公开(公告)号：US07736527B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US12008215

申请日：2008-01-09

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Young-Ho Kim

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Young-Ho Kim

IPC分类号： H01G4/01 ,  C08G77/50 ,  B05D5/12

CPC分类号： C08G77/20 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32139 ,  H01L28/91

摘要： Siloxane polymer compositions and methods of manufacturing a capacitor are described. In some embodiments, a mold layer pattern is formed on a substrate having a conductive structure, and the mold layer pattern has an opening to expose the conductive structure. A conductive layer is formed on the substrate. A buffer layer pattern is formed on the conductive layer formed in the opening. The buffer layer pattern includes a siloxane polymer represented by the following Chemical Formula 1. The conductive layer is selectively removed to form a lower electrode. The mold layer pattern and the buffer layer pattern are removed. A dielectric layer and an upper electrode are formed on the substrate to form a capacitor. The methods may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.

摘要翻译： 描述硅氧烷聚合物组合物和制造电容器的方法。 在一些实施例中，在具有导电结构的基底上形成模具层图案，并且模具层图案具有露出导电结构的开口。 在基板上形成导电层。 在形成在开口中的导电层上形成缓冲层图案。 缓冲层图案包括由以下化学式1表示的硅氧烷聚合物。选择性地除去导电层以形成下电极。 去除模层图案和缓冲层图案。 在基板上形成电介质层和上电极，形成电容器。 这些方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

公开(公告)号：US08071484B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12132548

申请日：2008-06-03

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Youn-Kyung Wang ,  Mi-Ra Park

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Youn-Kyung Wang ,  Mi-Ra Park

IPC分类号： H01L21/311 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L21/0337

摘要： There are provided a method of forming a fine pattern employing self-aligned double patterning. The method includes providing a substrate. First mask patterns are formed on the substrate. A reactive layer is formed on the substrate having the first mask patterns. The reactive layer adjacent to the first mask patterns is reacted using a chemical attachment process, thereby forming sacrificial layers along outer walls of the first mask patterns. The reactive layer that is not reacted is removed to expose the sacrificial layers. Second mask patterns are formed between the sacrificial layers adjacent to sidewalls of the first mask patterns facing each other. The sacrificial layers are removed to expose the first and second mask patterns and the substrate exposed between the first and second mask patterns. The substrate is etched using the first and second mask patterns as an etching mask.

摘要翻译： 提供了使用自对准双重图案形成精细图案的方法。 该方法包括提供基板。 在基板上形成第一掩模图案。 在具有第一掩模图案的基板上形成反应层。 使用化学附着工艺反应与第一掩模图案相邻的反应层，从而沿着第一掩模图案的外壁形成牺牲层。 去除未反应的反应层以暴露牺牲层。 在与彼此面对的第一掩模图案的侧壁相邻的牺牲层之间形成第二掩模图案。 去除牺牲层以暴露在第一和第二掩模图案之间暴露的第一和第二掩模图案和衬底。 使用第一和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底。

公开(公告)号：US07985347B2

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：US12002052

申请日：2007-12-14

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Seok Han

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Seok Han

IPC分类号： C03C25/68 ,  C23C1/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01G13/00 ,  H01G4/33 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a pattern and a method of forming a capacitor, an oxide layer pattern having an opening is formed on a substrate. A conductive layer is formed on the oxide layer pattern and the bottom and sidewalls of the opening. A buffer layer pattern is formed in the opening having the conductive layer, the buffer layer pattern including a siloxane polymer. The conductive layer on the oxide layer pattern is selectively removed using the buffer layer pattern as an etching mask. A conductive pattern having a cylindrical shape can be formed on the substrate. The method of forming a pattern may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.

摘要翻译： 在形成图案的方法和形成电容器的方法中，在基板上形成具有开口的氧化物层图案。 在氧化物层图案和开口的底部和侧壁上形成导电层。 在具有导电层的开口中形成缓冲层图案，缓冲层图案包括硅氧烷聚合物。 使用缓冲层图案作为蚀刻掩模，选择性地去除氧化物层图案上的导电层。 可以在基板上形成具有圆柱形状的导电图案。 形成图案的方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

公开(公告)号：US20080142474A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US12002052

申请日：2007-12-14

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Seok Han

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Seok Han

IPC分类号： H01G4/00

CPC分类号： H01G13/00 ,  H01G4/33 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a pattern and a method of forming a capacitor, an oxide layer pattern having an opening is formed on a substrate. A conductive layer is formed on the oxide layer pattern and the bottom and sidewalls of the opening. A buffer layer pattern is formed in the opening having the conductive layer, the buffer layer pattern including a siloxane polymer. The conductive layer on the oxide layer pattern is selectively removed using the buffer layer pattern as an etching mask. A conductive pattern having a cylindrical shape can be formed on the substrate. The method of forming a pattern may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.

