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    Voltage-controlled switches
    3.
    发明授权
    Voltage-controlled switches 有权
    电压控制开关

    公开(公告)号：US08907455B2

    公开(公告)日：2014-12-09

    申请号：US13130817

    申请日：2009-01-28

    申请人： Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett

    发明人： Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

    摘要： A voltage-controlled switch comprises a first electrode, a second electrode, a switching junction situated between the first electrode and the second electrode, a conducting channel extending from adjacent to the origin through the switching junction and having a channel end situated near the second electrode, and a layer of dopants situated adjacent to an interface between the switching junction and the second electrode, wherein the dopants are capable of being activated to form switching centers.

    摘要翻译： 电压控制开关包括第一电极，第二电极，位于第一电极和第二电极之间的开关结，导电通道从邻近原点延伸通过开关结，并且具有位于第二电极附近的通道端 以及位于开关结和第二电极之间的界面附近的掺杂剂层，其中掺杂剂能够被激活以形成开关中心。

    Two terminal memcapacitor device
    4.
    发明授权
    Two terminal memcapacitor device 有权
    两端式电容器

    公开(公告)号：US08779848B2

    公开(公告)日：2014-07-15

    申请号：US13383981

    申请日：2009-08-28

    申请人： Matthew D. Pickett ,  Julien Borghetti ,  Jianhua Yang

    发明人： Matthew D. Pickett ,  Julien Borghetti ,  Jianhua Yang

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/24 ,  H01L29/167 ,  H01L49/02

    CPC分类号： G11C11/24 ,  H01G7/06 ,  H01L27/101 ,  H01L28/40 ,  H01L29/167 ,  H01L29/93

    摘要： A memcapacitor device includes a memcapacitive matrix interposed between a first electrode and a second electrode. The memcapacitive matrix includes deep level dopants having a first decay time constant and shallow level dopants having a second decay time constant. The second decay time constant is substantially shorter than the first decay time constant. The capacitance of the memcapacitor device depends upon an initial voltage applied across the memcapacitive matrix and a time dependent change in capacitance of the memcapacitor device depends upon the first decay time constant. A method for forming a memcapacitive device is also provided.

    摘要翻译： 电容器装置包括插入在第一电极和第二电极之间的存储电容矩阵。 电容矩阵包括具有第一衰减时间常数的深层掺杂剂和具有第二衰减时间常数的浅层掺杂剂。 第二衰减时间常数明显短于第一衰减时间常数。 存储器件器件的电容取决于施加在存储电容矩阵上的初始电压，并且存储器件器件的时间相关的电容变化取决于第一衰减时间常数。 还提供了一种用于形成电容器件的方法。

    Memristive switch device
    5.
    发明授权
    Memristive switch device 有权
    忆阻开关装置

    公开(公告)号：US08586959B2

    公开(公告)日：2013-11-19

    申请号：US12769557

    申请日：2010-04-28

    申请人： Matthew D. Pickett ,  Jianhua Yang ,  Dmitri Strukov

    发明人： Matthew D. Pickett ,  Jianhua Yang ,  Dmitri Strukov

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/146 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2409

    摘要： A memristive switch device can comprise a switch formed between a first electrode and a second electrode, where the switch includes a memristive layer and a select layer directly adjacent the memristive layer. The select layer blocks current to the memristive layer over a symmetric bipolar range of subthreshold voltages applied between the first and second electrodes.

    摘要翻译： 忆阻开关装置可以包括形成在第一电极和第二电极之间的开关，其中开关包括忆阻层和与忆阻层直接相邻的选择层。 选择层通过施加在第一和第二电极之间的亚阈值电压的对称双极性范围阻挡电流到忆阻层。

    Memory array with metal-insulator transition switching devices
    6.
    发明授权
    Memory array with metal-insulator transition switching devices 有权
    具有金属 - 绝缘体转换开关器件的存储器阵列

    公开(公告)号：US08264868B2

    公开(公告)日：2012-09-11

    申请号：US12911283

    申请日：2010-10-25

    申请人： Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Matthew D. Pickett ,  Jianhua Yang

    发明人： Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Matthew D. Pickett ,  Jianhua Yang

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233

    摘要： A memory array with Metal-Insulator Transition (MIT) switching devices includes a set of row lines intersecting a set of column lines and a memory element disposed at an intersection between one of the row lines and one of the column lines. The memory element includes a switching layer in series with an MIT material. A method of accessing a target memory element within a memory array includes applying half of an access voltage to a row line connected to the target memory element, the target memory element comprising a switching layer in series with an MIT material, and applying an inverted half of the access voltage to a column line connected to the target memory element.

