公开(公告)号：US20130291939A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13888691

申请日：2013-05-07

申请人： Martin Kaes ,  Gunnar Stiller ,  Jean Patrice Rakotoniaina ,  Fritz G. Kirscht ,  Olivier Laparra ,  Kamel Ounadjela

发明人： Martin Kaes ,  Gunnar Stiller ,  Jean Patrice Rakotoniaina ,  Fritz G. Kirscht ,  Olivier Laparra ,  Kamel Ounadjela

IPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention relates to photovoltaic devices such as silicon solar cells. Devices shown exhibit improved low light performance and increased breakdown strength. Reasons for such improvements includes emitter concentration profiles leading to significantly reduced leakage currents.

摘要翻译： 本发明涉及诸如硅太阳能电池的光伏器件。 所示的装置显示改进的低光性能和增加的击穿强度。 这种改进的原因包括发射极浓度分布，导致显着降低的漏电流。

公开(公告)号：US07887633B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US12140104

申请日：2008-06-16

申请人： Fritz Kirscht ,  Vera Abrosimova ,  Matthias Heuer ,  Anis Jouini ,  Dieter Linke ,  Martin Kaes ,  Jean Patrice Rakotoniaina ,  Kamel Ounadjela

发明人： Fritz Kirscht ,  Vera Abrosimova ,  Matthias Heuer ,  Anis Jouini ,  Dieter Linke ,  Martin Kaes ,  Jean Patrice Rakotoniaina ,  Kamel Ounadjela

IPC分类号： C30B21/06 ,  C30B27/02

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B13/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/52 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1068

摘要： Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. Common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, mainly increased material strength. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells. A silicon material with a germanium concentration in the range (50-200) ppmw demonstrates an increased material strength, where best practical ranges depend on the material quality generated.

摘要翻译： 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 共同的特征是向熔体中加入预定量的锗并进行结晶以将锗掺入到各自晶体硅材料的硅晶格中。 这种掺入的锗导致各种硅材料特性的改善，主要是提高材料强度。 这导致在太阳能电池制造中应用这种材料以及从这些太阳能电池制造模块方面的积极作用。 锗浓度在（50-200）ppmw范围内的硅材料表现出增加的材料强度，其中最佳实用范围取决于所产生的材料质量。

公开(公告)号：US20090308455A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12140104

申请日：2008-06-16

申请人： Fritz Kirscht ,  Vera Abrosimova ,  Matthias Heuer ,  Anis Jouini ,  Dieter Linke ,  Martin Kaes ,  Jean Patrice Rakotoniaina ,  Kamel Ounadjela

发明人： Fritz Kirscht ,  Vera Abrosimova ,  Matthias Heuer ,  Anis Jouini ,  Dieter Linke ,  Martin Kaes ,  Jean Patrice Rakotoniaina ,  Kamel Ounadjela

IPC分类号： H01L31/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B13/10 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/52 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1068

摘要： Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. Common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, mainly increased material strength. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells. A silicon material with a germanium concentration in the range (50-200) ppmw demonstrates an increased material strength, where best practical ranges depend on the material quality generated.

摘要翻译： 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 共同的特征是向熔体中加入预定量的锗并进行结晶以将锗掺入到各自晶体硅材料的硅晶格中。 这种掺入的锗导致各种硅材料特性的改善，主要是提高材料强度。 这导致在太阳能电池制造中应用这种材料以及从这些太阳能电池制造模块方面的积极作用。 锗浓度在（50-200）ppmw范围内的硅材料表现出增加的材料强度，其中最佳实用范围取决于所产生的材料质量。

公开(公告)号：US20090223549A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12045259

申请日：2008-03-10

申请人： Kamel Ounadjela ,  Jean Patrice Rakotoniaina ,  Martin Kaes ,  Dirk Zickermann ,  Alain Blosse ,  Abdellatif Zerga ,  Matthias Heuer ,  Fritz Kirscht

