公开(公告)号：US07431585B2

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US10278615

申请日：2002-10-22

申请人： Jun Zhao ,  David Quach ,  Timothy Weidman ,  Rick J. Roberts ,  Farhad Moghadam ,  Dan Maydan

发明人： Jun Zhao ,  David Quach ,  Timothy Weidman ,  Rick J. Roberts ,  Farhad Moghadam ,  Dan Maydan

IPC分类号： F27D3/00

CPC分类号： H01L21/67109 ,  Y10S414/139

摘要： An apparatus for processing substrates is disclosed. In one embodiment, the apparatus includes a housing and a plurality of stacked cell structures in the housing. An actuator is adapted to move the plurality of stacked cell structures inside of the housing while substrates in the stacked cell structures are being heated.

公开(公告)号：US07381052B2

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：US11445630

申请日：2006-06-02

申请人： Jun Zhao ,  David Quach ,  Timothy Weidman ,  Rick J. Roberts ,  Farhad Moghadam ,  Dan Maydan

发明人： Jun Zhao ,  David Quach ,  Timothy Weidman ,  Rick J. Roberts ,  Farhad Moghadam ,  Dan Maydan

IPC分类号： C23C16/04

CPC分类号： H01L21/67109 ,  Y10S414/139

摘要： An apparatus for processing substrates is disclosed. In one embodiment, the apparatus includes a housing and a plurality of stacked cell structures in the housing. An actuator is adapted to move the plurality of stacked cell structures inside of the housing while substrates in the stacked cell structures are being heated.

摘要翻译： 公开了一种处理衬底的设备。 在一个实施例中，该装置包括外壳和壳体中的多个堆叠的电池结构。 致动器适于在堆叠的电池结构中的衬底被加热的同时将多个堆叠的电池结构移动到壳体内部。

公开(公告)号：US20060223233A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11445630

申请日：2006-06-02

申请人： Jun Zhao ,  David Quach ,  Timothy Weidman ,  Rick Roberts ,  Farhad Moghadam ,  Dan Maydan

发明人： Jun Zhao ,  David Quach ,  Timothy Weidman ,  Rick Roberts ,  Farhad Moghadam ,  Dan Maydan

IPC分类号： H01L21/00 ,  F28F7/00

CPC分类号： H01L21/67109 ,  Y10S414/139

摘要： An apparatus for processing substrates is disclosed. In one embodiment, the apparatus includes a housing and a plurality of stacked cell structures in the housing. An actuator is adapted to move the plurality of stacked cell structures inside of the housing while substrates in the stacked cell structures are being heated.

公开(公告)号：US06936551B2

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：US10428374

申请日：2003-05-01

申请人： Farhad Moghadam ,  Jun Zhao ,  Timothy Weidman ,  Rick J. Roberts ,  Li-Qun Xia ,  Alexandros T. Demos

发明人： Farhad Moghadam ,  Jun Zhao ,  Timothy Weidman ,  Rick J. Roberts ,  Li-Qun Xia ,  Alexandros T. Demos

IPC分类号： B05D3/06 ,  B05D7/24 ,  C23C16/26 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  B05D3/141 ,  B05D5/08 ,  B05D5/12 ,  C08G77/50 ,  C23C16/26 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829

摘要： One embodiment of the present invention is a method for fabricating a low-k dielectric film that includes steps of: (a) chemical vapor depositing a lower-k dielectric film; and (b) e-beam treating the lower-k dielectric film.

摘要翻译： 本发明的一个实施例是一种制造低k电介质膜的方法，包括以下步骤：（a）化学气相沉积低k电介质膜; 和（b）电子束处理低k电介质膜。

公开(公告)号：US07256139B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US11045650

申请日：2005-01-28

申请人： Farhad Moghadam ,  Jun Zhao ,  Timothy Weidman ,  Rick J. Roberts ,  Li-Quan Xia ,  Alexandros T. Demos

发明人： Farhad Moghadam ,  Jun Zhao ,  Timothy Weidman ,  Rick J. Roberts ,  Li-Quan Xia ,  Alexandros T. Demos

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  B05D3/141 ,  B05D5/08 ,  B05D5/12 ,  C08G77/50 ,  C23C16/26 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829

摘要： One embodiment of the present invention is a method for fabricating a low-k dielectric film that included steps of: (a) chemical vapor depositing a lower-k dielectric film; and (b) e-beam treating the lower-k dielectric film.

摘要翻译： 本发明的一个实施例是一种制造低k电介质膜的方法，包括以下步骤：（a）化学气相沉积低k电介质膜; 和（b）电子束处理低k电介质膜。

公开(公告)号：US20070275569A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11838742

申请日：2007-08-14

申请人： FARHAD MOGHADAM ,  Jun Zhao ,  Timothy Weidman ,  Rick Roberts ,  Li-Qun Xia ,  Alexandros Demos

发明人： FARHAD MOGHADAM ,  Jun Zhao ,  Timothy Weidman ,  Rick Roberts ,  Li-Qun Xia ,  Alexandros Demos

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  B05D3/141 ,  B05D5/08 ,  B05D5/12 ,  C08G77/50 ,  C23C16/26 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829

摘要： One embodiment of the present invention is a method for fabricating a dielectric film, comprising chemical vapor depositing a dielectric film, and curing the dielectric film, wherein the dielectric film comprises silicon and carbon, and the chemical vapor depositing utilizes a precursor comprising one or more organo-silicon compounds and one or more carbon-carbon bond containing hydrocarbon compounds.

