公开(公告)号：US20090137122A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12234199

申请日：2008-09-19

申请人： Jun Liu ,  Mackenzie King ,  Michael S. Darsillo ,  Karl E. Boggs ,  Jeffrey F. Roeder ,  Peter Wrschka ,  Thomas H. Baum

发明人： Jun Liu ,  Mackenzie King ,  Michael S. Darsillo ,  Karl E. Boggs ,  Jeffrey F. Roeder ,  Peter Wrschka ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： C23F3/06 ,  C09G1/02 ,  C23F3/00 ,  C23F11/141 ,  H01L21/3212

摘要： A method of passivating a CMP composition by dilution and determining the relationship between the extent of dilution and the static etch rate of copper. Such relationship may be used to control the CMP composition during the CMP polish to minimize the occurrence of dishing or other adverse planarization deficiencies in the polished copper, even in the presence of substantial levels of copper ions in the CMP composition and at the copper/CMP composition interface.

摘要翻译： 通过稀释钝化CMP组合物并确定稀释程度与铜的静态蚀刻速率之间的关系的方法。 这种关系可以用于在CMP抛光期间控制CMP组成，以尽量减少抛光铜中的凹陷或其他不利平面化缺陷的发生，即使在CMP组合物中和在铜/ CMP处存在大量的铜离子 组合界面。

公开(公告)号：US08236695B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12234199

申请日：2008-09-19

申请人： Jun Liu ,  Mackenzie King ,  Michael S. Darsillo ,  Karl E. Boggs ,  Jeffrey F. Roeder ,  Peter Wrschka ,  Thomas H. Baum

发明人： Jun Liu ,  Mackenzie King ,  Michael S. Darsillo ,  Karl E. Boggs ,  Jeffrey F. Roeder ,  Peter Wrschka ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/302 ,  B44C1/22

CPC分类号： C23F3/06 ,  C09G1/02 ,  C23F3/00 ,  C23F11/141 ,  H01L21/3212

摘要： A method of passivating a CMP composition by dilution and determining the relationship between the extent of dilution and the static etch rate of copper. Such relationship may be used to control the CMP composition during the CMP polish to minimize the occurrence of dishing or other adverse planarization deficiencies in the polished copper, even in the presence of substantial levels of copper ions in the CMP composition and at the copper/CMP composition interface.

摘要翻译： 通过稀释钝化CMP组合物并确定稀释程度与铜的静态蚀刻速率之间的关系的方法。 这种关系可以用于在CMP抛光期间控制CMP组成，以尽量减少抛光铜中的凹陷或其他不利平面化缺陷的发生，即使在CMP组合物中和在铜/ CMP处存在大量的铜离子 组合界面。

公开(公告)号：US07361603B2

公开(公告)日：2008-04-22

申请号：US11117274

申请日：2005-04-28

申请人： Jun Liu ,  Mackenzie King ,  Michael Darsillo ,  Karl E. Boggs ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Jun Liu ,  Mackenzie King ,  Michael Darsillo ,  Karl E. Boggs ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23F3/06 ,  C09G1/02 ,  C23F3/00 ,  C23F11/141 ,  H01L21/3212

摘要： A CMP composition containing 5-aminotetrazole, e.g., in combination with oxidizing agent, chelating agent, abrasive and solvent and a method of use. Such CMP composition may be diluted during the CMP polish to minimize the occurrence of dishing or other adverse planarization deficiencies in the polished copper, even in the presence of substantial levels of copper ions in the CMP composition and at the copper/CMP composition interface during CMP processing.

摘要翻译： 含有5-氨基四唑的CMP组合物，例如与氧化剂，螯合剂，研磨剂和溶剂的组合以及使用方法。 在CMP抛光期间可以稀释这种CMP组合物，以尽量减少抛光铜中的凹陷或其他不利平面化缺陷的发生，即使在CMP组合物中以及在CMP期间的铜/ CMP组成界面处存在大量水平的铜离子 处理。

公开(公告)号：US20100087065A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12525325

申请日：2008-01-31

申请人： Karl E. Boggs ,  Jeffrey Giles ,  Michael S. Darsillo ,  Melissa A. Petruska ,  Peter Wrschka

发明人： Karl E. Boggs ,  Jeffrey Giles ,  Michael S. Darsillo ,  Melissa A. Petruska ,  Peter Wrschka

IPC分类号： C09K13/00 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： Chemical mechanical polishing (CMP) compositions and single CMP platen process for the removal of copper and barrier layer material from a microelectronic device substrate having same thereon. The process includes the in situ transformation of a copper removal CMP composition, which is used to selectively remove and planarize copper, into a barrier removal CMP composition, which is used to selectively remove barrier layer material, on a single CMP platen pad.

