公开(公告)号：US06171949B2

公开(公告)日：2001-01-09

申请号：US09329155

申请日：1999-06-09

申请人： Lu You ,  Shekhar Pramanick

发明人： Lu You ,  Shekhar Pramanick

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/318

摘要： A method for manufacturing an integrated circuit using damascene processes is provided in which conductive material surfaces subject to chemical-mechanical polishing are passivated after polishing with a dry, low energy, ion implantation passivating process to prevent oxidation and to eliminate a high dielectric constant protective layer. In particular, copper conductive material is subject to nitrogen implantation at or below 100 KeV to produce a protective copper nitride.

摘要翻译： 提供一种使用镶嵌工艺制造集成电路的方法，其中进行化学机械抛光的导电材料表面在用干燥，低能量的离子注入钝化工艺抛光后被钝化，以防止氧化并消除高介电常数保护层 。 特别地，铜导电材料在100KeV以下进行氮注入以产生保护性的氮化铜。

公开(公告)号：US6147000A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US225546

申请日：1999-01-05

申请人： Lu You ,  Shekhar Pramanick ,  Takeshi Nogami

发明人： Lu You ,  Shekhar Pramanick ,  Takeshi Nogami

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76886 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858

摘要： A Cu interconnect member is passivated by diffusing Sn, Ta or Cr atoms into its upper surface to form an intermetallic layer. Embodiments include depositing Cu by electroplating or electroless plating to fill a damascene opening in a dielectric layer, CMP, depositing a sacrificial layer of Sn, Ta or Cr on the planarized surface, heating to diffuse Sn, Ta or Cr into the upper surface of the deposited Cu to form a passivating intermetallic alloy layer, and removing any remaining sacrificial layer by CMP or etching.

摘要翻译： 通过将Sn，Ta或Cr原子扩散到其上表面来形成金属间化合物来钝化Cu互连构件。 实施例包括通过电镀或化学电镀沉积Cu以填充电介质层中的镶嵌开口，CMP，在平坦化表面上沉积Sn，Ta或Cr的牺牲层，加热以将Sn，Ta或Cr扩散到 沉积Cu以形成钝化金属间合金层，并通过CMP或蚀刻去除任何残留的牺牲层。

公开(公告)号：US08202810B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US11971331

申请日：2008-01-09

申请人： Alexander H. Nickel ,  Allen L. Evans ,  Minh Quoc Tran ,  Lu You ,  Minh Van Ngo ,  Pei-Yuan Gao ,  William S. Brennan ,  Erik Wilson ,  Sung Jin Kim ,  Hieu Trung Pham

发明人： Alexander H. Nickel ,  Allen L. Evans ,  Minh Quoc Tran ,  Lu You ,  Minh Van Ngo ,  Pei-Yuan Gao ,  William S. Brennan ,  Erik Wilson ,  Sung Jin Kim ,  Hieu Trung Pham

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  Y10S438/902

摘要： A method for forming a single damascene and/or dual damascene, contact and interconnect structure, comprising: performing front end processing, depositing copper including a copper barrier, annealing the copper in at least 90% N2 with less than 10% H2, performing planarization, performing in-situ low-H NH3 plasma treatment and low Si—H SiN etch stop layer deposition, and performing remaining back end processing.

摘要翻译： 一种用于形成单个镶嵌和/或双镶嵌，接触和互连结构的方法，包括：执行前端处理，沉积包含铜屏障的铜，在至少90％的N 2中以小于10％的H 2退火铜，进行平面化 ，进行原位低H NH 3等离子体处理和低Si-H SiN蚀刻停止层沉积，并执行剩余的后端处理。

公开(公告)号：US20080108193A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11593086

申请日：2006-11-06

申请人： Lu You ,  Alexander Nickel ,  Minh Q. Tran ,  Minh-Van Ngo ,  Hieu Pham ,  Erik Wilson ,  Hirokazu Tokuno ,  Amir Hossein Jafarpour ,  Inkuk Kang ,  Robert Huertas

发明人： Lu You ,  Alexander Nickel ,  Minh Q. Tran ,  Minh-Van Ngo ,  Hieu Pham ,  Erik Wilson ,  Hirokazu Tokuno ,  Amir Hossein Jafarpour ,  Inkuk Kang ,  Robert Huertas

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76883 ,  H01L27/11521

摘要： Data retention in flash memory devices, such as mirrorbit devices, is improved by reducing the generation and/or diffusion of hydrogen ions during back end processing, such as annealing inlaid Cu. Embodiments include annealing inlaid Cu in an N2 atmosphere containing low H2 or no H2, and at temperatures less than 200° C., e.g., 100° C. to 150° C.