    摘要翻译： 具有金属绝缘体转变（MIT）切换装置的存储器阵列包括与一组列线相交的一行行线和设置在一行行列与一列列线之间的交叉处的存储元件。 存储元件包括与MIT材料串联的开关层。 一种访问存储器阵列内的目标存储器元件的方法包括将一半存取电压施加到连接到目标存储器元件的行线，该目标存储器元件包括与MIT材料串联的开关层，并施加倒置的一半 对连接到目标存储元件的列线的存取电压。

    SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PROVIDING HEAT MANAGEMENT
    8.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PROVIDING HEAT MANAGEMENT 审中-公开
    用于提供热管理的半导体器件

    公开(公告)号：US20120104346A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：US12916414

    申请日：2010-10-29

    申请人： Wei Yi ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

    发明人： Wei Yi ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

    IPC分类号： H01L45/00 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01L45/085 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

    摘要： A semiconductor device for providing heat management may include a first electrode with low metal thermal conductivity and a second electrode with low metal thermal conductivity. A metal oxide structure which includes a transition metal oxide (TMO) may be electrically coupled to the first electrode and second electrode and the metal oxide structure may be disposed between the first electrode and second electrode. An electrically insulating sheath with low thermal conductivity may surround the metal oxide structure.

    摘要翻译： 用于提供热管理的半导体器件可以包括具有低金属导热性的第一电极和具有低金属导热性的第二电极。 包括过渡金属氧化物（TMO）的金属氧化物结构可以电耦合到第一电极，第二电极和金属氧化物结构可以设置在第一电极和第二电极之间。 具有低热导率的电绝缘护套可围绕金属氧化物结构。

    Memristor-protection integrated circuit and method for protection of a memristor during switching
    9.
    发明授权
    Memristor-protection integrated circuit and method for protection of a memristor during switching 有权
    防转发保护集成电路及保护方法

    公开(公告)号：US08111494B2

    公开(公告)日：2012-02-07

    申请号：US12695995

    申请日：2010-01-28

    申请人： Matthew D. Pickett ,  John Paul Strachan ,  Muhammad Shakeel Qureshi

    发明人： Matthew D. Pickett ,  John Paul Strachan ,  Muhammad Shakeel Qureshi

    IPC分类号： H02H9/08 ,  H02H3/08 ,  H02H9/02 ,  H02H9/00

    CPC分类号： G11C13/0059 ,  G11C13/0002

    摘要： A memristor-protection integrated circuit. The memristor-protection integrated circuit includes a first current-bias circuit, a second current-bias circuit, an inverter, and a current limiter. The first and second current-bias circuits are configured to be coupled to first and second power-supply rails, respectively. The inverter is coupled to the first current-bias circuit and to the second current-bias circuit, and is configured to couple at least one memristor to at least one of the first current-bias circuit and the second current-bias circuit in response to an input signal applied to the inverter. The current limiter is coupled to the first current-bias circuit and coupled to the second current-bias circuit, and is configured to limit current flowing through the memristor.

    摘要翻译： 忆阻器保护集成电路。 避雷器保护集成电路包括第一电流偏置电路，第二电流偏置电路，反相器和限流器。 第一和第二电流偏置电路分别被配置为耦合到第一和第二电源轨。 反相器耦合到第一电流偏置电路和第二电流偏置电路，并且被配置为响应于第一电流偏置电路和第二电流偏置电路将至少一个阻电器耦合到第一电流偏置电路和第二电流偏置电路中的至少一个 施加到逆变器的输入信号。 电流限制器耦合到第一电流偏置电路并且耦合到第二电流偏置电路，并且被配置为限制流过忆阻器的电流。

    MEMRISTOR-PROTECTION INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR PROTECTION OF A MEMRISTOR DURING SWITCHING
    10.
    发明申请
    MEMRISTOR-PROTECTION INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR PROTECTION OF A MEMRISTOR DURING SWITCHING 有权
    仪表保护集成电路及切换期间保护仪表的方法

    公开(公告)号：US20110181347A1

    公开(公告)日：2011-07-28

    申请号：US12695995

    申请日：2010-01-28

    申请人： Matthew D. Pickett ,  John Paul Strachan ,  Muhammad Shakeel Qureshi

    发明人： Matthew D. Pickett ,  John Paul Strachan ,  Muhammad Shakeel Qureshi

    IPC分类号： G05F1/10

    CPC分类号： G11C13/0059 ,  G11C13/0002

    摘要： A memristor-protection integrated circuit. The memristor-protection integrated circuit includes a first current-bias circuit, a second current-bias circuit, an inverter, and a current limiter. The first and second current-bias circuits are configured to be coupled to first and second power-supply rails, respectively. The inverter is coupled to the first current-bias circuit and to the second current-bias circuit, and is configured to couple at least one memristor to at least one of the first current-bias circuit and the second current-bias circuit in response to an input signal applied to the inverter. The current limiter is coupled to the first current-bias circuit and coupled to the second current-bias circuit, and is configured to limit current flowing through the memristor.

    摘要翻译： 忆阻器保护集成电路。 避雷器保护集成电路包括第一电流偏置电路，第二电流偏置电路，反相器和限流器。 第一和第二电流偏置电路分别被配置为耦合到第一和第二电源轨。 反相器耦合到第一电流偏置电路和第二电流偏置电路，并且被配置为响应于第一电流偏置电路和第二电流偏置电路将至少一个阻电器耦合到第一电流偏置电路和第二电流偏置电路中的至少一个 施加到逆变器的输入信号。 电流限制器耦合到第一电流偏置电路并且耦合到第二电流偏置电路，并且被配置为限制流过忆阻器的电流。