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    Thin film forming apparatus using laser
    3.
    发明授权
    Thin film forming apparatus using laser 失效
    使用激光的薄膜成形装置

    公开(公告)号：US5622567A

    公开(公告)日：1997-04-22

    申请号：US158844

    申请日：1993-11-29

    申请人： Kazuyoshi Kojima ,  Tetsuya Takami ,  Kenichi Kuroda ,  Toshiyuki Oishi ,  Yukihiko Wada ,  Akihiko Furukawa

    发明人： Kazuyoshi Kojima ,  Tetsuya Takami ,  Kenichi Kuroda ,  Toshiyuki Oishi ,  Yukihiko Wada ,  Akihiko Furukawa

    IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/22 ,  C23C14/28 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  C23C14/00

    CPC分类号： C23C14/087 ,  C23C14/022 ,  C23C14/22 ,  C23C14/28 ,  C23C14/3471 ,  C23C14/54 ,  C23C14/541 ,  C23C14/547 ,  C23C14/564 ,  Y10S505/732

    摘要： A thin film forming apparatus using laser includes a chamber (1), a target (5) placed therein, a laser light source (10) for emitting laser beam to target (5), and a substrate holder (3). When target (5) is irradiated with laser beam (16), a plume (15) is generated, and materials included in plume (15) are deposited on the surface of a substrate (2) held by substrate holder (3). The laser beam emitted from laser light source (10) has its cross section shaped to a desired shape when passed through a shielding plate (4804), for example, so that the surface of the target (5) is irradiated with the beam having uniform light intensity distribution. Therefore, a plume (15) having uniform density distribution of active particles is generated, and therefore a thin film of high quality can be formed over a wide area with uniform film quality, without damaging the substrate.

    摘要翻译： 使用激光的薄膜形成装置包括：室（1），放置在其中的靶（5），用于将目标物（5）发射激光的激光源（10）和基板保持器（3）。 当用激光束（16）照射靶（5）时，产生羽流（15），并且包含在羽流（15）中的材料沉积在由基板保持器（3）保持的基板（2）的表面上。 从激光光源（10）发射的激光束的横截面通过遮蔽板（4804）时成形为期望的形状，使得靶（5）的表面被均匀地照射 光强分布。 因此，产生具有均匀的活性粒子密度分布的羽流（15），因此可以在不损害基板的情况下，在宽的区域上形成具有均匀膜质量的高质量的薄膜。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20090020834A1

    公开(公告)日：2009-01-22

    申请号：US11908530

    申请日：2006-02-14

    申请人： Kenichi Ootsuka ,  Tetsuya Takami ,  Tadaharu Minato

    发明人： Kenichi Ootsuka ,  Tetsuya Takami ,  Tadaharu Minato

    IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/8236

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

    摘要： In a MOSFET using SiC a p-type channel is formed by epitaxial growth, so that the depletion layer produced in the p-type region right under the channel is reduced, even when the device is formed in a self-aligned manner. Thus, a high breakdown voltage is obtained. Also, since the device is formed in a self-aligned manner, the device size can be reduced so that an increased number of devices can be fabricated in a certain area and the on-state resistance can be reduced.

    摘要翻译： 在使用SiC的MOSFET中，通过外延生长形成p型沟道，使得在沟道正下方的p型区域中产生的耗尽层减小，即使器件以自对准方式形成。 因此，获得高的击穿电压。 此外，由于器件以自对准的方式形成，因此可以减小器件尺寸，从而可以在一定区域中制造更多数量的器件，并且可以降低导通电阻。

    Method of manufacturing a SiC vertical MOSFET
    5.
    发明申请
    Method of manufacturing a SiC vertical MOSFET 有权
    制造SiC垂直MOSFET的方法

    公开(公告)号：US20060134847A1

    公开(公告)日：2006-06-22

    申请号：US11353992

    申请日：2006-02-15

    申请人： Yoichiro Tarui ,  Ken-ichi Ohtsuka ,  Masayuki Imaizumi ,  Hiroshi Sugimoto ,  Tetsuya Takami

    发明人： Yoichiro Tarui ,  Ken-ichi Ohtsuka ,  Masayuki Imaizumi ,  Hiroshi Sugimoto ,  Tetsuya Takami

    IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/047 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

    摘要： A semiconductor device and its manufacturing method are provided in which the trade-off relation between channel resistance and JFET resistance, an obstacle to device miniaturization, is improved and the same mask is used to form a source region and a base region by ion implantation. In a vertical MOSFET that uses SiC, a source region and a base region are formed by ion implantation using the same tapered mask to give the base region a tapered shape. The taper angle of the tapered mask is set to 30° to 60° when the material of the tapered mask has the same range as SiC in ion implantation, and to 20° to 45° when the material of the tapered mask is SiO2.

    摘要翻译： 提供了一种半导体器件及其制造方法，其中改善了沟道电阻和JFET电阻之间的折衷关系，从而改善了器件的小型化，并且通过离子注入使用相同的掩模形成源极区域和基极区域。 在使用SiC的垂直MOSFET中，通过使用相同的锥形掩模的离子注入形成源极区域和基极区域，以使基极区域呈锥形。 当锥形掩模的材料与离子注入中的SiC具有相同的范围时，锥形掩模的锥角设定为30°至60°，当锥形掩模的材料为SiO 2 。

    Method of manufacturing a SiC vertical MOSFET
    8.
    发明授权
    Method of manufacturing a SiC vertical MOSFET 有权
    制造SiC垂直MOSFET的方法

    公开(公告)号：US07285465B2

    公开(公告)日：2007-10-23

    申请号：US11353992

    申请日：2006-02-15

    申请人： Yoichiro Tarui ,  Ken-ichi Ohtsuka ,  Masayuki Imaizumi ,  Hiroshi Sugimoto ,  Tetsuya Takami

    发明人： Yoichiro Tarui ,  Ken-ichi Ohtsuka ,  Masayuki Imaizumi ,  Hiroshi Sugimoto ,  Tetsuya Takami

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/047 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

    摘要： A semiconductor device and its manufacturing method are provided in which the trade-off relation between channel resistance and JFET resistance, an obstacle to device miniaturization, is improved and the same mask is used to form a source region and a base region by ion implantation. In a vertical MOSFET that uses SiC, a source region and a base region are formed by ion implantation using the same tapered mask to give the base region a tapered shape. The taper angle of the tapered mask is set to 30° to 60° when the material of the tapered mask has the same range as SiC in ion implantation, and to 20° to 45° when the material of the tapered mask is SiO2.

    摘要翻译： 提供了一种半导体器件及其制造方法，其中改善了沟道电阻和JFET电阻之间的折衷关系，从而改善了器件的小型化，并且通过离子注入使用相同的掩模形成源极区域和基极区域。 在使用SiC的垂直MOSFET中，通过使用相同的锥形掩模的离子注入形成源极区域和基极区域，以使基极区域呈锥形。 当锥形掩模的材料与离子注入中的SiC具有相同的范围时，锥形掩模的锥角设定为30°至60°，当锥形掩模的材料为SiO 2 。