公开(公告)号：US20080017101A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11867318

申请日：2007-10-04

申请人： Matthias Bauer ,  Paul Brabant ,  Trevan Landin

发明人： Matthias Bauer ,  Paul Brabant ,  Trevan Landin

IPC分类号： C30B23/06

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B25/10 ,  C30B25/183 ,  C30B29/08 ,  Y10S438/935

摘要： A method comprises, in a reaction chamber, depositing a seed layer of germanium over a silicon-containing surface at a first temperature. The seed layer has a thickness between about one monolayer and about 1000 Å. The method further comprises, after depositing the seed layer, increasing the temperature of the reaction chamber while continuing to deposit germanium. The method further comprises holding the reaction chamber in a second temperature range while continuing to deposit germanium. The second temperature range is greater than the first temperature.

摘要翻译： 一种方法包括在反应室中，在第一温度下在含硅表面上沉积锗种子层。 种子层的厚度在约一个单层和约一个之间。 该方法还包括在沉积种子层之后，在继续沉积锗的同时增加反应室的温度。 该方法还包括将反应室保持在第二温度范围内，同时继续沉积锗。 第二温度范围大于第一温度。

公开(公告)号：US07479443B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11867318

申请日：2007-10-04

申请人： Matthias Bauer ,  Paul Brabant ,  Trevan Landin

发明人： Matthias Bauer ,  Paul Brabant ,  Trevan Landin

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B25/10 ,  C30B25/183 ,  C30B29/08 ,  Y10S438/935

摘要： A method comprises, in a reaction chamber, depositing a seed layer of germanium over a silicon-containing surface at a first temperature. The seed layer has a thickness between about one monolayer and about 1000 Å. The method further comprises, after depositing the seed layer, increasing the temperature of the reaction chamber while continuing to deposit germanium. The method further comprises holding the reaction chamber in a second temperature range while continuing to deposit germanium. The second temperature range is greater than the first temperature.

摘要翻译： 一种方法包括在反应室中，在第一温度下在含硅表面上沉积锗种子层。 种子层的厚度在约一个单层和约一个之间。 该方法还包括在沉积种子层之后，在继续沉积锗的同时增加反应室的温度。 该方法还包括将反应室保持在第二温度范围内，同时继续沉积锗。 第二温度范围大于第一温度。

公开(公告)号：US07329593B2

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：US11067307

申请日：2005-02-25

申请人： Matthias Bauer ,  Paul Brabant ,  Trevan Landin

发明人： Matthias Bauer ,  Paul Brabant ,  Trevan Landin

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B25/02

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B25/10 ,  C30B25/183 ,  C30B29/08 ,  Y10S438/935

摘要： A method comprises, in a reaction chamber, depositing a seed layer of germanium over a silicon-containing surface at a first temperature. The seed layer has a thickness between about one monolayer and about 1000 Å. The method further comprises, after depositing the seed layer, increasing the temperature of the reaction chamber while continuing to deposit germanium. The method further comprises holding the reaction chamber in a second temperature range while continuing to deposit germanium. The second temperature range is greater than the first temperature.

摘要翻译： 一种方法包括在反应室中，在第一温度下在含硅表面上沉积锗种子层。 种子层的厚度在约一个单层和约一个之间。 该方法还包括在沉积种子层之后，在继续沉积锗的同时增加反应室的温度。 该方法还包括将反应室保持在第二温度范围内，同时继续沉积锗。 第二温度范围大于第一温度。

公开(公告)号：US20060234504A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11343264

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

发明人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Chemical vapor deposition methods use trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit Si-containing films over selected regions of mixed substrates. Dopant sources may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit doped Si-containing films. The selective deposition methods are useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

摘要翻译： 化学气相沉积方法使用丙硅烷和含卤素蚀刻剂源（例如氯）在混合基底的选定区域上选择性沉积含Si膜。 掺杂源可以与丙硅烷和蚀刻剂源混合以选择性沉积掺杂的含Si薄膜。 选择性沉积方法可用于各种应用，例如半导体制造。

公开(公告)号：US20060281322A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11506320

申请日：2006-08-18

申请人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

发明人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

摘要： Methods for depositing epitaxial films such as epitaxial Ge and SiGe films. During cooling from high temperature processing to lower deposition temperatures for Ge-containing layers, Si or Ge compounds are provided to the substrate. Smooth, thin, relatively defect-free Ge or SiGe layers result. Retrograded relaxed SiGe is also provided between a relaxed, high Ge-content seed layer and an overlying strained layer.

