki Shimizu ,  Takeshi Kinsho ,  Tatsushi Kaneko ,  Ryuichi Saito ,  Hideshi Kurihara

发明人： Tsutomu Ogihara ,  Takaaki Shimizu ,  Takeshi Kinsho ,  Tatsushi Kaneko ,  Ryuichi Saito ,  Hideshi Kurihara

IPC分类号： C07F7/08 ,  C07F7/12 ,  C09K19/40

CPC分类号： C07F7/0818 ,  C07F7/0896 ,  C07F7/12 ,  C09K19/406

摘要： A silacyclohexane compound represented by the following general formula (I). ##STR1## In this formula, R denotes a linear-chain alkyl group with a carbon number of 1-10, a mono- or di- fluoro-alkyl group with a carbon number of 1-10, a branched-chain alkyl group with a carbon number of 3-8, an alkoxyalkyl group with a carbon number of 2-7, or an alkenyl group with a carbon number of 2-8. ##STR2## denotes trans-1-sila-1,4-cyclohexylene or trans-4-sila-1,4-cyclohexylene group whose silicon at position 1 or position 4 has a substitutional group(s) of H, F, Cl or CH.sub.3. X denotes a CN, F, Cl, CF.sub.3, CF.sub.2 Cl, CHFCl, OCF.sub.3, OCHF.sub.2, OCF.sub.2 Cl, OCHFCl, R or OR group (R is the same as defined in the general formula (I)). Y.sub.2 and Z denote H or F, independently to each other. Y.sub.1 denotes H, F or Cl.

摘要翻译： 由以下通式（I）表示的硅环己烷化合物。 （I）在该式中，R表示碳数为1-10的直链烷基，碳数为1〜10的单 - 或二 - 氟 - 烷基，支链 碳数为3-8的烷基，碳数为2-7的烷氧基烷基或碳数为2-8的烯基。 或其中位置1或位置4的硅具有H，F，Cl或CH 3的取代基的反式-4-硅烷-1,4-亚环己基。 X表示CN，F，Cl，CF 3，CF 2 Cl，CHFCl，OCF 3，OCHF 2，OCF 2 Cl，OCHFCl，R或OR基团（R与通式（I）中定义的相同）。 Y2和Z彼此独立地表示H或F。 Y1表示H，F或Cl。

公开(公告)号：US5573705A

公开(公告)日：1996-11-12

申请号：US362964

申请日：1994-12-23

申请人： Tatsushi Kaneko ,  Takeshi Kinsho ,  Takaaki Shimizu ,  Tsutomu Ogihara ,  Ryuichi Saito ,  Hideshi Kurihara

发明人： Tatsushi Kaneko ,  Takeshi Kinsho ,  Takaaki Shimizu ,  Tsutomu Ogihara ,  Ryuichi Saito ,  Hideshi Kurihara

IPC分类号： C07F7/08 ,  C09K19/40 ,  C09K19/34

CPC分类号： C07F7/0818 ,  C07F7/0896 ,  C09K19/406

摘要： A liquid crystal composition comprising a silacyclohexane compound represented by the following formula (I): ##STR1## wherein R and R' denote an alkyl group, a mono- or di-fluoroalkyl group, an alkoxyalkyl group or an alkenyl group; at least one of ##STR2## denotes a silacyclohexylene group whose silicon at positions 1 or 4 has a substitutional group of H, F, Cl of CH.sub.3, and the other denotes a silacyclohexylene group whose silicon at positions 1 or 4 has a substitutional group of H, F, Cl or CH.sub.3 or a cyclohexylene group; and 0-2 of the substitutional groups X on the aromatic rings denote F and the remaining X's denote H.

摘要翻译： 一种液晶组合物，其包含由下式（I）表示的硅环己烷化合物：其中R和R'表示烷基，单或二氟烷基，烷氧基烷基或烯基; 和中的至少一个表示其中位置1或4的硅具有H，F，CH 3的取代基的硅环亚己基，另一个表示其1或4位的硅具有的硅环亚己基 H，F，Cl或CH 3或亚环己基的取代基; 芳环上的取代基X的0-2表示F，其余的X表示H.