摘要翻译： 通过减少后端处理中的氢离子的产生和/或扩散（例如退火的Cu）来改善闪存器件（例如镜像位装置）中的数据保留。 实施方案包括在含有低H 2 N 2或无H 2 N的N 2 O 2气氛中以及在低于200℃的温度下退火嵌入的Cu， 例如，100℃至150℃

公开(公告)号：US20080096364A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11582442

申请日：2006-10-18

申请人： Erik Wilson ,  Minh-Van Ngo ,  Hieu Pham ,  Robert Huertas ,  Lu You ,  Hirokazu Tokuno ,  Alexander Nickel ,  Minh Tran

发明人： Erik Wilson ,  Minh-Van Ngo ,  Hieu Pham ,  Robert Huertas ,  Lu You ,  Hirokazu Tokuno ,  Alexander Nickel ,  Minh Tran

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/823468 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823437

摘要： Gap filling between features which are closely spaced is significantly improved by initially depositing a thin conformal layer followed by depositing a layer of gap filling dielectric material. Embodiments include depositing a thin conformal layer of silicon nitride or silicon oxide, as by atomic layer deposition or pulsed layer deposition, into the gap between adjacent gate electrode structures such that it flows into undercut regions of dielectric spacers on side surfaces of the gate electrode structures, and then depositing a layer of BPSG or P-HDP oxide on the thin conformal layer into the gap. Embodiments further include depositing the layers at a temperature less than 430° C., as by depositing a P-HDP oxide after depositing the conformal liner when the gate electrode structures include a layer of nickel silicide.

摘要翻译： 通过初始沉积薄的共形层，然后沉积一层间隙填充电介质材料，密切间隔的特征之间的间隙填充显着改善。 实施例包括通过原子层沉积或脉冲层沉积将氮化硅或氧化硅的薄保形层沉积到相邻栅电极结构之间的间隙中，使得其流到栅电极结构的侧表面上的电介质间隔物的底切区域 ，然后在薄的共形层上沉积一层BPSG或P-HDP氧化物到间隙中。 实施例还包括在低于430℃的温度下沉积层，如通过在栅极电极结构包括硅化镍层沉积保形衬垫之后沉积P-HDP氧化物。

公开(公告)号：US07309650B1

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US11065388

申请日：2005-02-24

申请人： Connie Pin-Chin Wang ,  Lu You ,  Zoran Krivokapic ,  Paul Raymond Besser ,  Suzette Keefe Pangrle

发明人： Connie Pin-Chin Wang ,  Lu You ,  Zoran Krivokapic ,  Paul Raymond Besser ,  Suzette Keefe Pangrle

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7833 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332

摘要： A memory device having a metal nanocrystal charge storage structure and a method for its manufacture. The memory device may be manufactured by forming a first oxide layer on the semiconductor substrate, then disposing a porous dielectric layer on the oxide layer and disposing a second oxide layer on the porous dielectric layer. A layer of electrically conductive material is formed on the second layer of dielectric material. An etch mask is formed on the electrically conductive material. The electrically conductive material and the underlying dielectric layers are anisotropically etched to form a dielectric structure on which a gate electrode is disposed. A metal layer is formed on the dielectric structure and the gate electrode and treated so that portions of the metal layer diffuse into the porous dielectric layer. Then the metal layer is removed.

摘要翻译： 一种具有金属纳米晶体电荷存储结构的存储器件及其制造方法。 存储器件可以通过在半导体衬底上形成第一氧化物层，然后在氧化物层上设置多孔介电层并在第二氧化物层上设置第二氧化物层来制造。 在第二介电材料层上形成一层导电材料。 在导电材料上形成蚀刻掩模。 导电材料和下面的介电层被各向异性地蚀刻以形成其上设置有栅电极的电介质结构。 在介电结构和栅电极上形成金属层，并处理金属层的一部分扩散到多孔介电层中。 然后去除金属层。

公开(公告)号：US20050085073A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10687186

申请日：2003-10-16

申请人： Sergey Lopatin ,  Paul Besser ,  Alline Myers ,  Jeremias Romero ,  Minh Tran ,  Lu You ,  Connie Wang

发明人： Sergey Lopatin ,  Paul Besser ,  Alline Myers ,  Jeremias Romero ,  Minh Tran ,  Lu You ,  Connie Wang

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76877

摘要： An exemplary embodiment is related to a method of using an adhesion precursor in an integrated circuit fabrication process. The method includes providing a gas of material over a dielectric material and providing a copper layer over an adhesion precursor layer. The adhesion precursor layer is formed by the gas, and the dielectric material includes an aperture.

