公开(公告)号：US20060057808A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10939227

申请日：2004-09-10

申请人： Robert Turkot ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Robert Turkot ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.

摘要翻译： 在形成在基板上的电介质层上形成金属层。 在金属层上形成掩模层之后，介电层的暴露侧面被聚合物扩散阻挡层覆盖。

公开(公告)号：US20050048791A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10652546

申请日：2003-08-28

申请人： Justin Brask ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau ,  Robert Turkot ,  Matthew Metz

发明人： Justin Brask ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau ,  Robert Turkot ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31111

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and modifying a first portion of the high-k gate dielectric layer to ensure that it may be removed selectively to a second portion of the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，以及修改高k栅极电介质层的第一部分，以确保其可被选择性地去除到高k栅极电介质层的第二部分。

公开(公告)号：US20050101134A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10704498

申请日：2003-11-06

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

IPC分类号： C23F1/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23F1/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A method for etching a metal layer is described. That method comprises forming a metal layer on a substrate, then exposing part of the metal layer to a wet etch chemistry that comprises an active ingredient with a diameter that exceeds the thickness of the metal layer.

摘要翻译： 描述了蚀刻金属层的方法。 该方法包括在基底上形成金属层，然后将金属层的一部分暴露于包含直径超过金属层厚度的活性成分的湿式蚀刻化学物质。

公开(公告)号：US20050266619A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US10855635

申请日：2004-05-26

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Robert Turkot ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Robert Turkot ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/326 ,  H01L21/336 ,  H01L21/479 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a first gate dielectric layer that has a first substantially vertical component, then forming a first metal layer on the first gate dielectric layer. After forming on the substrate a second gate dielectric layer that has a second substantially vertical component, a second metal layer is formed on the second gate dielectric layer. In this method, a conductor is formed that contacts both the first metal layer and the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成具有第一基本垂直分量的第一栅极电介质层，然后在第一栅极电介质层上形成第一金属层。 在衬底上形成具有第二基本垂直分量的第二栅介质层之后，在第二栅介质层上形成第二金属层。 在该方法中，形成与第一金属层和第二金属层接触的导体。

公开(公告)号：US20050101113A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10704497

申请日：2003-11-06

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/4958 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dielectric layer on a substrate, and forming a first metal layer on a first part of the dielectric layer, leaving a second part of the dielectric layer exposed. After a second metal layer is formed on both the first metal layer and the second part of the dielectric layer, a masking layer is formed on the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成电介质层，并且在介电层的第一部分上形成第一金属层，留下介电层的第二部分露出。 在第一金属层和电介质层的第二部分上形成第二金属层之后，在第二金属层上形成掩模层。

公开(公告)号：US20070037372A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11581183

申请日：2006-10-13

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7843

摘要： A sacrificial gate structure, including nitride and fill layers, may be replaced with a metal gate electrode. The metal gate electrode may again be covered with a nitride layer covered by a fill layer. The replacement of the nitride and fill layers may reintroduce strain and provide an etch stop.

摘要翻译： 包括氮化物和填充层的牺牲栅极结构可以被金属栅电极代替。 金属栅电极可以再次被填充层覆盖的氮化物层覆盖。 氮化物和填充层的替换可以重新引入应变并提供蚀刻停止。

公开(公告)号：US20060183277A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US10742678

申请日：2003-12-19

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and forming a sacrificial layer on the high-k gate dielectric layer. After etching the sacrificial layer, first and second spacers are formed on opposite sides of the sacrificial layer. After removing the sacrificial layer to generate a trench that is positioned between the first and second spacers, a metal layer is formed on the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，并在高k栅极电介质层上形成牺牲层。 在蚀刻牺牲层之后，在牺牲层的相对侧上形成第一和第二间隔物。 在去除牺牲层以产生位于第一和第二间隔物之间​​的沟槽之后，在高k栅介质层上形成金属层。

公开(公告)号：US20060051957A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10936114

申请日：2004-09-07

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/82385 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a dielectric layer and a sacrificial structure that comprises a first layer and a second layer, such that the second layer is formed on the first layer and is wider than the first layer. After the sacrificial structure is removed to generate a trench, a metal gate electrode is formed within the trench.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成介电层和包括第一层和第二层的牺牲结构，使得第二层形成在第一层上并且比第一层更宽。 在除去牺牲结构以产生沟槽之后，在沟槽内形成金属栅电极。

公开(公告)号：US20050263483A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US11196034

申请日：2005-08-03

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

IPC分类号： B44C1/22 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/06

摘要： Semiconductor integrated circuit structures, such as stacks containing metal layers, may be etched with a modified viscosity etchant. An increased viscosity etchant, for example, may reduce undercutting when a metal film is being etched.

摘要翻译： 半导体集成电路结构，例如包含金属层的堆叠，可以用修改的粘度蚀刻剂进行蚀刻。 例如，当蚀刻金属膜时，增加的粘度蚀刻剂可以减少底切。

公开(公告)号：US20050136677A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10739173

申请日：2003-12-18

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dummy dielectric layer that is at least about 10 angstroms thick on a substrate, and forming a sacrificial layer on the dummy dielectric layer. After removing the sacrificial layer and the dummy dielectric layer to generate a trench that is positioned between first and second spacers, a gate dielectric layer is formed on the substrate at the bottom of the trench, and a metal layer is formed on the gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成至少约10埃厚的虚拟电介质层，并在虚拟电介质层上形成牺牲层。 在除去牺牲层和虚设电介质层以产生位于第一和第二间隔物之间​​的沟槽之后，在沟槽的底部的衬底上形成栅介质层，并且在栅介质层上形成金属层 。