公开(公告)号：US5547606A

公开(公告)日：1996-08-20

申请号：US322549

申请日：1994-10-13

申请人： Takeshi Kinsho ,  Tatsushi Kaneko ,  Takaaki Shimizu ,  Tsutomu Ogihara ,  Ryuichi Saito ,  Hideshi Kurihara

发明人： Takeshi Kinsho ,  Tatsushi Kaneko ,  Takaaki Shimizu ,  Tsutomu Ogihara ,  Ryuichi Saito ,  Hideshi Kurihara

IPC分类号： C07F7/08 ,  C07F7/12 ,  C09K19/40 ,  C09K19/34 ,  C09K19/30 ,  G02F1/13

CPC分类号： C07F7/0818 ,  C07F7/0896 ,  C07F7/12 ,  C09K19/406

摘要： A silacyclohexane compound represented by the following general formula (I). ##STR1## In this formula, R denotes hydrogen, a linear-chain alkyl group with a carbon number of 1-10, a branched-chain alkyl group with a carbon number of 3-8, an alkoxyalkyl group with a carbon number of 2-7, a fluoroalkyl group with a carbon number of 1-10 in which one or two hydrogen atoms are substituted by florine atom(s), or an alkenyl group with a carbon number of 2-8. For the groups ##STR2## at least one of these is a trans-1-sila-1,4-cyclohexylene or trans-4-sila-1,4-cyclohexylene group whose silicon at position 1 or position 4 has a substitutional group(s) of H, F, Cl or CH.sub.3, and the other denotes a trans-1,4-cyclohexylene group. X denotes a CN, F, Cl, CF.sub.3, CF.sub.2 Cl, CHFCl, OCF.sub.3, OCHF.sub.2, OCF.sub.2 Cl, OCHFCl, R or OR group (R is the same as defined earlier). Y denotes H or F. Z denotes H or F.

摘要翻译： 由以下通式（I）表示的硅环己烷化合物。 （I）在该式中，R表示氢，碳数为1〜10的直链烷基，碳数为3〜8的支链烷基，碳数为烷氧基烷基 数为2-7，碳数为1-10的氟代烷基，其中一个或两个氢原子被氟原子取代，或碳数为2-8的烯基。 对于组，其中至少一个是位于1或4位的硅具有取代基的反式-1-硅烷-1,4-亚环己基或反式-4-硅烷-1,4-亚环己基， s）H，F，Cl或CH 3，另一个表示反式-1,4-亚环己基。 X表示CN，F，Cl，CF 3，CF 2 Cl，CHFCl，OCF 3，OCHF 2，OCF 2 Cl，OCHFCl，R或OR基团（R与前述相同）。 Y表示H或F.Z表示H或F.

公开(公告)号：US08853031B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13313650

申请日：2011-12-07

申请人： Tsutomu Ogihara ,  Daisuke Kori ,  Yusuke Biyajima ,  Takeru Watanabe ,  Toshihiko Fujii ,  Takeshi Kinsho

发明人： Tsutomu Ogihara ,  Daisuke Kori ,  Yusuke Biyajima ,  Takeru Watanabe ,  Toshihiko Fujii ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： H01L21/336 ,  C08G10/02 ,  G03F7/09

CPC分类号： C08G10/02 ,  G03F7/094

摘要： There is disclosed a resist underlayer film composition, wherein the composition contains a polymer obtained by condensation of, at least, one or more compounds represented by the following general formulae (1-1) and/or (1-2), and one or more kinds of compounds, represented by the following general formulae (2-1) and/or (2-2), and/or equivalent bodies thereof. There can be provided an underlayer film composition, especially for a trilayer resist process, that can form an underlayer film having reduced reflectance, (namely, an underlayer film having optimum n-value and k-value as an antireflective film), excellent filling-up properties, high pattern-antibending properties, and not causing line fall or wiggling after etching especially in a high aspect line that is thinner than 60 nm, and a patterning process using the same.

摘要翻译： 公开了一种抗蚀剂下层膜组合物，其中组合物含有通过至少一种或多种由以下通式（1-1）和/或（1-2）表示的化合物的缩合得到的聚合物，以及一种或 更多种由以下通式（2-1）和/或（2-2）表示的化合物和/或其等价物。 可以提供能够形成具有降低的反射率的下层膜（即，具有最佳n值和k值作为抗反射膜的下层膜）的三层抗蚀剂工艺的下层膜组合物， 特别是在60nm以上的高方位线上，特别是在蚀刻后，不会引起线下落或翘曲，以及使用其的图案化处理。