发明人： Kamel Ounadjela ,  Jean Patrice Rakotoniaina ,  Martin Kaes ,  Dirk Zickermann ,  Alain Blosse ,  Abdellatif Zerga ,  Matthias Heuer ,  Fritz Kirscht

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/00

CPC分类号： C23C18/1692 ,  C23C18/1603 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/32 ,  C25D7/12 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Formation of a solar cell device from upgraded metallurgical grade silicon which has received at least one defect engineering process and including a low contact resistance electrical path. An anti-reflective coating is formed on an emitter layer and back contacts are formed on a back surface of the bulk silicon substrate. This photovoltaic device may be fired to form a back surface field at a temperature sufficiently low to avoid reversal of previous defect engineering processes. The process further forms openings in the anti-reflective coating and a low contact resistance metal layer, such as nickel layer, over the openings in the anti-reflective coating. The process may anneal the low contact resistance metal layer to form n-doped portion and complete an electrically conduct path to the n-doped layer. This low temperature metallization (e.g.,

摘要翻译： 从升级的冶金级硅形成太阳能电池装置，其已经接收了至少一个缺陷工程过程并且包括低接触电阻的电路径。 在发射极层上形成抗反射涂层，在本体硅衬底的后表面上形成背面触点。 该光伏器件可以被烧制以在足够低的温度下形成背面场，以避免先前缺陷工程过程的反转。 该方法进一步在抗反射涂层的开口上形成抗反射涂层中的开口和低接触电阻金属层，例如镍层。 该过程可以使低接触电阻金属层退火以形成n掺杂部分并且完成到n掺杂层的导电路径。 这种低温金属化（例如，<700℃）支持使用UMG硅用于太阳能装置形成，而不会使早期的缺陷工程过程发生逆转。

公开(公告)号：US20100275995A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12456398

申请日：2009-06-15

申请人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

发明人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L21/22 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A simplified manufacturing process and the resultant bifacial solar cell (BSC) are provided, the simplified manufacturing process reducing manufacturing costs. The BSC includes a back surface contact grid and an overlaid blanket metal reflector. A doped amorphous silicon layer is interposed between the contact grid and the blanket layer.

摘要翻译： 提供了简化的制造工艺和所得的双面太阳能电池（BSC），简化的制造工艺降低了制造成本。 BSC包括背面接触网格和覆盖的橡皮布金属反射器。 掺杂的非晶硅层介于接触网格和覆盖层之间。

公开(公告)号：US20110126758A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12954498

申请日：2010-11-24

申请人： Fritz G. Kirscht ,  Matthias Heuer ,  Martin Kaes ,  Kamel Ounadjela

发明人： Fritz G. Kirscht ,  Matthias Heuer ,  Martin Kaes ,  Kamel Ounadjela

IPC分类号： C30B15/04 ,  C30B11/00 ,  C30B13/10

CPC分类号： C30B13/10 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. A common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, including increased material strength and improved electrical properties. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells.

摘要翻译： 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 一个常见的特征是向熔体中加入预定量的锗，并进行结晶以将锗掺入各自晶体硅材料的硅晶格中。 这种并入的锗导致各种硅材料特性的改进，包括增加的材料强度和改善的电性能。 这导致在太阳能电池制造中应用这种材料以及从这些太阳能电池制造模块方面的积极作用。

公开(公告)号：US08298850B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12456378

申请日：2009-06-15

申请人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

发明人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A simplified manufacturing process and the resultant bifacial solar cell (BSC) are provided, the simplified manufacturing process reducing manufacturing costs. The BSC includes an active region located on the front surface of the substrate, formed for example by a phosphorous diffusion step. After removing the PSG, assuming phosphorous diffusion, and isolating the front junction, dielectric layers are deposited on the front and back surfaces. Contact grids are formed, for example by screen printing. Prior to depositing the back surface dielectric, a metal grid may be applied to the back surface, the back surface contact grid registered to, and alloyed to, the metal grid during contact firing.

