公开(公告)号：US07307271B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US10982051

申请日：2004-11-05

申请人： M. Saif Islam ,  Philip J. Kuekes ,  Shih-Yuan Wang ,  Duncan R. Stewart ,  Shashank Sharma

发明人： M. Saif Islam ,  Philip J. Kuekes ,  Shih-Yuan Wang ,  Duncan R. Stewart ,  Shashank Sharma

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/041 ,  H01S5/183 ,  H01S5/341 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/3428 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763 ,  Y10S977/764 ,  Y10S977/938

摘要： A nano-colonnade structure-and methods of fabrication and interconnection thereof utilize a nanowire column grown nearly vertically from a (111) horizontal surface of a semiconductor layer to another horizontal surface of another layer to connect the layers. The nano-colonnade structure includes a first layer having the (111) horizontal surface; a second layer having the other horizontal surface; an insulator support between the first layer and the second layer that separates the first layer from the second layer. A portion of the second layer overhangs the insulator support, such that the horizontal surface of the overhanging portion is spaced from and faces the (111) horizontal surface of the first layer. The structure further includes a nanowire column extending nearly vertically from the (111) horizontal surface to the facing horizontal surface, such that the nanowire column connects the first layer to the second layer.

摘要翻译： 纳米柱廊结构及其制造和互连方法利用从半导体层的（111）水平表面几乎垂直地生长到另一层的另一水平表面的纳米线柱，以连接这些层。 纳米柱廊结构包括具有（111）水平表面的第一层; 具有另一水平表面的第二层; 第一层和第二层之间的绝缘体支撑，其将第一层与第二层分离。 第二层的一部分突出于绝缘体支撑件上，使得伸出部分的水平表面与第一层的（111）水平表面间隔开并面对第一层的（111）水平表面。 该结构还包括从（111）水平表面几乎垂直延伸到相对的水平表面的纳米线列，使得纳米线列将第一层连接到第二层。

公开(公告)号：US07906778B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US11730486

申请日：2007-04-02

申请人： Nobuhiko Kobayashi ,  Wei Wu ,  Duncan R Stewart ,  Shashank Sharma ,  Shih-Yuan Wang ,  R Stanley Williams

发明人： Nobuhiko Kobayashi ,  Wei Wu ,  Duncan R Stewart ,  Shashank Sharma ,  Shih-Yuan Wang ,  R Stanley Williams

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L31/035281 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/814

摘要： Methods of making nanometer-scale semiconductor structures with controlled size are disclosed. Semiconductor structures that include one or more nanowires are also disclosed. The nanowires can include a passivation layer or have a hollow tube structure.

摘要翻译： 公开了制备具有受控尺寸的纳米级半导体结构的方法。 还公开了包括一个或多个纳米线的半导体结构。 纳米线可以包括钝化层或具有中空管结构。

公开(公告)号：US20080237568A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11730486

申请日：2007-04-02

申请人： Nobuhiko Kobayashi ,  Wei Wu ,  Duncan R. Stewart ,  Shashank Sharma ,  Shih-Yuan Wang ,  R. Stanley Williams

发明人： Nobuhiko Kobayashi ,  Wei Wu ,  Duncan R. Stewart ,  Shashank Sharma ,  Shih-Yuan Wang ,  R. Stanley Williams

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L31/035281 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L31/036 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/814

摘要： Methods of making nanometer-scale semiconductor structures with controlled size are disclosed. Semiconductor structures that include one or more nanowires are also disclosed. The nanowires can include a passivation layer or have a hollow tube structure.

摘要翻译： 公开了制备具有受控尺寸的纳米级半导体结构的方法。 还公开了包括一个或多个纳米线的半导体结构。 纳米线可以包括钝化层或具有中空管结构。

公开(公告)号：US07208094B2

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：US10738176

申请日：2003-12-17

申请人： M. Saif Islam ,  Theodore I. Kamins ,  Shashank Sharma

发明人： M. Saif Islam ,  Theodore I. Kamins ,  Shashank Sharma

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/17 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53271 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/742 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor nanowire is grown laterally. A method of growing the nanowire forms a vertical surface on a substrate, and activates the vertical surface with a nanoparticle catalyst. A method of laterally bridging the nanowire grows the nanowire from the activated vertical surface to connect to an opposite vertical surface on the substrate. A method of connecting electrodes of a semiconductor device grows the nanowire from an activated device electrode to an opposing device electrode. A method of bridging semiconductor nanowires grows nanowires between an electrode pair in opposing lateral directions. A method of self-assembling the nanowire bridges the nanowire between an activated electrode pair. A method of controlling nanowire growth forms a surface irregularity in the vertical surface. An electronic device includes a laterally grown nano-scale interconnection.

