公开(公告)号：US20110031459A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12886254

申请日：2010-09-20

申请人： Kohichi KUBO ,  Chikayoshi Kamata ,  Takayuki Tsukamoto ,  Shinya Aoki ,  Takahiro Hirai ,  Tsukasa Nakai ,  Toshiro Hiraoka

发明人： Kohichi KUBO ,  Chikayoshi Kamata ,  Takayuki Tsukamoto ,  Shinya Aoki ,  Takahiro Hirai ,  Tsukasa Nakai ,  Toshiro Hiraoka

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/1481 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a first layer, a second layer and a recording layer. The recording layer is provided between the first layer and the second layer and being capable of reversibly changing between a first state having a first resistance and a second state having a second resistance higher than the first resistance. The recording layer includes a first compound layer and a second compound layer. The first compound layer contains a first compound. The first compound includes a first cation element and a second cation element of a type different from the first cation element. The second compound layer contains a second compound. The second compound includes a transition element having a d-orbital partially filled with electron, and the second compound includes a void site capable of storing at least one of the first cation element and the second cation element.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括第一层，第二层和记录层。 记录层设置在第一层和第二层之间，并且能够在具有第一电阻的第一状态和具有高于第一电阻的第二电阻的第二状态之间可逆地改变。 记录层包括第一化合物层和第二化合物层。 第一化合物层含有第一化合物。 第一化合物包括第一阳离子元件和不同于第一阳离子元件的第二阳离子元件。 第二化合物层含有第二化合物。 第二化合物包括具有部分填充有电子的d轨道的过渡元素，并且第二化合物包括能够存储第一阳离子元件和第二阳离子元素中的至少一种的空隙位置。

公开(公告)号：US20110006277A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12885719

申请日：2010-09-20

申请人： Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI ,  Takahiro HIRAI ,  Tsukasa NAKAI ,  Toshiro HIRAOKA

发明人： Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI ,  Takahiro HIRAI ,  Tsukasa NAKAI ,  Toshiro HIRAOKA

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/147

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a first layer, a second layer and a recording layer. The recording layer is provided between the first layer and the second layer and being capable of reversibly changing between a first state having a first resistance and a second state having a second resistance higher than the first resistance by a current supplied via the first layer and the second layer. The recording layer includes a first compound layer and an insulating layer. The first compound layer contains a first compound. The first compound includes a first cation element and a second cation element of a type different from the first cation element. The insulating layer contains a third compound, and the third compound includes an element selected from group 1 to 4 elements and group 12 to 17 elements in the periodic table.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括第一层，第二层和记录层。 记录层设置在第一层和第二层之间，并且能够通过经由第一层提供的电流在具有第一电阻的第一状态和具有比第一电阻高的第二电阻的第二状态之间可逆地改变， 第二层。 记录层包括第一化合物层和绝缘层。 第一化合物层含有第一化合物。 第一化合物包括第一阳离子元件和不同于第一阳离子元件的第二阳离子元件。 绝缘层包含第三化合物，第三化合物包括选自元素周期表中第1至4族元素和第12至17族元素的元素。

公开(公告)号：US20080239932A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12057938

申请日：2008-03-28

申请人： Chikayoshi KAMATA ,  Kohichi KUBO ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI ,  Takahiro HIRAI ,  Toshiro HIRAOKA

发明人： Chikayoshi KAMATA ,  Kohichi KUBO ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI ,  Takahiro HIRAI ,  Toshiro HIRAOKA

IPC分类号： G11B9/00

CPC分类号： G11B9/04 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72

摘要： A nonvolatile information recording and reproducing device exhibits low power consumption and high thermal stability. The information recording and reproducing apparatus according to an aspect of the present invention includes a recording layer and a unit for recording information by applying a voltage to the recording layer to generate a resistance change to be caused due to a phase change in the recording layer. The recording layer includes a material having a ramsdelite structure.

摘要翻译： 非易失性信息记录和再现装置具有低功耗和高热稳定性。 根据本发明的一个方面的信息记录和再现装置包括记录层和用于通过向记录层施加电压来记录信息的单元，以产生由于记录层的相位变化而引起的电阻变化。 记录层包括具有斜纹结构的材料。

公开(公告)号：US20100142262A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12636646

申请日：2009-12-11

申请人： Takayuki TSUKAMOTO ,  Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takahiro HIRAI ,  Shinya AOKI ,  Toshiro HIRAOKA

发明人： Takayuki TSUKAMOTO ,  Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takahiro HIRAI ,  Shinya AOKI ,  Toshiro HIRAOKA

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/147 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C16/3427 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/75 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1625

摘要： An information recording and reproducing apparatus, includes: a recording layer including a first layer including a first compound, the first compound being a conjugated compound including at least two types of cation elements, at least one selected from the cation elements being a transition element having a d orbit incompletely filled by electrons, a shortest distance between adjacent cation elements being not more than 0.32 nm; a voltage application unit that applies a voltage to the recording layer, produces a phase change in the recording layer, and records information; an electrode layer that applies a voltage to the recording layer; and an orientation control layer provided between the recording layer and the electrode layer to control an orientation of the recording layer.

