公开(公告)号：US20050118837A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US10623482

申请日：2003-07-18

申请人： Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Christiaan Werkhoven ,  Christophe Pomarede

发明人： Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Christiaan Werkhoven ,  Christophe Pomarede

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L23/58 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

摘要： Multiple sequential processes are conducted in a reaction chamber to form ultra high quality silicon-containing compound layers, including silicon nitride layers. In a preferred embodiment, a silicon layer is deposited on a substrate using trisilane as the silicon precursor. A silicon nitride layer is then formed by nitriding the silicon layer. By repeating these steps, a silicon nitride layer of a desired thickness is formed.

摘要翻译： 在反应室中进行多个顺序的工艺以形成包括氮化硅层的超高质量含硅化合物层。 在优选实施例中，使用丙硅烷作为硅前体在衬底上沉积硅层。 然后通过氮化硅层形成氮化硅层。 通过重复这些步骤，形成期望厚度的氮化硅层。

公开(公告)号：US20060234504A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11343264

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

发明人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Chemical vapor deposition methods use trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit Si-containing films over selected regions of mixed substrates. Dopant sources may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit doped Si-containing films. The selective deposition methods are useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

摘要翻译： 化学气相沉积方法使用丙硅烷和含卤素蚀刻剂源（例如氯）在混合基底的选定区域上选择性沉积含Si膜。 掺杂源可以与丙硅烷和蚀刻剂源混合以选择性沉积掺杂的含Si薄膜。 选择性沉积方法可用于各种应用，例如半导体制造。

公开(公告)号：US20060211248A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11362461

申请日：2006-02-24

申请人： Paul Brabant ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

发明人： Paul Brabant ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC分类号： C23F1/12 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67115

摘要： A method for purifying a gas stream in a semiconductor process system comprises cooling impurities in the gas stream. The gas stream may comprise an HCl gas having a moisture content. The moisture contacts a cold element onto which the moisture can condense.

摘要翻译： 在半导体工艺系统中净化气流的方法包括冷却气流中的杂质。 气流可以包含具有水分含量的HCl气体。 湿气会接触冷水元素，水分可以凝结在其上。

公开(公告)号：US20080038936A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11877480

申请日：2007-10-23

申请人： Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Christiaan Werkhoven ,  Christophe Pomarede

发明人： Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Christiaan Werkhoven ,  Christophe Pomarede

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

摘要： Multiple sequential processes are conducted in a reaction chamber to form ultra high quality silicon-containing compound layers, including silicon nitride layers. In a preferred embodiment, a silicon layer is deposited on a substrate using trisilane as the silicon precursor. A silicon nitride layer is then formed by nitriding the silicon layer. By repeating these steps, a silicon nitride layer of a desired thickness is formed.

摘要翻译： 在反应室中进行多个顺序的工艺以形成包括氮化硅层的超高质量含硅化合物层。 在优选实施例中，使用丙硅烷作为硅前体在衬底上沉积硅层。 然后通过氮化硅层形成氮化硅层。 通过重复这些步骤，形成期望厚度的氮化硅层。

公开(公告)号：US20050026400A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10871687

申请日：2004-06-09

申请人： Michael Todd ,  Paul Brabant ,  Keith Weeks ,  Jianqing Wen

发明人： Michael Todd ,  Paul Brabant ,  Keith Weeks ,  Jianqing Wen

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/2022

摘要： Methods for forming epitaxial films involve forming a buffer layer on a single crystal substrate, depositing an amorphous layer on the buffer layer, then forming an epitaxial film from the amorphous layer by solid phase epitaxy.

摘要翻译： 用于形成外延膜的方法包括在单晶衬底上形成缓冲层，在缓冲层上沉积非晶层，然后通过固相外延从非晶层形成外延膜。

公开(公告)号：US20070224787A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11388313

申请日：2006-03-23

申请人： Keith Weeks ,  Paul Brabant

发明人： Keith Weeks ,  Paul Brabant

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： Some embodiments of the invention are related to manufacturing semiconductors. Methods and apparatuses are disclosed that provide thin and fully relaxed SiGe layers. In some embodiments, the presence of oxygen between a single crystal structure and a SiGe heteroepitaxial layer, and/or within the SiGe heteroepitaxial layer, allow the SiGe layer to be thin and fully relaxed. In some embodiments, a strained layer of Si can be deposited over the fully relaxed SiGe layer.

摘要翻译： 本发明的一些实施方案涉及制造半导体。 公开了提供薄且完全松弛的SiGe层的方法和装置。 在一些实施方案中，在单晶结构和SiGe异质外延层之间和/或SiGe异质外延层内的存在使SiGe层变薄并完全松弛。 在一些实施例中，Si的应变层可以沉积在完全松弛的SiGe层上。

公开(公告)号：US20060240630A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11343275

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。

公开(公告)号：US20060216417A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11373408

申请日：2006-03-09

申请人： Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Paul Jacobson

发明人： Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Paul Jacobson

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/52

摘要： A substrate processing system has computer controlled injectors. The computer is configured to adjust a plurality of injectors, such as during deposition of a graded layer, between depositions of two different layers, or between deposition and chamber clean steps.

摘要翻译： 基板处理系统具有计算机控制的喷射器。 计算机被配置为调整多个喷射器，例如在沉积层析层期间，在两个不同层的沉积之间，或在沉积和室清洁步骤之间。

公开(公告)号：US20060088985A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：US11213449

申请日：2005-08-25

申请人： Ruben Haverkort ,  Yuet Wan ,  Marinus De Blank ,  Cornelius van der Jeugd ,  Jacobus Beulens ,  Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Christian Werkhoven ,  Christophe Pomarede

发明人： Ruben Haverkort ,  Yuet Wan ,  Marinus De Blank ,  Cornelius van der Jeugd ,  Jacobus Beulens ,  Michael Todd ,  Keith Weeks ,  Christian Werkhoven ,  Christophe Pomarede

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185

摘要： Sequential processes are conducted in a batch reaction chamber to form ultra high quality silicon-containing compound layers, e.g., silicon nitride layers, at low temperatures. Under reaction rate limited conditions, a silicon layer is deposited on a substrate using trisilane as the silicon precursor. Trisilane flow is interrupted. A silicon nitride layer is then formed by nitriding the silicon layer with nitrogen radicals, such as by pulsing the plasma power (remote or in situ) on after a trisilane step. The nitrogen radical supply is stopped. Optionally non-activated ammonia is also supplied, continuously or intermittently. If desired, the process is repeated for greater thickness, purging the reactor after each trisilane and silicon compounding step to avoid gas phase reactions, with each cycle producing about 5-7 angstroms of silicon nitride.

摘要翻译： 在间歇反应室中进行连续工艺，以在低温下形成超高质量的含硅化合物层，例如氮化硅层。 在反应速率有限的条件下，使用丙硅烷作为硅前体在基板上沉积硅层。 三氯甲烷流动中断。 然后通过用氮自由基氮化硅层来形成氮化硅层，例如通过在丙硅烷步骤之后脉冲等离子体功率（远程或原位）而形成。 停止氮气供应。 任选地，还可以连续或间歇地提供非活化氨。 如果需要，重复该过程以获得更大的厚度，在每个丙硅烷和硅化合步骤之后清洗反应器以避免气相反应，每个循环产生约5-7埃的氮化硅。