公开(公告)号：US20120273921A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13334048

申请日：2011-12-21

申请人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung Lee ,  Kyung-Woong Park ,  Kun-Hoon Baek ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

发明人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung Lee ,  Kyung-Woong Park ,  Kun-Hoon Baek ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device includes a dielectric layer, where the dielectric layer includes a metal oxide layer, a metal nitride carbide layer including hydrogen therein, and a reduction prevention layer inserted between the metal nitride carbide layer and the dielectric layer.

摘要翻译： 半导体器件包括电介质层，其中电介质层包括金属氧化物层，其中包含氢的金属氮化物碳化物层和插入在金属氮化物碳化物层和电介质层之间的还原性防止层。

公开(公告)号：US08962437B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13494400

申请日：2012-06-12

申请人： Beom-Yong Kim ,  Kee-Jeung Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee ,  Jae-Hyoung Koo ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

发明人： Beom-Yong Kim ,  Kee-Jeung Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee ,  Jae-Hyoung Koo ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a capacitor includes: forming a first silicon layer over a semiconductor substrate, where the first silicon layer is doped with a dopant; forming an undoped second silicon layer over the first silicon layer; forming an opening by etching the second silicon layer and the first silicon layer; forming a storage node in the opening; and removing the first silicon layer and the second silicon layer.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括：在半导体衬底上形成第一硅层，其中所述第一硅层掺杂有掺杂剂; 在所述第一硅层上形成未掺杂的第二硅层; 通过蚀刻第二硅层和第一硅层形成开口; 在开口中形成存储节点; 以及去除所述第一硅层和所述第二硅层。

公开(公告)号：US08288274B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12318468

申请日：2008-12-30

申请人： Deok-Sin Kil ,  Kee-Jeung Lee ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Jeong-Yeop Lee ,  Ja-Yong Kim

发明人： Deok-Sin Kil ,  Kee-Jeung Lee ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Jeong-Yeop Lee ,  Ja-Yong Kim

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76873 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/65

摘要： A noble metal layer is formed using ozone (O3) as a reaction gas.

摘要翻译： 使用臭氧（O 3）作为反应气体形成贵金属层。

公开(公告)号：US20110169134A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069280

申请日：2011-03-22

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a pillar-type storage node, a supporter disposed entirely within an inner empty crevice of the storage node, a conductive capping layer over the supporter and contacting the storage node so as to seal an entrance to the inner empty crevice, a dielectric layer over the storage node, and a plate node over the dielectric layer.

摘要翻译： 一种电容器包括：柱状存储节点，完全位于存储节点的内部空缝隙内的支撑件，在支撑件上方的导电覆盖层，并与存储节点接触，以密封内部空缝隙的入口;电介质 存储节点上的平板节点以及电介质层上的平板节点。

公开(公告)号：US08035193B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12343379

申请日：2008-12-23

申请人： Kwan-Woo Do ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park ,  Jeong-Yeop Lee

发明人： Kwan-Woo Do ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park ,  Jeong-Yeop Lee

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H01L28/65

摘要： A capacitor includes a bottom electrode, a dielectric layer and a top electrode over a substrate. A RuXTiYOZ film is included in at least one of the bottom and top electrodes, where x, y and z are positive real numbers. A method of fabricating the capacitor through a sequential formation of a bottom electrode, a dielectric layer and a top electrode over a substrate includes forming a RuXTiYOZ film during a formation of at least one of the bottom electrode and top electrode, where x, y and z are positive real numbers.

摘要翻译： 电容器包括底部电极，电介质层和衬底上的顶部电极。 至少一个底部电极和顶部电极中包含RuXTiYOZ膜，其中x，y和z为正实数。 通过顺序形成底部电极，电介质层和衬底上的顶部电极来制造电容器的方法包括在形成底部电极和顶部电极中的至少一个时形成RuXTiYOZ膜，其中x，y和 z是正实数。

公开(公告)号：US07910428B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12164073

申请日：2008-06-29

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a pillar-type storage node, a supporter filling an inner empty crevice of the storage node, a dielectric layer over the storage node, and a plate node over the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括柱状存储节点，填充存储节点的内部空缝隙的支撑体，存储节点上方的电介质层，以及介电层上的板状节点。

公开(公告)号：US20080157278A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11965016

申请日：2007-12-27

申请人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park ,  Han-Sang Song

发明人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park ,  Han-Sang Song

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65

摘要： A capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer, an upper electrode, and a ruthenium oxide layer. At least one of the lower electrode and the upper electrode is formed of a ruthenium layer, and the ruthenium oxide layer is disposed next to the ruthenium layer.

摘要翻译： 电容器包括下电极，电介质层，上电极和氧化钌层。 下电极和上电极中的至少一个由钌层形成，氧化钌层设置在钌层的旁边。

公开(公告)号：US08441100B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13069280

申请日：2011-03-22

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a pillar-type storage node, a supporter disposed entirely within an inner empty crevice of the storage node, a conductive capping layer over the supporter and contacting the storage node so as to seal an entrance to the inner empty crevice, a dielectric layer over the storage node, and a plate node over the dielectric layer.

摘要翻译： 一种电容器包括：柱状存储节点，完全位于存储节点的内部空缝隙内的支撑件，在支撑件上方的导电覆盖层，并与存储节点接触，以密封内部空缝隙的入口;电介质 存储节点上的平板节点以及电介质层上的平板节点。

公开(公告)号：US07816202B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US12163937

申请日：2008-06-27

申请人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park

发明人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： A method for fabricating a capacitor includes providing a substrate having a capacitor region is employed, forming a first Ru1−xOx layer over the substrate, forming a Ru layer for a lower electrode over the first Ru1−xOx layer and deoxidizing the first Ru1−xOx layer, forming a dielectric layer over the Ru layer for a lower electrode, and forming a conductive layer for an upper electrode over the dielectric layer, wherein the first Ru1−xOx layer contains oxygen in an amount less than an oxygen amount of a RuO2 layer.

摘要翻译： 一种制造电容器的方法包括提供具有电容器区域的衬底，在衬底上形成第一Ru1-xOx层，在第一Ru1-xOx层上形成用于下电极的Ru层，并使第一Ru1-xOx层脱氧 在用于下电极的Ru层上形成电介质层，在电介质层上形成用于上电极的导电层，其中第一Ru1-xOx层含有的量小于RuO 2层的氧量的氧 。

公开(公告)号：US20090002917A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11965733

申请日：2007-12-28

申请人： Deok-Sin KIL ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Deok-Sin KIL ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01G9/00

CPC分类号： H01G4/008

摘要： A capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer over the lower electrode, and an upper electrode having a stack structure including a ruthenium-containing layer and a tungsten-containing layer over the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括下电极，在下电极上的电介质层，以及在电介质层上方具有包含含钌层和含钨层的叠层结构的上电极。