摘要翻译： 在形成图案的方法和形成电容器的方法中，在基板上形成具有开口的氧化物层图案。 在氧化物层图案和开口的底部和侧壁上形成导电层。 在具有导电层的开口中形成缓冲层图案，缓冲层图案包括硅氧烷聚合物。 使用缓冲层图案作为蚀刻掩模，选择性地去除氧化物层图案上的导电层。 可以在基板上形成具有圆柱形状的导电图案。 形成图案的方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

公开(公告)号：US20080171137A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：US12008215

申请日：2008-01-09

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Young-Ho Kim

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Myung-Sun Kim ,  Young-Ho Kim

IPC分类号： B05D5/12 ,  C08G77/14

CPC分类号： C08G77/20 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32139 ,  H01L28/91

摘要： Siloxane polymer compositions and methods of manufacturing a capacitor are described. In some embodiments, a mold layer pattern is formed on a substrate having a conductive structure, and the mold layer pattern has an opening to expose the conductive structure. A conductive layer is formed on the substrate. A buffer layer pattern is formed on the conductive layer formed in the opening. The buffer layer pattern includes a siloxane polymer represented by the following Chemical Formula 1. The conductive layer is selectively removed to form a lower electrode. The mold layer pattern and the buffer layer pattern are removed. A dielectric layer and an upper electrode are formed on the substrate to form a capacitor. The methods may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.

摘要翻译： 描述硅氧烷聚合物组合物和制造电容器的方法。 在一些实施例中，在具有导电结构的基底上形成模具层图案，并且模具层图案具有露出导电结构的开口。 在基板上形成导电层。 在形成在开口中的导电层上形成缓冲层图案。 缓冲层图案包括由以下化学式1表示的硅氧烷聚合物。选择性地除去导电层以形成下电极。 去除模层图案和缓冲层图案。 在基板上形成电介质层和上电极，形成电容器。 这些方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

公开(公告)号：US20080121609A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11945934

申请日：2007-11-27

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Myung-Sun Kim

IPC分类号： H01G4/00

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a pattern, a mold layer having an opening is formed on a substrate. A conductive layer is formed on the mold layer having the opening, the conductive layer having a substantially uniform thickness. A buffer layer pattern is formed in the opening having the conductive layer, the buffer layer pattern having a cross-linked structure of water-soluble copolymers including a repeating unit of N-vinyl-2-pyrrolidone and a repeating unit of acrylate. An upper portion of the conductive layer exposed over the buffer layer pattern is etched. Accordingly, a conductive pattern for a semiconductor device is formed on the substrate. The method of forming a pattern may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.

摘要翻译： 在形成图案的方法中，在基板上形成具有开口的模具层。 在具有开口的模具层上形成导电层，导电层具有基本均匀的厚度。 在具有导电层的开口中形成缓冲层图案，缓冲层图案具有包含N-乙烯基-2-吡咯烷酮的重复单元和丙烯酸重复单元的水溶性共聚物的交联结构。 蚀刻在缓冲层图案上暴露的导电层的上部。 因此，在基板上形成用于半导体器件的导电图案。 形成图案的方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

公开(公告)号：US07776730B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US12216682

申请日：2008-07-09

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Youn-Kyung Wang ,  Mi-Ra Park

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Youn-Kyung Wang ,  Mi-Ra Park

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： C08G77/38 ,  H01L28/91

摘要： A siloxane polymer composition includes an organic solvent in an amount of about 93 percent by weight to about 98 percent by weight, based on a total weight of the siloxane polymer composition, and a siloxane complex in an amount of about 2 percent by weight to about 7 percent by weight, based on the total weight of the siloxane polymer composition, the siloxane complex including a siloxane polymer with an introduced carboxylic acid and being represented by Formula 1 below, wherein each of R1, R2 R3, and R4 independently represents H, OH, CH3, C2H5, C3H7, C4H9 or C5H11, R′ represents CH2, C2H4, C3H6, C4H8, C5H10 or C6H12, and n represents a positive integer so the siloxane polymer of the siloxane complex has a number average molecular weight of about 4,000 to about 5,000.