摘要翻译： 一种信息记录和再现装置，包括：记录层，包括第一层，第一层包括第一化合物，第一化合物是包含至少两种阳离子元素的共轭化合物，选自阳离子元素中的至少一种是具有 ad轨道不完全填充电子，相邻阳离子元素之间的最短距离不大于0.32nm; 向记录层施加电压的电压施加单元，在记录层中产生相变，记录信息; 向记录层施加电压的电极层; 以及设置在记录层和电极层之间的取向控制层，以控制记录层的取向。

公开(公告)号：US20100142261A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12636606

申请日：2009-12-11

申请人： Kohichi KUBO ,  Chikayoshi Kamata ,  Takayuki Tsukamoto ,  Shinya Aoki ,  Takahiro Hirai ,  Toshiro Hiraoka

发明人： Kohichi KUBO ,  Chikayoshi Kamata ,  Takayuki Tsukamoto ,  Shinya Aoki ,  Takahiro Hirai ,  Toshiro Hiraoka

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0033 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C16/3427 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/75 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

摘要： An information recording and reproducing apparatus, includes: a stacked structure including an electrode layer and a recording layer; a buffer layer added to the electrode layer; and a voltage application unit configured to apply a voltage to the recording layer, produce a phase change in the recording layer, and record information. The recording layer includes a first layer including a first compound having an ilmenite structure represented by AxMyX3 (0.1≦x≦1.1 and 0.75≦y≦1), the A and the M being mutually different elements, at least one selected from the A and the M being a transition element having a d orbit incompletely filled by electrons, the A being an element including at least one selected from the group consisting of Be, Mg, Fe, Co, Ni, Cu, and Zn, the M being an element including at least one selected from the group consisting of Ti, Ge, Sn, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Nb, Ta, Mo, W, Re, Ru, and Rh, the X being an element including at least one selected from the group consisting of O (oxygen) and N (nitrogen).

摘要翻译： 一种信息记录和再现装置，包括：堆叠结构，包括电极层和记录层; 添加到电极层的缓冲层; 以及电压施加单元，被配置为向所述记录层施加电压，在所述记录层中产生相变，并记录信息。 记录层包括第一层，其包含具有由AxMyX3（0.1＆amp; NlE; x＆nlE; 1.1和0.75＆nlE; y＆nlE; 1）表示的钛铁矿结构的第一化合物，A和M是相互不同的元素， A和M是具有未被电子填充的轨道的过渡元素，A是包括选自Be，Mg，Fe，Co，Ni，Cu和Zn中的至少一种的元素，M是 包括选自由Ti，Ge，Sn，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Nb，Ta，Mo，W，Re，Ru和Rh组成的组中的至少一种的元素，X是包括 选自O（氧）和N（氮）中的至少一种。

公开(公告)号：US20120061732A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13228938

申请日：2011-09-09

申请人： Takahiro HIRAI ,  Tsukasa NAKAI ,  Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI

发明人： Takahiro HIRAI ,  Tsukasa NAKAI ,  Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/0688 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, an information recording/reproducing device including a semiconductor substrate, a first interconnect layer on the semiconductor substrate, a first memory cell array layer on the first interconnect layer, and a second interconnect layer on the first memory cell array layer. The first memory cell array layer comprises an insulating layer having an alignment mark, and a stacked layer structure on the insulating layer and including a storage layer and an electrode layer. All of the layers in the stacked layer structure comprises a material with a permeability of visible light of 1% or more.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种信息记录/再现装置，包括半导体衬底，半导体衬底上的第一互连层，第一互连层上的第一存储单元阵列层和第一存储单元阵列层上的第二互连层。 第一存储单元阵列层包括具有对准标记的绝缘层和绝缘层上的堆叠层结构，并且包括存储层和电极层。 堆叠层结构中的所有层包括具有1％或更高的可见光透过率的材料。

公开(公告)号：US20100238703A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12563739

申请日：2009-09-21

申请人： Kohichi KUBO ,  Hirofumi Inoue ,  Mitsuru Sato ,  Chikayoshi Kamata ,  Shinya Aoki ,  Noriko Bota

发明人： Kohichi KUBO ,  Hirofumi Inoue ,  Mitsuru Sato ,  Chikayoshi Kamata ,  Shinya Aoki ,  Noriko Bota

IPC分类号： G11C11/56 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： An information recording/reproducing device includes a first electrode layer, a second electrode layer, a recording layer as a variable resistance between the first and second electrode layer, and a circuit which supplies a voltage to the recording layer to change a resistance of the recording layer. Each of the first and second electrode layers is comprised of IV or III-V semiconductor doped with p-type carrier or n-type carrier.

