公开(公告)号：US20220018026A1

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：US17489864

申请日：2021-09-30

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Clément LANSALOT-MATRAS ,  Julien LIEFFRIG ,  Christian DUSSARRAT ,  Antoine COLAS ,  Jong Min KIM

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/30

摘要： Disclosed are Group 6 film forming compositions comprising Group 6 transition metal-containing precursors selected from the group consisting of: M(=O)2(OR)2  Formula I, M(=O)(NR2)4  Formula II, M(=O)2(NR2)2  Formula III, M(=NR)2(OR)2  Formula IV, and M(=O)(OR)4  Formula V, wherein M is Mo or W and each R is independently H, a C1 to C6 alkyl group, or SiR′3, wherein R′ is H or a C1 to C6 alkyl group. Also disclosed are methods of synthesizing and using the disclosed compositions to deposit Group 6 transition metal-containing films on substrates via vapor deposition processes.

公开(公告)号：US20160115588A1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：US14986286

申请日：2015-12-31

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Satoko GATINEAU ,  Mikiko KIMURA ,  Christian DUSSARRAT ,  Jean-Marc GIRARD ,  Nicolas BLASCO

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  H01L21/285

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76898

摘要： Cobalt-containing film forming compositions, their preparation, and their use for the vapor deposition of films are disclosed. The cobalt-containing film forming compositions comprise silylamide-containing precursors, particularly Co[N(SiMe3)2]2(NMe2Et) and/or Co[N(SiMe3)2]2(NMeEt2).

摘要翻译： 公开了含钴的成膜组合物，它们的制备及其用于气相沉积膜的用途。 含钴的成膜组合物包含含甲酰胺的前体，特别是Co [N（SiMe 3）2] 2（NMe 2 Et）和/或Co [N（SiMe 3）2] 2（NMeEt 2）。

公开(公告)号：US20170125242A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：US15407913

申请日：2017-01-17

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Christian DUSSARRAT ,  Nicolas BLASCO ,  Audrey PINCHART ,  Christophe LACHAUD

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/003 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： Method of deposition on a substrate of a dielectric film by introducing into a reaction chamber a vapor of a precursor selected from the group consisting of Zr(MeCp)(NMe2)3, Zr(EtCp)(NMe2)3, ZrCp(NMe2)3, Zr(MeCp)(NEtMe)3, Zr(EtCp)(NEtMe)3, ZrCp(NEtMe)3, Zr(MeCp)(NEt2)3, Zr(EtCp)(NEt2)3, ZrCp(NEt2)3, Zr(iPr2Cp)(NMe2)3, Zr(tBu2Cp)(NMe2)3, Hf(MeCp)(NMe2)3, Hf(EtCp)(NMe2)3, HfCp(NMe2)3, Hf(MeCp)(NEtMe)3, Hf(EtCp)(NEtMe)3, HfCp(NEtMe)3, Hf(MeCp)(NEt2)3, Hf(EtCp)(NEt2)3, HfCp(NEt2)3, Hf(iPr2Cp)(NMe2)3, Hf(tBu2Cp)(NMe2)3, and mixtures thereof; and depositing the dielectric film on the substrate.

公开(公告)号：US20180151354A1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：US15882710

申请日：2018-01-29

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Christian DUSSARRAT ,  Nicolas BLASCO ,  Audrey PINCHART ,  Christophe LACHAUD

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/00 ,  C07F7/003 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： Method of deposition on a substrate of a dielectric film by introducing into a reaction chamber a vapor of a precursor selected from the group consisting of Zr(MeCp)(NMe2)3, Zr(EtCp)(NMe2)3, ZrCp(NMe2)3, Zr(MeCp)(NEtMe)3, Zr(EtCp)(NEtMe)3, ZrCp(NEtMe)3, Zr(MeCp)(NEt2)3, Zr(EtCp)(NEt2)3, ZrCp(NEt2)3, Zr(iPr2Cp)(NMe2)3, Zr(tBu2Cp)(NMe2)3, Hf(MeCp)(NMe2)3, Hf(EtCp)(NMe2)3, HfCp(NMe2)3, Hf(MeCp)(NEtMe)3, Hf(EtCp)(NEtMe)3, HfCp(NEtMe)3, Hf(MeCp)(NEt2)3, Hf(EtCp)(NEt2)3, HfCp(NEt2)3, Hf(iPr2Cp)(NMe2)3, Hf(tBu2Cp)(NMe2)3, and mixtures thereof; and depositing the dielectric film on the substrate.