摘要翻译： 硅氧烷聚合物组合物包含基于硅氧烷聚合物组合物的总重量为约93重量％至约98重量％的量的有机溶剂和约2重量％至约2重量％的硅氧烷配合物 7重量％，基于硅氧烷聚合物组合物的总重量，硅氧烷配合物包括具有引入的羧酸的硅氧烷聚合物并由下式1表示，其中R1，R2 R3和R4各自独立地表示H， OH，CH3，C2H5，C3H7，C4H9或C5H11，R'表示CH2，C2H4，C3H6，C4H8，C5H10或C6H12，n表示正整数，硅氧烷配合物的硅氧烷聚合物的数均分子量为约4,000 至约5,000。

公开(公告)号：US07282319B2

公开(公告)日：2007-10-16

申请号：US11141736

申请日：2005-05-31

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Yeu-Young Youn ,  Youn-Kyung Wang ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Yeu-Young Youn ,  Youn-Kyung Wang ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03C7/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122

摘要： A photoresist composition for preventing exposing failures and a method of forming a pattern using the same are disclosed. The photoresist composition preferably comprises about 0.1% to about 0.5% by weight of a photo acid generator, and about 2% to about 10% by weight of a polymer resin, the PAG including a monophenyl sulfonium compound, a triphenyl sulfonium compound or a mixture thereof. The footing phenomenon and the top loss of a pattern are sufficiently prevented.

摘要翻译： 公开了一种用于防止暴露故障的光致抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法。 光致抗蚀剂组合物优选包含约0.1重量％至约0.5重量％的光酸产生剂和约2重量％至约10重量％的聚合物树脂，该PAG包括单苯基锍化合物，三苯基锍化合物或混合物 其中。 充分防止了基础现象和图案的最大损失。

公开(公告)号：US20060160019A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11333934

申请日：2006-01-17

申请人： Youn-Kyung Wang ,  Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Youn-Kyung Wang ,  Kyoung-Mi Kim ,  Young-Ho Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

摘要： In a photosensitive resin, a photoresist composition having the photosensitive resin, and a method of forming a photoresist pattern by using the photoresist, the photosensitive resin includes a blocking group substituted for an acid. The photosensitive resin has a weight-average molecular weight of from about 6,000 up to about 8,000. The photosensitive resin has a blocking ratio of from about 5% up to about 40%.

摘要翻译： 在感光性树脂中，具有感光性树脂的光致抗蚀剂组合物和通过使用光致抗蚀剂形成光致抗蚀剂图案的方法，感光性树脂包括取代酸的封端基。 感光性树脂的重均分子量为约6,000至约8,000。 感光性树脂的阻塞率为约5％至约40％。

公开(公告)号：US20110294072A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13117667

申请日：2011-05-27

申请人： Mi-Ra PARK ,  Kyoung-Mi Kim ,  Jeong-Ju Park ,  Bo-Hee Lee ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim

发明人： Mi-Ra PARK ,  Kyoung-Mi Kim ,  Jeong-Ju Park ,  Bo-Hee Lee ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device using a photolithography process may include forming an anti-reflective layer and a first photoresist film on a lower surface. The first photoresist film may be exposed to light and a first photoresist pattern having a first opening may be formed by developing the first photoresist film. A plasma treatment can be performed on the first photoresist pattern and a second photoresist film may be formed on the first photoresist pattern, which may be exposed to light. A second photoresist pattern may be formed to have a second opening by developing the second photoresist film. Here, the second opening may be substantially narrower than the first opening.

摘要翻译： 使用光刻工艺制造半导体器件的方法可以包括在下表面上形成抗反射层和第一光致抗蚀剂膜。 可以将第一光致抗蚀剂膜暴露于光，并且可以通过显影第一光致抗蚀剂膜来形成具有第一开口的第一光致抗蚀剂图案。 可以在第一光致抗蚀剂图案上进行等离子体处理，并且可以在可以暴露于光的第一光致抗蚀剂图案上形成第二光致抗蚀剂膜。 可以通过显影第二光致抗蚀剂膜来形成第二光致抗蚀剂图案以具有第二开口。 这里，第二开口可以比第一开口窄得多。