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    Nonvolatile semiconductor memory device
    1.
    发明授权
    Nonvolatile semiconductor memory device 失效
    非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号：US5680347A

    公开(公告)日：1997-10-21

    申请号：US496625

    申请日：1995-06-29

    申请人： Ken Takeuchi ,  Koji Sakui ,  Tomoharu Tanaka ,  Seiichi Aritome

    发明人： Ken Takeuchi ,  Koji Sakui ,  Tomoharu Tanaka ,  Seiichi Aritome

    IPC分类号： G11C7/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/28 ,  G11C11/40 ,  G11C17/00

    CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/28 ,  G11C7/12

    摘要： A nonvolatile semiconductor memory device comprises a memory cell array in which a plurality of memory cell units are arranged in a matrix, and a first and second common signal lines for exchanging signals with the memory cell array, wherein each of the memory cell units contains a nonvolatile memory section having at least one nonvolatile memory cell, a first select MOS transistor for making the nonvolatile memory section conducting to the first common signal line, and a second select MOS transistor with a threshold voltage different from that of the first select MOS transistor for making the nonvolatile memory section conducting to the second common signal line.

    摘要翻译： 非易失性半导体存储器件包括其中多个存储单元单元以矩阵形式布置的存储单元阵列，以及用于与存储单元阵列交换信号的第一和第二公共信号线，其中每个存储单元单元包含一个 具有至少一个非易失性存储单元的非易失性存储器部分，用于使非易失性存储器部分导通到第一公共信号线的第一选择MOS晶体管和具有与第一选择MOS晶体管不同的阈值电压的第二选择MOS晶体管， 使得非易失性存储器部分导通到第二公共信号线。

    Nonvolatile semiconductor memory device
    3.
    发明授权
    Nonvolatile semiconductor memory device 失效
    非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号：US6046940A

    公开(公告)日：2000-04-04

    申请号：US295335

    申请日：1999-04-21

    申请人： Ken Takeuchi ,  Koji Sakui ,  Tomoharu Tanaka ,  Seiichi Aritome

    发明人： Ken Takeuchi ,  Koji Sakui ,  Tomoharu Tanaka ,  Seiichi Aritome

    IPC分类号： G11C7/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/28 ,  G11C7/00

    CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/28 ,  G11C7/12

    摘要： A nonvolatile semiconductor memory device comprises a memory cell array in which a plurality of memory cell units are arranged in a matrix, and a first and second common signal lines for exchanging signals with the memory cell array, wherein each of the memory cell units contains a nonvolatile memory section having at least one nonvolatile memory cell, a first select MOS transistor for making the nonvolatile memory section conducting to the first common signal line, and a second select MOS transistor with a threshold voltage different from that of the first select MOS transistor for making the nonvolatile memory section conducting to the second common signal line.

    摘要翻译： 非易失性半导体存储器件包括其中多个存储单元单元以矩阵形式布置的存储单元阵列，以及用于与存储单元阵列交换信号的第一和第二公共信号线，其中每个存储单元单元包含一个 具有至少一个非易失性存储单元的非易失性存储器部分，用于使非易失性存储器部分导通到第一公共信号线的第一选择MOS晶体管和具有与第一选择MOS晶体管不同的阈值电压的第二选择MOS晶体管， 使得非易失性存储器部分导通到第二公共信号线。

    Nonvolatile semiconductor memory device
    4.
    发明授权
    Nonvolatile semiconductor memory device 失效
    非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号：US5698879A

    公开(公告)日：1997-12-16

    申请号：US516924

    申请日：1995-08-18

    申请人： Seiichi Aritome ,  Tomoharu Tanaka ,  Ken Takeuchi

    发明人： Seiichi Aritome ,  Tomoharu Tanaka ,  Ken Takeuchi

    IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

    CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524

    摘要： A nonvolatile semiconductor memory device has reduced parasitic capacitance at a select transistor obtained by providing a depletion-mode select transistor with a charge accumulation layer, virtually making a gate insulating film thicker, or providing under the gate insulating film a channel layer that is of a same conductivity type as that of a source and drain regions and connects thereto, thereby enabling the potential of the select gate to be almost fixed at a desired value, preventing a faulty operation and making it possible to cause the select transistor to operate at high speed.

    摘要翻译： 非易失性半导体存储器件通过提供具有电荷累积层的耗尽型选择晶体管而获得的选择晶体管具有减小的寄生电容，实际上使栅极绝缘膜更厚，或者在栅极绝缘膜下方设置沟道层， 与源极和漏极区相同的导电类型并与其连接，从而使选择栅极的电位几乎固定在期望值，防止故障操作并且使得可以使选择晶体管以高速运行 。