摘要翻译： 提供了简化的制造工艺和所得的双面太阳能电池（BSC），简化的制造工艺降低了制造成本。 BSC包括位于基板的前表面上的有源区，例如通过磷扩散步骤形成。 在去除PSG之后，假设磷扩散并隔离前端，电介质层沉积在前表面和后表面上。 形成接触网格，例如通过丝网印刷。 在沉积后表面电介质之前，可以在接触点火期间将金属网格施加到后表面，后表面接触栅格，注册到金属栅格并与之合并。

公开(公告)号：US20100275984A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12456404

申请日：2009-06-15

申请人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

发明人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A simplified manufacturing process and the resultant bifacial solar cell (BSC) are provided, the simplified manufacturing process reducing manufacturing costs. The BSC includes an active region located on the front surface of the substrate, formed for example by a phosphorous diffusion step. The back surface includes a doped region, the doped region having the same conductivity as the substrate but with a higher doping level. Contact grids are formed, for example by screen printing. Front junction isolation is accomplished using a laser scribe.

摘要翻译： 提供了简化的制造工艺和所得的双面太阳能电池（BSC），简化的制造工艺降低了制造成本。 BSC包括位于基板的前表面上的有源区，例如通过磷扩散步骤形成。 背面包括掺杂区域，该掺杂区域具有与衬底相同的导电性但具有较高的掺杂水平。 形成接触网格，例如通过丝网印刷。 使用激光划片实现前结隔离。

公开(公告)号：US20100275983A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12456378

申请日：2009-06-15

申请人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

发明人： Martin Kaes ,  Peter Borden ,  Kamel Ounadjela ,  Andreas Kraenzl ,  Alain Blosse ,  Fritz G. Kirscht

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0232

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A simplified manufacturing process and the resultant bifacial solar cell (BSC) are provided, the simplified manufacturing process reducing manufacturing costs. The BSC includes an active region located on the front surface of the substrate, formed for example by a phosphorous diffusion step. After removing the PSG, assuming phosphorous diffusion, and isolating the front junction, dielectric layers are deposited on the front and back surfaces. Contact grids are formed, for example by screen printing. Prior to depositing the back surface dielectric, a metal grid may be applied to the back surface, the back surface contact grid registered to, and alloyed to, the metal grid during contact firing.

摘要翻译： 提供了简化的制造工艺和所得的双面太阳能电池（BSC），简化的制造工艺降低了制造成本。 BSC包括位于基板的前表面上的有源区，例如通过磷扩散步骤形成。 在去除PSG之后，假设磷扩散并隔离前端，电介质层沉积在前表面和后表面上。 形成接触网格，例如通过丝网印刷。 在沉积后表面电介质之前，可以在接触点火期间将金属网格施加到后表面，后表面接触栅格，注册到金属栅格并与之合并。

公开(公告)号：US08758507B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US12954498

申请日：2010-11-24

申请人： Fritz G. Kirscht ,  Matthias Heuer ,  Martin Kaes ,  Kamel Ounadjela

发明人： Fritz G. Kirscht ,  Matthias Heuer ,  Martin Kaes ,  Kamel Ounadjela

IPC分类号： C30B21/06 ,  C30B27/02

CPC分类号： C30B13/10 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B11/08 ,  C30B13/00 ,  C30B13/08 ,  C30B15/00 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Techniques for the formation of silicon ingots and crystals using silicon feedstock of various grades are described. A common feature is adding a predetermined amount of germanium to the melt and performing a crystallization to incorporate germanium into the silicon lattice of respective crystalline silicon materials. Such incorporated germanium results in improvements of respective silicon material characteristics, including increased material strength and improved electrical properties. This leads to positive effects at applying such materials in solar cell manufacturing and at making modules from those solar cells.

摘要翻译： 描述了使用各种等级的硅原料形成硅锭和晶体的技术。 一个常见的特征是向熔体中加入预定量的锗，并进行结晶以将锗掺入各自晶体硅材料的硅晶格中。 这种并入的锗导致各种硅材料特性的改进，包括增加的材料强度和改善的电性能。 这导致在太阳能电池制造中应用这种材料以及从这些太阳能电池制造模块方面的积极作用。