公开(公告)号：US20100087065A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12525325

申请日：2008-01-31

申请人： Karl E. Boggs ,  Jeffrey Giles ,  Michael S. Darsillo ,  Melissa A. Petruska ,  Peter Wrschka

发明人： Karl E. Boggs ,  Jeffrey Giles ,  Michael S. Darsillo ,  Melissa A. Petruska ,  Peter Wrschka

IPC分类号： C09K13/00 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： Chemical mechanical polishing (CMP) compositions and single CMP platen process for the removal of copper and barrier layer material from a microelectronic device substrate having same thereon. The process includes the in situ transformation of a copper removal CMP composition, which is used to selectively remove and planarize copper, into a barrier removal CMP composition, which is used to selectively remove barrier layer material, on a single CMP platen pad.

摘要翻译： 化学机械抛光（CMP）组合物和用于从其上具有其的微电子器件衬底去除铜和阻挡层材料的单CMP压板工艺。 该方法包括将铜去除CMP组合物原位转化成单层CMP压板用于选择性去除阻挡层材料的屏障去除CMP组合物，其用于选择性地去除和平坦化铜。

公开(公告)号：US6106374A

公开(公告)日：2000-08-22

申请号：US116792

申请日：1998-07-16

申请人： Karl E. Boggs ,  Leonard C. Stevens

发明人： Karl E. Boggs ,  Leonard C. Stevens

IPC分类号： B24B1/04 ,  B24B37/04 ,  B24B57/02 ,  B24B57/00

CPC分类号： B24B37/04 ,  B24B1/04 ,  B24B57/02

摘要： A chemical mechanical polishing apparatus comprises a delivery system for supplying a slurry, wherein the slurry includes suspended particles and at least one acoustic element, connected to the delivery system, the acoustic element generating sound waves for agitating the slurry and maintaining the particles in suspension.

摘要翻译： 化学机械抛光装置包括用于供应浆料的输送系统，其中所述浆料包括悬浮颗粒和连接到输送系统的至少一个声学元件，所述声学元件产生用于搅拌浆料并保持悬浮液的声波。

公开(公告)号：US09074170B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13124942

申请日：2009-10-20

申请人： Jeffrey A. Barnes ,  Brian Benac ,  Karl E. Boggs ,  Lin Feng ,  Jun Liu ,  Melissa A. Petruska ,  Xiaodong Yan ,  Peng Zhang

发明人： Jeffrey A. Barnes ,  Brian Benac ,  Karl E. Boggs ,  Lin Feng ,  Jun Liu ,  Melissa A. Petruska ,  Xiaodong Yan ,  Peng Zhang

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D1/72 ,  C11D3/04 ,  C11D3/24 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33

CPC分类号： C11D3/0073 ,  B08B3/08 ,  C11D1/72 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/245 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/329 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02074

摘要： A cleaning composition and process for cleaning post-chemical mechanical polishing (CMP) residue and contaminants from a microelectronic device having said residue and contaminants thereon. The cleaning compositions include novel corrosion inhibitors. The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device without compromising the low-k dielectric material or the copper interconnect material.

摘要翻译： 一种清洁组合物和用于从具有所述残余物和污染物的微电子装置清洁后化学机械抛光（CMP）残留物和污染物的清洁组合物和方法。 清洁组合物包括新的腐蚀抑制剂。 该组合物可以在不影响低k电介质材料或铜互连材料的情况下从微电子器件的表面高效地清洁后CMP残留物和污染物质。

公开(公告)号：US08304344B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12026414

申请日：2008-02-05

申请人： Karl E. Boggs ,  Michael S. Darsillo ,  Peter Wrschka ,  James Welch

发明人： Karl E. Boggs ,  Michael S. Darsillo ,  Peter Wrschka ,  James Welch

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  H01L21/3212

摘要： A chemical mechanical polishing process including a single copper removal CMP slurry formulation for planarization of a microelectronic device structure preferably having copper deposited thereon. The process includes the bulk removal of a copper layer using a first CMP slurry formulation having oxidizing agent, passivating agent, abrasive and solvent, and the soft polishing and over-polishing of the microelectronic device structure using a formulation including the first CMP slurry formulation and at least one additional additive. The CMP process described herein provides a high copper removal rate, a comparatively low barrier material removal rate, appropriate material selectivity ranges to minimize copper dishing at the onset of barrier material exposure, and good planarization efficiency.

