公开(公告)号：US07816236B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11343264

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Doran Weeks

发明人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Doran Weeks

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Chemical vapor deposition methods use trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit Si-containing films over selected regions of mixed substrates. Dopant sources may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit doped Si-containing films. The selective deposition methods are useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

摘要翻译： 化学气相沉积方法使用丙硅烷和含卤素蚀刻剂源（例如氯）在混合基底的选定区域上选择性沉积含Si膜。 掺杂源可以与丙硅烷和蚀刻剂源混合以选择性沉积掺杂的含Si薄膜。 选择性沉积方法可用于各种应用，例如半导体制造。

公开(公告)号：US20060234504A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11343264

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

发明人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Chemical vapor deposition methods use trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit Si-containing films over selected regions of mixed substrates. Dopant sources may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit doped Si-containing films. The selective deposition methods are useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

摘要翻译： 化学气相沉积方法使用丙硅烷和含卤素蚀刻剂源（例如氯）在混合基底的选定区域上选择性沉积含Si膜。 掺杂源可以与丙硅烷和蚀刻剂源混合以选择性沉积掺杂的含Si薄膜。 选择性沉积方法可用于各种应用，例如半导体制造。

公开(公告)号：US20080026149A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11753370

申请日：2007-05-24

申请人： Pierre Tomasini ,  Chantal Arena ,  Matthias Bauer ,  Nyles Cody ,  Ronald Bertram ,  Jianqing Wen ,  Matthew Stephens

发明人： Pierre Tomasini ,  Chantal Arena ,  Matthias Bauer ,  Nyles Cody ,  Ronald Bertram ,  Jianqing Wen ,  Matthew Stephens

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： Chloropolysilanes are utilized in methods and systems for selectively depositing thin films useful for the fabrication of various devices such as microelectronic and/or microelectromechanical systems (MEMS).

摘要翻译： 氯多硅烷用于选择性沉积薄膜的方法和系统中，薄膜可用于制造诸如微电子和/或微机电系统（MEMS）的各种装置。

公开(公告)号：US20060281322A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11506320

申请日：2006-08-18

申请人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

发明人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

摘要： Methods for depositing epitaxial films such as epitaxial Ge and SiGe films. During cooling from high temperature processing to lower deposition temperatures for Ge-containing layers, Si or Ge compounds are provided to the substrate. Smooth, thin, relatively defect-free Ge or SiGe layers result. Retrograded relaxed SiGe is also provided between a relaxed, high Ge-content seed layer and an overlying strained layer.

公开(公告)号：US20070224786A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11755528

申请日：2007-05-30

申请人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

发明人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： Methods for depositing epitaxial films such as epitaxial Ge and SiGe films. During cooling from high temperature processing to lower deposition temperatures for Ge-containing layers, Si or Ge compounds are provided to the substrate. Smooth, thin, relatively defect-free Ge or SiGe layers result. Retrograded relaxed SiGe is also provided between a relaxed, high Ge-content seed layer and an overlying strained layer.

摘要翻译： 用于沉积诸如外延Ge和SiGe膜的外延膜的方法。 在从高温加工冷却到含Ge层的较低沉积温度时，向基板提供Si或Ge化合物。 导致平滑，薄，相对缺陷的Ge或SiGe层。 还提供了轻松，高Ge含量种子层和上覆应变层之间的退化弛豫SiGe。

公开(公告)号：US20050092235A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US10993024

申请日：2004-11-18

申请人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

发明人： Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Ivo Raaijmakers ,  Matthias Bauer

IPC分类号： C30B1/00 ,  C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/52 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/36

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

摘要： Methods for depositing epitaxial films such as epitaxial Ge and SiGe films. During cooling from high temperature processing to lower deposition temperatures for Ge-containing layers, Si or Ge compounds are provided to the substrate. Smooth, thin, relatively defect-free Ge or SiGe layers result. Retrograded relaxed SiGe is also provided between a relaxed, high Ge-content seed layer and an overlying strained layer.

摘要翻译： 用于沉积诸如外延Ge和SiGe膜的外延膜的方法。 在从高温加工冷却到含Ge层的较低沉积温度时，向基板提供Si或Ge化合物。 导致平滑，薄，相对缺陷的Ge或SiGe层。 还提供了轻松，高Ge含量种子层和上覆应变层之间的退化弛豫SiGe。

公开(公告)号：US07438760B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US11343275

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/4763 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。

公开(公告)号：US07648690B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US12244724

申请日：2008-10-02

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： C01B33/00 ,  C30B29/02

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。

公开(公告)号：US20090026496A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12244724

申请日：2008-10-02

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： H01L29/737 ,  B32B5/00 ,  B32B9/00 ,  C01B31/36

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。

公开(公告)号：US07666799B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US12419251

申请日：2009-04-06

申请人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

发明人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A relaxed silicon germanium structure comprises a silicon buffer layer produced using a chemical vapor deposition process with an operational pressure greater than approximately 1 torr. The relaxed silicon germanium structure further comprises a silicon germanium layer deposited over the silicon buffer layer. The silicon germanium layer has less than about 107 threading dislocations per square centimeter. By depositing the silicon buffer layer at a reduced deposition rate, the overlying silicon germanium layer can be provided with a “crosshatch free” surface.

摘要翻译： 松弛的硅锗结构包括使用具有大于约1托的操作压力的化学气相沉积工艺制备的硅缓冲层。 松弛的硅锗结构还包括沉积在硅缓冲层上的硅锗层。 硅锗层每平方厘米具有少于约107个穿透位错。 通过以降低的沉积速率沉积硅缓冲层，可以提供覆盖的硅锗层“无交叉阴极线”的表面。