公开(公告)号：US20070037372A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11581183

申请日：2006-10-13

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7843

摘要： A sacrificial gate structure, including nitride and fill layers, may be replaced with a metal gate electrode. The metal gate electrode may again be covered with a nitride layer covered by a fill layer. The replacement of the nitride and fill layers may reintroduce strain and provide an etch stop.

摘要翻译： 包括氮化物和填充层的牺牲栅极结构可以被金属栅电极代替。 金属栅电极可以再次被填充层覆盖的氮化物层覆盖。 氮化物和填充层的替换可以重新引入应变并提供蚀刻停止。

公开(公告)号：US20060183277A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US10742678

申请日：2003-12-19

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and forming a sacrificial layer on the high-k gate dielectric layer. After etching the sacrificial layer, first and second spacers are formed on opposite sides of the sacrificial layer. After removing the sacrificial layer to generate a trench that is positioned between the first and second spacers, a metal layer is formed on the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，并在高k栅极电介质层上形成牺牲层。 在蚀刻牺牲层之后，在牺牲层的相对侧上形成第一和第二间隔物。 在去除牺牲层以产生位于第一和第二间隔物之间​​的沟槽之后，在高k栅介质层上形成金属层。

公开(公告)号：US20060057808A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10939227

申请日：2004-09-10

申请人： Robert Turkot ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Robert Turkot ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.

摘要翻译： 在形成在基板上的电介质层上形成金属层。 在金属层上形成掩模层之后，介电层的暴露侧面被聚合物扩散阻挡层覆盖。

公开(公告)号：US20060051957A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10936114

申请日：2004-09-07

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/82385 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a dielectric layer and a sacrificial structure that comprises a first layer and a second layer, such that the second layer is formed on the first layer and is wider than the first layer. After the sacrificial structure is removed to generate a trench, a metal gate electrode is formed within the trench.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成介电层和包括第一层和第二层的牺牲结构，使得第二层形成在第一层上并且比第一层更宽。 在除去牺牲结构以产生沟槽之后，在沟槽内形成金属栅电极。

公开(公告)号：US20050263483A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US11196034

申请日：2005-08-03

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

IPC分类号： B44C1/22 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/06

摘要： Semiconductor integrated circuit structures, such as stacks containing metal layers, may be etched with a modified viscosity etchant. An increased viscosity etchant, for example, may reduce undercutting when a metal film is being etched.

摘要翻译： 半导体集成电路结构，例如包含金属层的堆叠，可以用修改的粘度蚀刻剂进行蚀刻。 例如，当蚀刻金属膜时，增加的粘度蚀刻剂可以减少底切。

公开(公告)号：US20050136677A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10739173

申请日：2003-12-18

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dummy dielectric layer that is at least about 10 angstroms thick on a substrate, and forming a sacrificial layer on the dummy dielectric layer. After removing the sacrificial layer and the dummy dielectric layer to generate a trench that is positioned between first and second spacers, a gate dielectric layer is formed on the substrate at the bottom of the trench, and a metal layer is formed on the gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成至少约10埃厚的虚拟电介质层，并在虚拟电介质层上形成牺牲层。 在除去牺牲层和虚设电介质层以产生位于第一和第二间隔物之间​​的沟槽之后，在沟槽的底部的衬底上形成栅介质层，并且在栅介质层上形成金属层 。

公开(公告)号：US20050048791A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10652546

申请日：2003-08-28

申请人： Justin Brask ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau ,  Robert Turkot ,  Matthew Metz

发明人： Justin Brask ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau ,  Robert Turkot ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31111

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and modifying a first portion of the high-k gate dielectric layer to ensure that it may be removed selectively to a second portion of the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，以及修改高k栅极电介质层的第一部分，以确保其可被选择性地去除到高k栅极电介质层的第二部分。

公开(公告)号：US20060051924A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10937195

申请日：2004-09-08

申请人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a first dielectric layer on a substrate, a trench within the first dielectric layer, and a second dielectric layer on the substrate. The second dielectric layer has a first part that is formed in the trench and a second part. After a first metal layer with a first workfunction is formed on the first and second parts of the second dielectric layer, part of the first metal layer is converted into a second metal layer with a second workfunction.

公开(公告)号：US20060046401A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10925468

申请日：2004-08-25

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L31/0312

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/66545

摘要： In a metal gate replacement process, a stack of at least two polysilicon layers or other materials may be formed. Sidewall spacers may be formed on the stack. The stack may then be planarized. Next, the upper layer of the stack may be selectively removed. Then, the exposed portions of the sidewall spacers may be selectively removed. Finally, the lower portion of the stack may be removed to form a T-shaped trench which may be filled with the metal replacement.

摘要翻译： 在金属栅极更换工艺中，可以形成至少两个多晶硅层或其它材料的堆叠。 侧壁间隔物可以形成在堆叠上。 然后可以将堆叠平坦化。 接下来，可以选择性地去除堆叠的上层。 然后，可以选择性地去除侧壁间隔物的暴露部分。 最后，堆叠的下部可以被去除以形成可以用金属替代物填充的T形沟槽。

公开(公告)号：US20060024892A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10900666

申请日：2004-07-28

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495

摘要： A metal gate transistor may include a metal layer over a high dielectric constant dielectric layer. The dielectric layer abstracts electronegativity from said metal layer, altering its workfunction. The workfunction of the metal layer may be set to compensate for the dielectric layer abstraction.

摘要翻译： 金属栅极晶体管可以包括在高介电常数介电层上的金属层。 电介质层从所述金属层提取电负性，改变其功能。 可以设置金属层的功函数以补偿介电层抽象。