公开(公告)号：US20060057808A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10939227

申请日：2004-09-10

申请人： Robert Turkot ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Robert Turkot ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.

摘要翻译： 在形成在基板上的电介质层上形成金属层。 在金属层上形成掩模层之后，介电层的暴露侧面被聚合物扩散阻挡层覆盖。

公开(公告)号：US20050048791A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10652546

申请日：2003-08-28

申请人： Justin Brask ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau ,  Robert Turkot ,  Matthew Metz

发明人： Justin Brask ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau ,  Robert Turkot ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31111

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and modifying a first portion of the high-k gate dielectric layer to ensure that it may be removed selectively to a second portion of the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，以及修改高k栅极电介质层的第一部分，以确保其可被选择性地去除到高k栅极电介质层的第二部分。

公开(公告)号：US20050101134A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10704498

申请日：2003-11-06

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

IPC分类号： C23F1/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23F1/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A method for etching a metal layer is described. That method comprises forming a metal layer on a substrate, then exposing part of the metal layer to a wet etch chemistry that comprises an active ingredient with a diameter that exceeds the thickness of the metal layer.

摘要翻译： 描述了蚀刻金属层的方法。 该方法包括在基底上形成金属层，然后将金属层的一部分暴露于包含直径超过金属层厚度的活性成分的湿式蚀刻化学物质。

公开(公告)号：US20060180874A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11403015

申请日：2006-04-12

申请人： Justin Brask ,  Robert Turkot

发明人： Justin Brask ,  Robert Turkot

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/78

摘要： A metal silicide may be selectively etched by converting the metal silicide to a metal silicate. This may be done using oxidation. The metal silicate may then be removed, for example, by wet etching. A non-destructive low pH wet etchant may be utilized, in some embodiments, with high selectivity by dissolution.

公开(公告)号：US20050266619A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US10855635

申请日：2004-05-26

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Robert Turkot ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Robert Turkot ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/326 ,  H01L21/336 ,  H01L21/479 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a first gate dielectric layer that has a first substantially vertical component, then forming a first metal layer on the first gate dielectric layer. After forming on the substrate a second gate dielectric layer that has a second substantially vertical component, a second metal layer is formed on the second gate dielectric layer. In this method, a conductor is formed that contacts both the first metal layer and the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成具有第一基本垂直分量的第一栅极电介质层，然后在第一栅极电介质层上形成第一金属层。 在衬底上形成具有第二基本垂直分量的第二栅介质层之后，在第二栅介质层上形成第二金属层。 在该方法中，形成与第一金属层和第二金属层接触的导体。

公开(公告)号：US20050101113A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10704497

申请日：2003-11-06

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/4958 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dielectric layer on a substrate, and forming a first metal layer on a first part of the dielectric layer, leaving a second part of the dielectric layer exposed. After a second metal layer is formed on both the first metal layer and the second part of the dielectric layer, a masking layer is formed on the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成电介质层，并且在介电层的第一部分上形成第一金属层，留下介电层的第二部分露出。 在第一金属层和电介质层的第二部分上形成第二金属层之后，在第二金属层上形成掩模层。

公开(公告)号：US20050012160A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10622955

申请日：2003-07-18

申请人： Justin Brask ,  Robert Turkot

发明人： Justin Brask ,  Robert Turkot

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/78

摘要： A metal silicide may be selectively etched by converting the metal silicide to a metal silicate. This may be done using oxidation. The metal silicate may then be removed, for example, by wet etching. A non-destructive low pH wet etchant may be utilized, in some embodiments, with high selectivity by dissolution.

摘要翻译： 可以通过将金属硅化物转化为金属硅酸盐来选择性地蚀刻金属硅化物。 这可以使用氧化来完成。 然后可以例如通过湿蚀刻除去金属硅酸盐。 在一些实施方案中，可以使用非破坏性低pH湿蚀刻剂，通过溶解具有高选择性。

公开(公告)号：US07608883B2

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：US12072971

申请日：2008-02-28

申请人： Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Suman Datta ,  Justin Brask ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

发明人： Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Suman Datta ,  Justin Brask ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/17 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541

摘要： A transistor is described having a source electrode and a drain electrode. The transistor has at least one semiconducting carbon nanotube that is electrically coupled between the source and drain electrodes. The transistor has a gate electrode and dielectric material containing one or more quantum dots between the carbon nanotube and the gate electrode.

摘要翻译： 描述了具有源电极和漏电极的晶体管。 晶体管具有至少一个电耦合在源极和漏极之间的半导体碳纳米管。 晶体管具有在碳纳米管和栅电极之间含有一个或多个量子点的栅电极和电介质材料。

公开(公告)号：US20070090408A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11240487

申请日：2005-09-29

申请人： Amlan Majumdar ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic ,  Been-Yih Jin ,  Robert Chau

发明人： Amlan Majumdar ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic ,  Been-Yih Jin ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854

摘要： A field-effect transistor for a narrow-body, multiple-gate transistor such as a FinFET, tri-gate or Ω-FET is described. The corners of the channel region disposed beneath the gate are rounded n, for instance, oxidation steps, to reduce the comer effect associated with conduction initiating in the corners of the channel region.

摘要翻译： 描述了用于诸如FinFET，三栅极或者Omega-FET的窄体多栅极晶体管的场效应晶体管。 设置在栅极下方的通道区域的角部是圆形的，例如氧化步骤，以减少与沟道区域的拐角中的传导起始相关的拐角效应。

公开(公告)号：US20070069302A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11238445

申请日：2005-09-28

申请人： Been-Yih Jin ,  Robert Chau ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask

发明人： Been-Yih Jin ,  Robert Chau ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78684

摘要： A method utilizing a common gate electrode material with a single work function for both the pMOS and nMOS transistors where the magnitude of the transistor threshold voltages is modified by semiconductor band engineering and article made thereby.

摘要翻译： 利用对pMOS和nMOS晶体管具有单功函数的公共栅电极材料的方法，其中晶体管阈值电压的幅度由半导体带工程和由此制成的制品修改。