摘要翻译： 化学机械抛光方法，其包括用于平坦化微电子器件结构的单一铜去除CMP浆料制剂，优选在其上沉积铜。 该方法包括使用具有氧化剂，钝化剂，研磨剂和溶剂的第一CMP浆料制剂以及使用包括第一CMP浆料配方的制剂对微电子器件结构进行软抛光和过度抛光的铜层的大量去除， 至少一种附加添加剂。 本文所述的CMP方法提供了高的铜去除速率，较低的屏障材料去除速率，适当的材料选择性范围，以使阻挡材料暴露开始时的铜凹陷最小化以及良好的平坦化效率。

公开(公告)号：US20120015857A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13146438

申请日：2010-01-26

申请人： Tianniu Chen ,  Steven Bilodeau ,  Karl E. Boggs ,  Ping Jiang ,  Michael B. Korzenski ,  George Mirth ,  Kim Y. Van Berkel

发明人： Tianniu Chen ,  Steven Bilodeau ,  Karl E. Boggs ,  Ping Jiang ,  Michael B. Korzenski ,  George Mirth ,  Kim Y. Van Berkel

IPC分类号： C11D3/60 ,  C11D3/44 ,  C11D3/43

CPC分类号： C11D11/0041 ,  C11D1/66 ,  C11D1/667 ,  C11D1/825 ,  C11D3/2072 ,  C11D3/2093 ,  C11D3/43 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70925

摘要： Compositions and methods of using said composition for removing polymeric materials from surfaces, preferably cleaning contaminant buildup from a lithography apparatus without total disassembly of said apparatus.

摘要翻译： 使用所述组合物从表面去除聚合物材料的组合物和方法，优选地从光刻设备清洗污染物积聚物，而无需完全拆卸所述设备。

公开(公告)号：US20090253072A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12416805

申请日：2009-04-01

申请人： Melissa A. Petruska ,  Guiquan Pan ,  Thomas H. Baum ,  Karl E. Boggs

发明人： Melissa A. Petruska ,  Guiquan Pan ,  Thomas H. Baum ,  Karl E. Boggs

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/091

摘要： The invention is to a reversible photobleachable material comprised of nanoparticles of indium gallium oxide or gallium oxide, and a method of exposing a substrate, such as in semiconductor manufacture, using same.

摘要翻译： 本发明涉及一种由铟镓氧化物或氧化镓的纳米颗粒构成的可逆光可漂白材料，以及使用其在半导体制造中曝光基板的方法。

公开(公告)号：US07361603B2

公开(公告)日：2008-04-22

申请号：US11117274

申请日：2005-04-28

申请人： Jun Liu ,  Mackenzie King ,  Michael Darsillo ,  Karl E. Boggs ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Jun Liu ,  Mackenzie King ,  Michael Darsillo ,  Karl E. Boggs ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23F3/06 ,  C09G1/02 ,  C23F3/00 ,  C23F11/141 ,  H01L21/3212

摘要： A CMP composition containing 5-aminotetrazole, e.g., in combination with oxidizing agent, chelating agent, abrasive and solvent and a method of use. Such CMP composition may be diluted during the CMP polish to minimize the occurrence of dishing or other adverse planarization deficiencies in the polished copper, even in the presence of substantial levels of copper ions in the CMP composition and at the copper/CMP composition interface during CMP processing.