摘要翻译： 化学机械抛光（CMP）组合物和用于从其上具有其的微电子器件衬底去除铜和阻挡层材料的单CMP压板工艺。 该方法包括将铜去除CMP组合物原位转化成单层CMP压板用于选择性去除阻挡层材料的屏障去除CMP组合物，其用于选择性地去除和平坦化铜。

公开(公告)号：US08304344B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12026414

申请日：2008-02-05

申请人： Karl E. Boggs ,  Michael S. Darsillo ,  Peter Wrschka ,  James Welch

发明人： Karl E. Boggs ,  Michael S. Darsillo ,  Peter Wrschka ,  James Welch

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  H01L21/3212

摘要： A chemical mechanical polishing process including a single copper removal CMP slurry formulation for planarization of a microelectronic device structure preferably having copper deposited thereon. The process includes the bulk removal of a copper layer using a first CMP slurry formulation having oxidizing agent, passivating agent, abrasive and solvent, and the soft polishing and over-polishing of the microelectronic device structure using a formulation including the first CMP slurry formulation and at least one additional additive. The CMP process described herein provides a high copper removal rate, a comparatively low barrier material removal rate, appropriate material selectivity ranges to minimize copper dishing at the onset of barrier material exposure, and good planarization efficiency.

摘要翻译： 化学机械抛光方法，其包括用于平坦化微电子器件结构的单一铜去除CMP浆料制剂，优选在其上沉积铜。 该方法包括使用具有氧化剂，钝化剂，研磨剂和溶剂的第一CMP浆料制剂以及使用包括第一CMP浆料配方的制剂对微电子器件结构进行软抛光和过度抛光的铜层的大量去除， 至少一种附加添加剂。 本文所述的CMP方法提供了高的铜去除速率，较低的屏障材料去除速率，适当的材料选择性范围，以使阻挡材料暴露开始时的铜凹陷最小化以及良好的平坦化效率。

公开(公告)号：US20090215269A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US11916727

申请日：2006-06-06

申请人： Karl E. Boggs ,  Michael S. Darsillo ,  Peter Wrschka ,  James Welch ,  Jeffrey Giles ,  Michele Stawasz

发明人： Karl E. Boggs ,  Michael S. Darsillo ,  Peter Wrschka ,  James Welch ,  Jeffrey Giles ,  Michele Stawasz

IPC分类号： H01L21/306 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1472 ,  H01L21/3212

摘要： Chemical mechanical polishing (CMP) compositions and single CMP platen process for the removal of copper and barrier layer material from a microelectronic device substrate having same thereon. The process includes the in situ transformation of a Step I slurry formulation, which is used to selectively remove and planarize copper, into a Step II slurry formulation, which is used to selectively remove barrier layer material, on a single CMP platen pad.

摘要翻译： 化学机械抛光（CMP）组合物和用于从其上具有其的微电子器件衬底去除铜和阻挡层材料的单CMP压板工艺。 该方法包括将用于选择性地将铜去除和平面化的步骤I浆料制剂原位转化成用于在单个CMP压板垫上选择性除去阻挡层材料的步骤II浆料制剂。

公开(公告)号：US20080254628A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US12026414

申请日：2008-02-05

申请人： Karl E. Boggs ,  Michael S. Darsillo ,  Peter Wrschka ,  James Welch

发明人： Karl E. Boggs ,  Michael S. Darsillo ,  Peter Wrschka ,  James Welch

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  H01L21/3212

摘要： A chemical mechanical polishing process including a single copper removal CMP slurry formulation for planarization of a microelectronic device structure preferably having copper deposited thereon. The process includes the bulk removal of a copper layer using a first CMP slurry formulation having oxidizing agent, passivating agent, abrasive and solvent, and the soft polishing and over-polishing of the microelectronic device structure using a formulation including the first CMP slurry formulation and at least one additional additive. The CMP process described herein provides a high copper removal rate, a comparatively low barrier material removal rate, appropriate material selectivity ranges to minimize copper dishing at the onset of barrier material exposure, and good planarization efficiency.