摘要翻译： 示例性实施例涉及在集成电路制造工艺中使用粘附前体的方法。 该方法包括在介电材料上提供材料的气体并在粘附前体层上提供铜层。 粘附前体层由气体形成，电介质材料包括孔。

公开(公告)号：US06699792B1

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：US09907398

申请日：2001-07-17

申请人： Fei Wang ,  Lu You ,  Lynne Okada

发明人： Fei Wang ,  Lu You ,  Lynne Okada

IPC分类号： H01L21311

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

摘要： In forming an opening or space in a substrate, a layer of photoresist is provided on the substrate, and the photoresist is patterned to provide photoresist bodies having respective adjacent sidewalls. A polymer layer is provided on the resulting structure through a low temperature conformal CVD process. The polymer layer is anisotropically etched to form spacers on the respective adjacent sidewalls of the photoresist bodies. The substrate is then etched using the spacers as a mask.

摘要翻译： 在形成衬底中的开口或空间时，在衬底上提供光致抗蚀剂层，并且对光致抗蚀剂进行图案化以提供具有相应相邻侧壁的光致抗蚀剂体。 通过低温保形CVD工艺在所得结构上提供聚合物层。 聚合物层被各向异性蚀刻以在光致抗蚀剂体的各个相邻侧壁上形成间隔物。 然后使用间隔物作为掩模蚀刻衬底。

公开(公告)号：US06635943B1

公开(公告)日：2003-10-21

申请号：US09533617

申请日：2000-03-22

申请人： Angela T. Hui ,  Tuan Duc Pham ,  Richard J. Huang ,  Mark T. Ramsbey ,  Lu You

发明人： Angela T. Hui ,  Tuan Duc Pham ,  Richard J. Huang ,  Mark T. Ramsbey ,  Lu You

IPC分类号： H01L2900

CPC分类号： H01L21/823425 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76837

摘要： A method and system for insulating a lower layer of a semiconductor device from an upper layer of the semiconductor device is disclosed. The method and system include providing an interlayer dielectric on the lower layer. The interlayer dielectric is capable of gap filling while using only species of relatively low mobility. The method and system also include planarizing a surface of the interlayer dielectric.

摘要翻译： 公开了一种用于将半导体器件的下层与半导体器件的上层绝缘的方法和系统。 该方法和系统包括在下层上提供层间电介质。 层间电介质能够间隙填充，同时仅使用相对较低迁移率的物质。 该方法和系统还包括平坦化层间电介质的表面。

公开(公告)号：US06518167B1

公开(公告)日：2003-02-11

申请号：US10123588

申请日：2002-04-16

申请人： Lu You ,  Matthew S. Buynoski ,  Paul R. Besser ,  Jeremias D. Romero ,  Pin-Chin Connie Wang ,  Minh Q. Tran

发明人： Lu You ,  Matthew S. Buynoski ,  Paul R. Besser ,  Jeremias D. Romero ,  Pin-Chin Connie Wang ,  Minh Q. Tran

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76834

摘要： A method of forming a metal or metal nitride layer interface between a copper layer and a silicon nitride layer can include providing a metal organic gas or metal/metal nitride precursor over a copper layer, forming a metal or metal nitride layer from reactions between the metal organic gas or metal/metal nitride precursor and the copper layer, and depositing a silicon nitride layer over the metal or metal nitride layer and copper layer. The metal or metal nitride layer can provide a better interface adhesion between the silicon nitride layer and the copper layer. The metal layer can improve the interface between the copper layer and the silicon nitride layer, improving electromigration reliability and, thus, integrated circuit device performance.

摘要翻译： 在铜层和氮化硅层之间形成金属或金属氮化物层界面的方法可以包括在铜层上提供金属有机气体或金属/金属氮化物前体，从金属或金属氮化物层之间的反应形成金属或金属氮化物层 有机气体或金属/金属氮化物前体和铜层，以及在金属或金属氮化物层和铜层上沉积氮化硅层。 金属或金属氮化物层可以在氮化硅层和铜层之间提供更好的界面粘合性。 金属层可以改善铜层和氮化硅层之间的界面，提高电迁移可靠性，从而提高集成电路器件的性能。