摘要翻译： 半导体纳米线横向生长。 生长纳米线的方法在衬底上形成垂直表面，并用纳米颗粒催化剂激活垂直表面。 横向桥接纳米线的方法从激活的垂直表面生长纳米线，以连接到衬底上的相对的垂直表面。 连接半导体器件的电极的方法将纳米线从激活的器件电极生长到相对的器件电极。 桥接半导体纳米线的方法在相对的横向方向上的电极对之间生长纳米线。 自组装纳米线的方法在激活的电极对之间桥接纳米线。 控制纳米线生长的方法在垂直表面形成表面不规则性。 电子设备包括横向生长的纳米级互连。

公开(公告)号：US20080093693A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11584148

申请日：2006-10-20

申请人： Theodore I. Kamins ,  Shashank Sharma ,  Philip J. Kuekes

发明人： Theodore I. Kamins ,  Shashank Sharma ,  Philip J. Kuekes

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： A61B5/05 ,  A61B5/14546

摘要： A nanowire sensor is operable to detect one or more species. The nanowire sensor includes a nanowire having a plurality of variant selectively interactive segments. Each of the variant selectively interactive segments are configured to simultaneously interact with the species to modulate the conductance of the nanowire for detecting the species.

摘要翻译： 纳米线传感器可操作以检测一种或多种物质。 纳米线传感器包括具有多个变体选择性交互部分的纳米线。 每个变体选择性交互节段被配置为与物种同时相互作用以调节用于检测物种的纳米线的电导。

公开(公告)号：US07609432B2

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：US11549283

申请日：2006-10-13

申请人： Theodore I. Kamins ,  Wei Wu ,  Shih-Yuan Wang ,  Shashank Sharma

发明人： Theodore I. Kamins ,  Wei Wu ,  Shih-Yuan Wang ,  Shashank Sharma

IPC分类号： G02B26/12

CPC分类号： B81B3/0021 ,  B82Y15/00 ,  Y10S977/724 ,  Y10S977/762

摘要： A nanoelectromechanical (NEM) device and a method of making same employ a laterally extending nanowire. The nanowire is grown in place from a vertical side of a vertically extending support block that is provided on a horizontal surface of a substrate. The nanowire is spaced from the horizontal surface. The NEM device includes a component that is provided to influence the nanowire.

摘要翻译： 纳米机电（NEM）器件及其制造方法采用横向延伸的纳米线。 纳米线从设置在基板的水平表面上的垂直延伸的支撑块的垂直侧生长就位。 纳米线与水平面间隔开。 NEM装置包括提供以影响纳米线的组件。

公开(公告)号：US20080088899A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11549283

申请日：2006-10-13

申请人： Theodore I. Kamins ,  Wei Wu ,  Shih-Yuan Wang ,  Shashank Sharma

发明人： Theodore I. Kamins ,  Wei Wu ,  Shih-Yuan Wang ,  Shashank Sharma

IPC分类号： G02B26/08

CPC分类号： B81B3/0021 ,  B82Y15/00 ,  Y10S977/724 ,  Y10S977/762

摘要： A nanoelectromechanical (NEM) device and a method of making same employ a laterally extending nanowire. The nanowire is grown in place from a vertical side of a vertically extending support block that is provided on a horizontal surface of a substrate. The nanowire is spaced from the horizontal surface. The NEM device includes a component that is provided to influence the nanowire.

摘要翻译： 纳米机电（NEM）器件及其制造方法采用横向延伸的纳米线。 纳米线从设置在基板的水平表面上的垂直延伸的支撑块的垂直侧生长就位。 纳米线与水平面间隔开。 NEM装置包括提供以影响纳米线的组件。

公开(公告)号：US20060097389A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US10982051

申请日：2004-11-05

申请人： M. Islam ,  Philip Kuekes ,  Shih-Yuan Wang ,  Duncan Stewart ,  Shashank Sharma

发明人： M. Islam ,  Philip Kuekes ,  Shih-Yuan Wang ,  Duncan Stewart ,  Shashank Sharma

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/041 ,  H01S5/183 ,  H01S5/341 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/3428 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763 ,  Y10S977/764 ,  Y10S977/938

摘要： A nano-colonnade structure-and methods of fabrication and interconnection thereof utilize a nanowire column grown nearly vertically from a (111) horizontal surface of a semiconductor layer to another horizontal surface of another layer to connect the layers. The nano-colonnade structure includes a first layer having the (111) horizontal surface; a second layer having the other horizontal surface; an insulator support between the first layer and the second layer that separates the first layer from the second layer. A portion of the second layer overhangs the insulator support, such that the horizontal surface of the overhanging portion is spaced from and faces the (111) horizontal surface of the first layer. The structure further includes a nanowire column extending nearly vertically from the (111) horizontal surface to the facing horizontal surface, such that the nanowire column connects the first layer to the second layer.