公开(公告)号：US20170044199A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：US15337840

申请日：2016-10-28

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Christian DUSSARRAT ,  Jean-Marc GIRARD ,  Hana ISHII ,  Clément LANSALOT-MATRAS ,  Julien LIEFFRIG

IPC分类号： C07F17/00 ,  B05D1/00 ,  C09D7/12 ,  H01L27/108 ,  H01L21/285

CPC分类号： C07F17/00 ,  B05D1/60 ,  B05D1/62 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  H01L21/285 ,  H01L27/108

摘要： Disclosed are Hafnium-containing film forming compositions comprising Silicon- and Hafnium-containing precursors having one of the following formulae: wherein each R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, Fe, R9 and R19 is independently selected from H; a C1-C5 linear, branched, or cyclic alkyl group; or a C1-C5 linear, branched, or cyclic fluoroalkyl group. Also disclosed are methods of synthesizing the disclosed compositions and using the same to deposit Hafnium-containing thin films on substrates via vapor deposition processes.

摘要翻译： 其中每个R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，R 6，R 7，Fe，R 9和R 19独立地选自H; C1-C5直链，支链或环状烷基; 或C 1 -C 5直链，支链或环状氟代烷基。 还公开了合成所公开的组合物并使用其的方法来通过气相沉积工艺在基底上沉积含铪的薄膜。

公开(公告)号：US20140322924A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：US14329108

申请日：2014-07-11

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude ,  American Air Liquide, Inc. ,  Air Liquide Electronics U.S. LP

发明人： Christian DUSSARRAT ,  Glenn KUCHENBEISER ,  Vincent M. OMARJEE ,  Ziyun WANG

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02208 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228

摘要： Disclosed are silicon containing compounds and their use in vapor deposition methods of hafnium silicate films having a desired silicon concentration. More particularly, deposition of hafnium silicate films by atomic layer deposition using moisture and the disclosed silicon containing compounds produce films having a desired silicon concentration.

摘要翻译： 公开了含硅化合物及其在具有期望的硅浓度的硅酸铪膜的气相沉积方法中的用途。 更具体地，通过使用水分的原子层沉积来沉积硅酸铪膜，并且所公开的含硅化合物产生具有期望的硅浓度的膜。

公开(公告)号：US20220243319A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：US17436567

申请日：2020-03-02

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Takashi ONO ,  Christian DUSSARRAT

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C07F5/00

摘要： A process for forming an indium-containing film on at least part of the surface of a substrate, the process comprising (a) placing a substrate into a chamber; (b) introducing a vapor that includes an indium-containing compound into the chamber; (c) purging the chamber with a first purge gas; (d) introducing an oxygen-containing gas into the chamber; and (e) purging the chamber with a second purge gas; and (f) repeating steps (b)-(e) at a temperature of ≥225° C. and ≤400° C. until a desired thickness of the indium-containing film is obtained.

公开(公告)号：US20170044664A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：US15337765

申请日：2016-10-28

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Christian DUSSARRAT ,  Jean-Marc GIRARD ,  Hana ISHII ,  Clément LANSALOT-MATRAS ,  Julien LIEFFRIG

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L49/02 ,  C07F7/30

CPC分类号： C23C16/40 ,  C07F7/30 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

摘要： Disclosed are Hafnium-containing film forming compositions comprising Germanium- and Hafnium-containing precursors having one of the following formulae: wherein each R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9 and R10 is independently selected from H; a C1-C5 linear, branched, or cyclic alkyl group; and a C1-C5 linear, branched, or cyclic fluoroalkyl groups. Also disclosed are methods of synthesizing the disclosed compositions and using the same to deposit Hafnium-containing films on substrates via vapor deposition processes.

摘要翻译： 其中每个R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，R 6，R 7，R 8，R 9和R 10独立地选自H; C1-C5直链，支链或环状烷基; 和C 1 -C 5直链，支链或环状氟代烷基。 还公开了合成所公开的组合物并使用其的方法来通过气相沉积工艺在基底上沉积含铪膜。

公开(公告)号：US20160315168A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：US15199223

申请日：2016-06-30

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Christian DUSSARRAT ,  Clément LANSALOT-MATRAS ,  Antoine COLAS

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/443 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

摘要： Precursors suitable for vapor deposition of layers in thin film transistors and electronic devices comprising such thin film transistors are disclosed.

公开(公告)号：US20150176120A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：US14580352

申请日：2014-12-23

申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： Clement LANSALOT-MATRAS ,  Julien LIEFFRIG ,  Hana ISHII ,  Christian DUSSARRAT

IPC分类号： C23C16/16 ,  C07F19/00

CPC分类号： C07F19/00 ,  C07F17/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45553

摘要： Disclosed are Silicon- and Zirconium-containing precursors having one of the following formulae: wherein each R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9 and R10 is independently selected from H; a C1-C5 linear, branched, or cyclic alkyl group; or a C1-C5 linear, branched, or cyclic fluoroalkyl group. Also disclosed are methods of synthesizing the disclosed precursors and using the same to deposit Zirconium-containing thin films on substrates via vapor deposition processes.

摘要翻译： 公开了具有下式之一的含硅和锆的前体：其中每个R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，R 6，R 7，R 8，R 9和R 10独立地选自H; C1-C5直链，支链或环状烷基; 或C 1 -C 5直链，支链或环状氟代烷基。 还公开了合成所公开的前体的方法，并使用该方法通过气相沉积工艺在基底上沉积含锆的薄膜。