公开(公告)号：US20050092235A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US10993024

申请日：2004-11-18

申请人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

发明人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

IPC分类号： C30B1/00 ,  C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/52 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/36

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

摘要： Methods for depositing epitaxial films such as epitaxial Ge and SiGe films. During cooling from high temperature processing to lower deposition temperatures for Ge-containing layers, Si or Ge compounds are provided to the substrate. Smooth, thin, relatively defect-free Ge or SiGe layers result. Retrograded relaxed SiGe is also provided between a relaxed, high Ge-content seed layer and an overlying strained layer.

摘要翻译： 用于沉积诸如外延Ge和SiGe膜的外延膜的方法。 在从高温加工冷却到含Ge层的较低沉积温度时，向基板提供Si或Ge化合物。 导致平滑，薄，相对缺陷的Ge或SiGe层。 还提供了轻松，高Ge含量种子层和上覆应变层之间的退化弛豫SiGe。

公开(公告)号：US07816236B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11343264

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Doran Weeks

发明人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Doran Weeks

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Chemical vapor deposition methods use trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit Si-containing films over selected regions of mixed substrates. Dopant sources may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit doped Si-containing films. The selective deposition methods are useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

摘要翻译： 化学气相沉积方法使用丙硅烷和含卤素蚀刻剂源（例如氯）在混合基底的选定区域上选择性沉积含Si膜。 掺杂源可以与丙硅烷和蚀刻剂源混合以选择性沉积掺杂的含Si薄膜。 选择性沉积方法可用于各种应用，例如半导体制造。

公开(公告)号：US20070224786A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11755528

申请日：2007-05-30

申请人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

发明人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： Methods for depositing epitaxial films such as epitaxial Ge and SiGe films. During cooling from high temperature processing to lower deposition temperatures for Ge-containing layers, Si or Ge compounds are provided to the substrate. Smooth, thin, relatively defect-free Ge or SiGe layers result. Retrograded relaxed SiGe is also provided between a relaxed, high Ge-content seed layer and an overlying strained layer.

摘要翻译： 用于沉积诸如外延Ge和SiGe膜的外延膜的方法。 在从高温加工冷却到含Ge层的较低沉积温度时，向基板提供Si或Ge化合物。 导致平滑，薄，相对缺陷的Ge或SiGe层。 还提供了轻松，高Ge含量种子层和上覆应变层之间的退化弛豫SiGe。

公开(公告)号：US07648853B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US11485047

申请日：2006-07-11

申请人： Matthias Bauer

发明人： Matthias Bauer

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/46 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/1054

摘要： Dual channel heterostructures comprising strained Si and strained Ge-containing layers are disclosed, along with methods for producing such structures. In preferred embodiments, a strain-relaxed buffer layer is deposited on a carrier substrate, a strained Si layer is deposited over the strain-relaxed buffer layer and a strained Ge-containing layer is deposited over the strained Si layer. The structure can be transferred to a host substrate to produce the strained Si layer over the strained Ge-containing layer. By depositing the Si layer first, the process avoids Ge agglomeration problems.

摘要翻译： 公开了包含应变Si和应变含Ge层的双通道异质结构以及用于制备这种结构的方法。 在优选实施例中，将应变松弛缓冲层沉积在载体衬底上，在应变松弛缓冲层上沉积应变Si层，并在应变Si层上沉积应变的含Ge层。 可以将结构转移到主体衬底，以在应变的含Ge层上产生应变Si层。 通过首先沉积Si层，该工艺避免了Ge聚集问题。

公开(公告)号：US07438760B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US11343275

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/4763 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。