公开(公告)号：US20090250741A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12457364

申请日：2009-06-09

申请人： Ki-Yeon Park ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Dae-Sik Choi ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Ki-Yeon Park ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Dae-Sik Choi ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/318 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

摘要： A semiconductor device and/or gate structure having a composite dielectric layer and methods of manufacturing the same is provided. In the semiconductor device, gate structure, and methods provided, a first conductive layer may be formed on a substrate. A native oxide layer formed on the first conductive layer may be removed. A surface of the first conductive layer may be nitrided so that the surface may be altered into a nitride layer. A composite dielectric layer including the first and/or second dielectric layers may be formed on the nitride layer. A second conductive layer may be formed on the composite dielectric layer. The first dielectric layer may include a material having a higher dielectric constant. The second dielectric layer may be capable of suppressing crystallization of the first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了具有复合电介质层的半导体器件和/或栅极结构及其制造方法。 在半导体器件中，提供栅极结构和方法，可以在衬底上形成第一导电层。 可以除去形成在第一导电层上的自然氧化物层。 第一导电层的表面可以被氮化，使得表面可以改变为氮化物层。 可以在氮化物层上形成包括第一和/或第二电介质层的复合电介质层。 可以在复合介电层上形成第二导电层。 第一电介质层可以包括具有较高介电常数的材料。 第二电介质层可以抑制第一电介质层的结晶化。

公开(公告)号：US20050170566A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11046876

申请日：2005-02-01

申请人： Seung-Hwan Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Seung-Hwan Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C16/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115

CPC分类号： C23C16/45529 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

摘要： A thin film structure and a capacitor using the film structure and methods for forming the same. The thin film structure may include a first film formed on a substrate using a first reactant and an oxidant for oxidizing the first reactant. A second film may be formed on the first film to suppress crystallization of the first film. A capacitor may include a dielectric layer, which may further include the first thin film and the second thin film.

摘要翻译： 薄膜结构和使用该薄膜结构的电容器及其形成方法。 薄膜结构可以包括使用第一反应物和用于氧化第一反应物的氧化剂在基底上形成的第一膜。 可以在第一膜上形成第二膜以抑制第一膜的结晶。 电容器可以包括电介质层，其可以进一步包括第一薄膜和第二薄膜。

公开(公告)号：US07888727B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US12457364

申请日：2009-06-09

申请人： Ki-Yeon Park ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Dae-Sik Choi ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Ki-Yeon Park ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Dae-Sik Choi ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/318 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

摘要： A semiconductor device and/or gate structure having a composite dielectric layer and methods of manufacturing the same is provided. In the semiconductor device, gate structure, and methods provided, a first conductive layer may be formed on a substrate. A native oxide layer formed on the first conductive layer may be removed. A surface of the first conductive layer may be nitrided so that the surface may be altered into a nitride layer. A composite dielectric layer including the first and/or second dielectric layers may be formed on the nitride layer. A second conductive layer may be formed on the composite dielectric layer. The first dielectric layer may include a material having a higher dielectric constant. The second dielectric layer may be capable of suppressing crystallization of the first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了具有复合电介质层的半导体器件和/或栅极结构及其制造方法。 在半导体器件中，提供栅极结构和方法，可以在衬底上形成第一导电层。 可以除去形成在第一导电层上的自然氧化物层。 第一导电层的表面可以被氮化，使得表面可以改变为氮化物层。 可以在氮化物层上形成包括第一和/或第二电介质层的复合电介质层。 可以在复合介电层上形成第二导电层。 第一电介质层可以包括具有较高介电常数的材料。 第二电介质层可以抑制第一电介质层的结晶化。

公开(公告)号：US20060141695A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11285555

申请日：2005-11-22

申请人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： Methods of forming a zirconium hafnium oxide thin layer on a semiconductor substrate by supplying tetrakis(ethylmethylamino)zirconium ([Zr{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAZ) and tetrakis(ethylmethylamino)hafnium ([Hf{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAH) to a substrate are provided. The TEMAZ and the TEMAH may be reacted with an oxidizing agent. The thin layer including zirconium hafnium oxide may be used for a gate insulation layer in a gate structure, a dielectric layer in a capacitor, or a dielectric layer in a flash memory device.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成锆氧化铪薄层的方法是将四（乙基甲基氨基）锆（[Zr（N 2 H 5 H 5） 3（H 2 O）2，H 2 O 3（H 2 O 3）3，TEMAZ）和四（乙基甲基氨基）铪（[Hf（N（C 2 H 5） （CH 3 3）} 4 S，TEMAH）提供给基板。 TEMAZ和TEMAH可与氧化剂反应。 包括氧化铪的薄层可以用于栅极结构中的栅极绝缘层，电容器中的电介质层或闪存器件中的介电层。

公开(公告)号：US20050170601A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11059449

申请日：2005-02-17

申请人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

发明人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor including a dielectric structure, a lower electrode may be formed on a substrate. The dielectric structure may be formed on the lower electrode, and may include a first thin film, which may improve a morphology of the dielectric structure, and a second thin film, which may have at least one of an EOT larger than that of the first thin film and a dielectric constant higher than that of the first thin film. An upper electrode may be formed on the dielectric structure, and the dielectric structure may have an improved morphology and/or a higher dielectric constant.