摘要翻译： 含有5-氨基四唑的CMP组合物，例如与氧化剂，螯合剂，研磨剂和溶剂的组合以及使用方法。 在CMP抛光期间可以稀释这种CMP组合物，以尽量减少抛光铜中的凹陷或其他不利平面化缺陷的发生，即使在CMP组合物中以及在CMP期间的铜/ CMP组成界面处存在大量水平的铜离子 处理。

公开(公告)号：US6087191A

公开(公告)日：2000-07-11

申请号：US12142

申请日：1998-01-22

申请人： Karl E. Boggs

发明人： Karl E. Boggs

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  B24B1/00

CPC分类号： H01L21/32115 ,  H01L21/31051

摘要： A method for repairing defects in a surface layer of a substrate. The method comprises the redeposition, in a solvent environment, of a fill material into the defects of the surface layer. The fill material is provided by the surface layer itself or from a separate source comprising a different material from that of the surface layer.

摘要翻译： 一种用于修复衬底的表面层中的缺陷的方法。 该方法包括在溶剂环境中将填充材料再沉积到表面层的缺陷中。 填充材料由表面层本身提供，或由包括与表面层不同的材料的单独的源提供。

公开(公告)号：US09074169B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13146438

申请日：2010-01-26

申请人： Tianniu Chen ,  Steven Bilodeau ,  Karl E. Boggs ,  Ping Jiang ,  Michael B. Korzenski ,  George Mirth ,  Kim Y. Van Berkel

发明人： Tianniu Chen ,  Steven Bilodeau ,  Karl E. Boggs ,  Ping Jiang ,  Michael B. Korzenski ,  George Mirth ,  Kim Y. Van Berkel

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D1/66 ,  C11D3/43

CPC分类号： C11D11/0041 ,  C11D1/66 ,  C11D1/667 ,  C11D1/825 ,  C11D3/2072 ,  C11D3/2093 ,  C11D3/43 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70925

摘要： Compositions and methods of using said composition for removing polymeric materials from surfaces, preferably cleaning contaminant buildup from a lithography apparatus without total disassembly of said apparatus.

摘要翻译： 使用所述组合物从表面去除聚合物材料的组合物和方法，优选地从光刻设备清洗污染物积聚物，而无需完全拆卸所述设备。

公开(公告)号：US08618036B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13295677

申请日：2011-11-14

申请人： Ali Afzali-Ardakani ,  John A. Fitzsimmons ,  Nicholas C. M. Fuller ,  Mahmoud Khojasteh ,  Jennifer V. Muncy ,  George G. Totir ,  Karl E. Boggs ,  Emanuel I. Cooper ,  Michael W. Owens ,  James L. Simpson

发明人： Ali Afzali-Ardakani ,  John A. Fitzsimmons ,  Nicholas C. M. Fuller ,  Mahmoud Khojasteh ,  Jennifer V. Muncy ,  George G. Totir ,  Karl E. Boggs ,  Emanuel I. Cooper ,  Michael W. Owens ,  James L. Simpson

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31133 ,  C09K13/04 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

摘要： An aqueous solution of a cerium (IV) complex or salt having an extended lifetime is provided. In one embodiment, the extended lifetime is achieved by adding at least one booster additive to an aqueous solution of the cerium (IV) complex or salt. In another embodiment, the extended lifetime is achieved by providing an aqueous solution of a cerium (IV) complex or salt and a cerium (III) complex or salt. The cerium (III) complex or salt can be added or it can be generated in-situ by introducing a reducing agent into the aqueous solution of the cerium (IV) complex or salt. The aqueous solution can be used to remove a mask material, especially an ion implanted and patterned photoresist, from a surface of a semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供具有延长寿命的铈（IV）络合物或盐的水溶液。 在一个实施方案中，通过向铈（IV）络合物或盐的水溶液中加入至少一种助剂添加剂来实现延长的寿命。 在另一个实施方案中，通过提供铈（IV）络合物或盐和铈（III）络合物或盐的水溶液来实现延长的寿命。 可以加入铈（III）络合物或盐，或者可以通过将还原剂引入铈（IV）络合物或盐的水溶液中而原位产生。 水溶液可用于从半导体衬底的表面去除掩模材料，特别是离子注入和图案化的光致抗蚀剂。