摘要翻译： 纳米柱廊结构及其制造和互连方法利用从半导体层的（111）水平表面几乎垂直地生长到另一层的另一水平表面的纳米线列，以连接这些层。 纳米柱廊结构包括具有（111）水平表面的第一层; 具有另一水平表面的第二层; 第一层和第二层之间的绝缘体支撑，其将第一层与第二层分离。 第二层的一部分突出于绝缘体支撑件上，使得伸出部分的水平表面与第一层的（111）水平表面间隔开并面对第一层的（111）水平表面。 该结构还包括从（111）水平表面几乎垂直延伸到相对的水平表面的纳米线列，使得纳米线列将第一层连接到第二层。

公开(公告)号：US07544591B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11624682

申请日：2007-01-18

申请人： Shashank Sharma ,  Theodore I Kamins

发明人： Shashank Sharma ,  Theodore I Kamins

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/045 ,  A01H5/10 ,  B81C1/00095 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02653 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76838 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of creating isolated electrodes and integrating a nanowire therebetween each employ lateral epitaxial overgrowth of a semiconductor material on a semiconductor layer to form isolated electrodes having the same crystal orientation. The methods include selective epitaxial growth of a semiconductor feature through a window in an insulating film on the semiconductor layer. A vertical stem is in contact with the semiconductor layer through the window and a ledge is a lateral epitaxial overgrowth of the vertical stem on the insulating film. The methods further include creating a pair of isolated electrodes from the semiconductor feature and the semiconductor layer. A nanowire-based device includes the pair of isolated electrodes and a nanowire bridging between respective surfaces of the isolated electrodes of the pair.

摘要翻译： 产生隔离电极并在其间集成纳米线的方法在半导体层上采用半导体材料的横向外延生长以形成具有相同晶体取向的隔离电极。 所述方法包括通过半导体层上的绝缘膜中的窗口选择性地外延生长半导体特征。 垂直杆通过窗口与半导体层接触，并且凸缘是绝缘膜上垂直杆的横向外延过度生长。 所述方法还包括从半导体特征和半导体层形成一对隔离电极。 基于纳米线的器件包括一对隔离电极和在该对的隔离电极的各个表面之间桥接的纳米线。

公开(公告)号：US20080081388A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11537589

申请日：2006-09-29

申请人： Amir A. Yasseri ,  Theodore I. Kamins ,  Shashank Sharma

发明人： Amir A. Yasseri ,  Theodore I. Kamins ,  Shashank Sharma

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  G01N21/658 ,  H01L29/0676 ,  Y10S977/857

摘要： A metal is deposited onto a surface electrochemically using a deposition solution including a metal salt. In making a composite nanostructure, the solution further includes an enhancer that promotes electrochemical deposition of the metal on the nanostructure. In a method of forming catalyzing nanoparticles, the metal preferentially deposits on a selected location of a surface that is exposed through a mask layer instead of on unexposed surfaces. A composite nanostructure apparatus includes an array of nanowires and the metal deposited on at least some nanowire surfaces. Some of the nanowires are heterogeneous, branched and include different adjacent axial segments with controlled axial lengths. In some deposition solutions, the enhancer one or both of controls oxide formation on the surface and causes metal nanocrystal formation. The deposition solution further includes a solvent that carries the metal salt and the enhancer.

摘要翻译： 使用包含金属盐的沉积溶液电化学地将金属沉积在表面上。 在制备复合纳米结构时，溶液还包括促进金属在纳米结构上的电化学沉积的增强剂。 在形成催化纳米颗粒的方法中，金属优先沉积在通过掩模层而不是未暴露的表面暴露的表面的选定位置。 复合纳米结构设备包括纳米线阵列和沉积在至少一些纳米线表面上的金属。 一些纳米线是异质的，分支的并且包括具有受控轴向长度的不同的相邻轴向段。 在一些沉积溶液中，增强剂中的一个或两个控制表面上的氧化物形成并引起金属纳米晶体的形成。 沉积溶液还包括携带金属盐和增强剂的溶剂。