摘要翻译： 信息记录/再现装置包括第一电极层，第二电极层，作为第一和第二电极层之间的可变电阻的记录层和向记录层提供电压以改变记录电阻的电路 层。 第一和第二电极层中的每一个由掺杂有p型载体或n型载流子的IV或III-V半导体构成。

公开(公告)号：US20110057246A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12886202

申请日：2010-09-20

申请人： Takeshi ARAKI ,  Takeshi YAMAGUCHI ,  Mariko HAYASHI ,  Kohichi KUBO ,  Takayuki TSUKAMOTO

发明人： Takeshi ARAKI ,  Takeshi YAMAGUCHI ,  Mariko HAYASHI ,  Kohichi KUBO ,  Takayuki TSUKAMOTO

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B9/04 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11C11/22 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, a non-volatile memory device includes a stacked structure and a voltage application portion. The stacked structure includes a memory portion, and an electrode stacked with the memory portion and having a surface having a portion facing the memory portion. The voltage application portion applies a voltage to the memory portion to cause a change in a resistance in the memory portion to store information. The surface includes a first region and a second region. The first region contains at least one of a metallic element, Si, Ga, and As. The first region is conductive. The second region contains at least one of the metallic element, Si, Ga, and As, and has a content ratio of nonmetallic element higher than a content ratio of nonmetallic element in the first region. At least one of the first region and the second region has an anisotropic shape on the surface.

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括堆叠结构和电压施加部分。 堆叠结构包括存储部分和与存储器部分堆叠并具有面向存储部分的部分的表面的电极。 电压施加部分向存储器部分施加电压以引起存储器部分中的电阻的变化以存储信息。 表面包括第一区域和第二区域。 第一区域包含金属元素Si，Ga和As中的至少一种。 第一个区域是导电的。 第二区域包含金属元素Si，Ga和As中的至少一种，并且具有高于第一区域中的非金属元素的含量比的非金属元素的含量比。 第一区域和第二区域中的至少一个在表面上具有各向异性的形状。

公开(公告)号：US20090134431A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12275794

申请日：2008-11-21

申请人： Hideyuki TABATA ,  Hiroyuki NAGASHIMA ,  Hirofumi INOUE ,  Kohichi KUBO ,  Masanori KOMURA

发明人： Hideyuki TABATA ,  Hiroyuki NAGASHIMA ,  Hirofumi INOUE ,  Kohichi KUBO ,  Masanori KOMURA

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L45/1675 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0009 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147

摘要： A nonvolatile semiconductor storage apparatus includes: a plurality of first wirings; a plurality of second wirings which cross the plurality of first wirings; and a memory cell which is connected between both the wirings at an intersection of the first and second wirings, and includes a variable resistive element operative to store information according to a change in resistance and includes a variable resistive element, wherein the memory cell is formed so that a cross section area of the variable resistive element becomes smaller than a cross section area of the other portion.

摘要翻译： 非易失性半导体存储装置包括：多个第一布线; 跨过多个第一配线的多个第二配线; 以及存储单元，其连接在所述第一和第二布线的交叉点处的所述布线之间，并且包括可变电阻元件，用于根据电阻变化存储信息，并且包括可变电阻元件，其中形成所述存储单元 使得可变电阻元件的横截面面积变得小于另一部分的横截面面积。

公开(公告)号：US20120163090A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13337420

申请日：2011-12-27

申请人： Kohichi KUBO

发明人： Kohichi KUBO

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C16/0483 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/066 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C16/0466 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  Y10T428/21

摘要： According to one embodiment, an information recording/reproducing device includes a recording layer, and a recording circuit configured to record information by generating a phase change in the recording layer while applying a voltage to the recording layer. The recording layer comprises a compound including at least one type of cationic element, and at least one type of anionic element, at least the one type of cationic element is a transition element including a d orbital incompletely filled with electrons, and the average shortest distance between adjacent cationic elements is 0.32 nm or less, and the recording layer is provided with a material selected from (i) AxMyX4 (0≦x≦2.2, 1.8≦y≦3), (ii) AxMyX3 (0≦x≦1.1, 0.9≦y≦3), and (iii) AxMyX4 (0≦x≦1.1, 0.9≦y≦3).

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录/再现装置包括记录层，以及记录电路，被配置为通过在记录层施加电压而在记录层中产生相变来记录信息。 记录层包括包含至少一种类型的阳离子元素的化合物和至少一种类型的阴离子元素，至少一种类型的阳离子元素是包括不完全充满电子的轨道的过渡元素，并且平均最短距离 相邻的阳离子元素为0.32nm以下，记录层设置有选自（i）AxMyX4（0＆amp; nlE; x＆amp; nlE; 2.2,1.8＆nlE; y＆nlE; 3）的材料，（ii）AxMyX3（0＆ 0.9＆nlE; y＆nlE; 3），和（iii）AxMyX4（0＆nlE; x＆nlE; 1.1,0.9＆amp; nlE; y＆nlE; 3）。