摘要翻译： 可以在基板上形成包括电介质结构的电容器，下部电极。 电介质结构可以形成在下电极上，并且可以包括可以改善电介质结构的形态的第一薄膜和可以具有大于第一薄膜的EOT中的至少一个的第二薄膜 薄膜和比第一薄膜高的介电常数。 可以在电介质结构上形成上电极，并且电介质结构可以具有改进的形态和/或更高的介电常数。

公开(公告)号：US07560349B2

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US11366453

申请日：2006-03-03

申请人： Ki-Yeon Park ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Dae-Sik Choi ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Ki-Yeon Park ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Dae-Sik Choi ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/318 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

摘要： A semiconductor device and/or gate structure having a composite dielectric layer and methods of manufacturing the same is provided. In the semiconductor device, gate structure, and methods provided, a first conductive layer may be formed on a substrate. A native oxide layer formed on the first conductive layer may be removed. A surface of the first conductive layer may be nitrided so that the surface may be altered into a nitride layer. A composite dielectric layer including the first and/or second dielectric layers may be formed on the nitride layer. A second conductive layer may be formed on the composite dielectric layer. The first dielectric layer may include a material having a higher dielectric constant. The second dielectric layer may be capable of suppressing crystallization of the first dielectric layer.

公开(公告)号：US07425493B2

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：US11059449

申请日：2005-02-17

申请人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

发明人： Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Young-Sun Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Cha-Young You

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor including a dielectric structure, a lower electrode may be formed on a substrate. The dielectric structure may be formed on the lower electrode, and may include a first thin film, which may improve a morphology of the dielectric structure, and a second thin film, which may have at least one of an EOT larger than that of the first thin film and a dielectric constant higher than that of the first thin film. An upper electrode may be formed on the dielectric structure, and the dielectric structure may have an improved morphology and/or a higher dielectric constant.

摘要翻译： 可以在基板上形成包括电介质结构的电容器，下部电极。 电介质结构可以形成在下电极上，并且可以包括可以改善电介质结构的形态的第一薄膜和可以具有大于第一薄膜的EOT中的至少一个的第二薄膜 薄膜和比第一薄膜高的介电常数。 可以在电介质结构上形成上电极，并且电介质结构可以具有改进的形态和/或更高的介电常数。

公开(公告)号：US07279392B2

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US11046876

申请日：2005-02-01

申请人： Seung-Hwan Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Seung-Hwan Lee ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Dae-Sik Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/00

CPC分类号： C23C16/45529 ,  C23C16/308 ,  C23C16/405 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

摘要： A thin film structure and a capacitor using the film structure and methods for forming the same. The thin film structure may include a first film formed on a substrate using a first reactant and an oxidant for oxidizing the first reactant. A second film may be formed on the first film to suppress crystallization of the first film. A capacitor may include a dielectric layer, which may further include the first thin film and the second thin film.

摘要翻译： 薄膜结构和使用该薄膜结构的电容器及其形成方法。 薄膜结构可以包括使用第一反应物和用于氧化第一反应物的氧化剂在基底上形成的第一膜。 可以在第一膜上形成第二膜以抑制第一膜的结晶。 电容器可以包括电介质层，其可以进一步包括第一薄膜和第二薄膜。

公开(公告)号：US07566608B2

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US11285555

申请日：2005-11-22

申请人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： Methods of forming a zirconium hafnium oxide thin layer on a semiconductor substrate by supplying tetrakis(ethylmethylamino)zirconium ([Zr{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAZ) and tetrakis(ethylmethylamino)hafnium ([Hf{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAH) to a substrate are provided. The TEMAZ and the TEMAH may be reacted with an oxidizing agent. The thin layer including zirconium hafnium oxide may be used for a gate insulation layer in a gate structure, a dielectric layer in a capacitor, or a dielectric layer in a flash memory device.

摘要翻译： 通过供应四（乙基甲基氨基）锆（[Zr（N（C 2 H 5）（CH 3）} 4]，TEMAZ）和四（乙基甲基氨基）铪（[Hf（N（C 2 H 5））的方式在半导体衬底上形成氧化锆铪薄膜 ）（CH 3）} 4]，TEMAH）。 TEMAZ和TEMAH可与氧化剂反应。 包括氧化铪的薄层可以用于栅极结构中的栅极绝缘层，电容器中的电介质层或闪存器件中的介电层。

公开(公告)号：US20060252281A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11366453

申请日：2006-03-03

申请人： Ki-Yeon Park ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Dae-Sik Choi ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Ki-Yeon Park ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Dae-Sik Choi ,  Han-Mei Choi ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/318 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

摘要： A semiconductor device and/or gate structure having a composite dielectric layer and methods of manufacturing the same is provided. In the semiconductor device, gate structure, and methods provided, a first conductive layer may be formed on a substrate. A native oxide layer formed on the first conductive layer may be removed. A surface of the first conductive layer may be nitrided so that the surface may be altered into a nitride layer. A composite dielectric layer including the first and/or second dielectric layers may be formed on the nitride layer. A second conductive layer may be formed on the composite dielectric layer. The first dielectric layer may include a material having a higher dielectric constant. The second dielectric layer may be capable of suppressing crystallization of the first dielectric layer.