摘要翻译： 本发明的一个实施例是一种用于制造电介质膜的方法，包括化学气相沉积电介质膜和固化电介质膜，其中电介质膜包括硅和碳，并且化学气相沉积利用包含一个或多个 有机硅化合物和一种或多种含碳 - 碳键的烃化合物。

公开(公告)号：US20050130404A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US11045650

申请日：2005-01-28

申请人： Farhad Moghadam ,  Jun Zhao ,  Timothy Weidman ,  Rick Roberts ,  Li-Qun Xia ,  Alexandros Demos

发明人： Farhad Moghadam ,  Jun Zhao ,  Timothy Weidman ,  Rick Roberts ,  Li-Qun Xia ,  Alexandros Demos

IPC分类号： B05D3/06 ,  B05D7/24 ,  C23C16/26 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/84

CPC分类号： B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  B05D3/141 ,  B05D5/08 ,  B05D5/12 ,  C08G77/50 ,  C23C16/26 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829

摘要： One embodiment of the present invention is a method for fabricating a low-k dielectric film that included steps of: (a) chemical vapor depositing a lower-k dielectric film; and (b) e-beam treating the lower-k dielectric film.

摘要翻译： 本发明的一个实施例是一种制造低k电介质膜的方法，包括以下步骤：（a）化学气相沉积低k电介质膜; 和（b）电子束处理低k电介质膜。

公开(公告)号：US06992024B2

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US10730193

申请日：2003-12-05

申请人： Zhenjiang Cui ,  Rick J. Roberts ,  Michael S. Cox ,  Jun Zhao

发明人： Zhenjiang Cui ,  Rick J. Roberts ,  Michael S. Cox ,  Jun Zhao

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76229

摘要： A method of filling a plurality of trenches etched in a substrate. In one embodiment the method includes depositing a layer of spin-on glass material over the substrate and into the plurality of trenches; exposing the layer of spin-on glass material to a solvent; curing the layer of spin-on glass material; and depositing a layer of silica glass over the cured spin-on glass layer using a chemical vapor deposition technique.

摘要翻译： 一种填充蚀刻在衬底中的多个沟槽的方法。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上沉积旋涂玻璃材料层并进入多个沟槽; 将旋涂玻璃材料层暴露于溶剂中; 固化旋涂玻璃材料层; 并使用化学气相沉积技术在固化的旋涂玻璃层上沉积二氧化硅玻璃层。

公开(公告)号：US06878644B2

公开(公告)日：2005-04-12

申请号：US10430942

申请日：2003-05-06

申请人： Zhenjiang Cui ,  Rick J. Roberts ,  Michael S. Cox ,  Jun Zhao ,  Khaled Elsheref ,  Alexandros T. Demos

发明人： Zhenjiang Cui ,  Rick J. Roberts ,  Michael S. Cox ,  Jun Zhao ,  Khaled Elsheref ,  Alexandros T. Demos

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/762 ,  H01L21/31 ,  H01L21/461 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/3105

摘要： A method of filling a plurality of trenches etched in a substrate. In one embodiment the method includes depositing a layer of spin-on glass material over the substrate and into the plurality of trenches; curing the layer of spin-on glass material by exposing the spin-on glass material to electron beam radiation at a first temperature for a first period and subsequently exposing the spin-on glass material to an electron beam at a second temperature for a second period, where the second temperature is greater than the first temperature. The method concludes by depositing a layer of silica glass over the cured spin-on glass layer using a chemical vapor deposition technique.

摘要翻译： 一种填充蚀刻在衬底中的多个沟槽的方法。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上沉积旋涂玻璃材料层并进入多个沟槽; 通过在第一温度下将自旋玻璃材料暴露于电子束辐射第一周期，随后将旋涂玻璃材料暴露于第二温度下的电子束第二周期来固化旋涂玻璃材料层 ，其中第二温度大于第一温度。 该方法的结论是通过使用化学气相沉积技术在固化的旋涂玻璃层上沉积二氧化硅玻璃层。

公开(公告)号：US06693050B1

公开(公告)日：2004-02-17

申请号：US10431031

申请日：2003-05-06

申请人： Zhenjiang Cui ,  Rick J. Roberts ,  Michael S. Cox ,  Jun Zhao

发明人： Zhenjiang Cui ,  Rick J. Roberts ,  Michael S. Cox ,  Jun Zhao

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/76229

摘要： A method of filling a plurality of trenches etched in a substrate. In one embodiment the method includes depositing a layer of spin-on glass material over the substrate and into the plurality of trenches; exposing the layer of spin-on glass material to a solvent; curing the layer of spin-on glass material; and depositing a layer of silica glass over the cured spin-on glass layer using a chemical vapor deposition technique.

摘要翻译： 一种填充蚀刻在衬底中的多个沟槽的方法。 在一个实施例中，该方法包括在衬底上沉积旋涂玻璃材料层并进入多个沟槽; 将旋涂玻璃材料层暴露于溶剂中; 固化旋涂玻璃材料层; 并使用化学气相沉积技术在固化的旋涂玻璃层上沉积二氧化硅玻璃层。