摘要翻译： 化学机械抛光方法，其包括用于平坦化微电子器件结构的单一铜去除CMP浆料制剂，优选在其上沉积铜。 该方法包括使用具有氧化剂，钝化剂，研磨剂和溶剂的第一CMP浆料制剂以及使用包括第一CMP浆料配方的制剂对微电子器件结构进行软抛光和过度抛光的铜层的大量去除， 至少一种附加添加剂。 本文所述的CMP方法提供了高的铜去除速率，较低的屏障材料去除速率，适当的材料选择性范围，以使阻挡材料暴露开始时的铜凹陷最小化以及良好的平坦化效率。

公开(公告)号：US20090253072A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12416805

申请日：2009-04-01

申请人： Melissa A. Petruska ,  Guiquan Pan ,  Thomas H. Baum ,  Karl E. Boggs

发明人： Melissa A. Petruska ,  Guiquan Pan ,  Thomas H. Baum ,  Karl E. Boggs

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/091

摘要： The invention is to a reversible photobleachable material comprised of nanoparticles of indium gallium oxide or gallium oxide, and a method of exposing a substrate, such as in semiconductor manufacture, using same.

摘要翻译： 本发明涉及一种由铟镓氧化物或氧化镓的纳米颗粒构成的可逆光可漂白材料，以及使用其在半导体制造中曝光基板的方法。

公开(公告)号：US20150114429A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：US14401739

申请日：2013-05-17

申请人： Shrane Ning Jenq ,  Karl E. Boggs ,  Jun Liu ,  Nicole Thomas

发明人： Shrane Ning Jenq ,  Karl E. Boggs ,  Jun Liu ,  Nicole Thomas

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D7/32 ,  C25D5/48

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/08 ,  C11D7/267 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3281 ,  C25D5/48 ,  H01L21/02074

摘要： A cleaning composition and process for cleaning post-chemical mechanical polishing (CMP) residue and contaminants from a microelectronic device having said residue and contaminants thereon. The cleaning compositions include at least one quaternary base, at least one amine, at least one corrosion inhibitor, and at least one solvent. The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device while being compatible with barrier layers.

摘要翻译： 一种清洁组合物和用于从具有所述残余物和污染物的微电子装置清洁后化学机械抛光（CMP）残留物和污染物的清洁组合物和方法。 清洁组合物包括至少一种季碱，至少一种胺，至少一种腐蚀抑制剂和至少一种溶剂。 该组合物可与微电子器件的表面高效地清洗后CMP残留物和污染物质，同时与阻挡层相容。

公开(公告)号：US09074170B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13124942

申请日：2009-10-20

申请人： Jeffrey A. Barnes ,  Brian Benac ,  Karl E. Boggs ,  Lin Feng ,  Jun Liu ,  Melissa A. Petruska ,  Xiaodong Yan ,  Peng Zhang

发明人： Jeffrey A. Barnes ,  Brian Benac ,  Karl E. Boggs ,  Lin Feng ,  Jun Liu ,  Melissa A. Petruska ,  Xiaodong Yan ,  Peng Zhang

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D1/72 ,  C11D3/04 ,  C11D3/24 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33

CPC分类号： C11D3/0073 ,  B08B3/08 ,  C11D1/72 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/245 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/329 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02074

摘要： A cleaning composition and process for cleaning post-chemical mechanical polishing (CMP) residue and contaminants from a microelectronic device having said residue and contaminants thereon. The cleaning compositions include novel corrosion inhibitors. The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device without compromising the low-k dielectric material or the copper interconnect material.

摘要翻译： 一种清洁组合物和用于从具有所述残余物和污染物的微电子装置清洁后化学机械抛光（CMP）残留物和污染物的清洁组合物和方法。 清洁组合物包括新的腐蚀抑制剂。 该组合物可以在不影响低k电介质材料或铜互连材料的情况下从微电子器件的表面高效地清洁后CMP残留物和污染物质。