公开(公告)号：US07816236B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11343264

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Doran Weeks

发明人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Doran Weeks

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Chemical vapor deposition methods use trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit Si-containing films over selected regions of mixed substrates. Dopant sources may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit doped Si-containing films. The selective deposition methods are useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

摘要翻译： 化学气相沉积方法使用丙硅烷和含卤素蚀刻剂源（例如氯）在混合基底的选定区域上选择性沉积含Si膜。 掺杂源可以与丙硅烷和蚀刻剂源混合以选择性沉积掺杂的含Si薄膜。 选择性沉积方法可用于各种应用，例如半导体制造。

公开(公告)号：US20060234504A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11343264

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

发明人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Chemical vapor deposition methods use trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit Si-containing films over selected regions of mixed substrates. Dopant sources may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit doped Si-containing films. The selective deposition methods are useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

摘要翻译： 化学气相沉积方法使用丙硅烷和含卤素蚀刻剂源（例如氯）在混合基底的选定区域上选择性沉积含Si膜。 掺杂源可以与丙硅烷和蚀刻剂源混合以选择性沉积掺杂的含Si薄膜。 选择性沉积方法可用于各种应用，例如半导体制造。

公开(公告)号：US20080026149A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11753370

申请日：2007-05-24

申请人： Pierre Tomasini ,  Chantal Arena ,  Matthias Bauer ,  Nyles Cody ,  Ronald Bertram ,  Jianqing Wen ,  Matthew Stephens

发明人： Pierre Tomasini ,  Chantal Arena ,  Matthias Bauer ,  Nyles Cody ,  Ronald Bertram ,  Jianqing Wen ,  Matthew Stephens

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： Chloropolysilanes are utilized in methods and systems for selectively depositing thin films useful for the fabrication of various devices such as microelectronic and/or microelectromechanical systems (MEMS).

摘要翻译： 氯多硅烷用于选择性沉积薄膜的方法和系统中，薄膜可用于制造诸如微电子和/或微机电系统（MEMS）的各种装置。

公开(公告)号：US07438760B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US11343275

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/4763 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。

公开(公告)号：US07648690B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US12244724

申请日：2008-10-02

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： C01B33/00 ,  C30B29/02

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。

公开(公告)号：US20090026496A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12244724

申请日：2008-10-02

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： H01L29/737 ,  B32B5/00 ,  B32B9/00 ,  C01B31/36

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。

公开(公告)号：US07666799B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US12419251

申请日：2009-04-06

申请人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

发明人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A relaxed silicon germanium structure comprises a silicon buffer layer produced using a chemical vapor deposition process with an operational pressure greater than approximately 1 torr. The relaxed silicon germanium structure further comprises a silicon germanium layer deposited over the silicon buffer layer. The silicon germanium layer has less than about 107 threading dislocations per square centimeter. By depositing the silicon buffer layer at a reduced deposition rate, the overlying silicon germanium layer can be provided with a “crosshatch free” surface.

摘要翻译： 松弛的硅锗结构包括使用具有大于约1托的操作压力的化学气相沉积工艺制备的硅缓冲层。 松弛的硅锗结构还包括沉积在硅缓冲层上的硅锗层。 硅锗层每平方厘米具有少于约107个穿透位错。 通过以降低的沉积速率沉积硅缓冲层，可以提供覆盖的硅锗层“无交叉阴极线”的表面。

公开(公告)号：US07514372B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US10898021

申请日：2004-07-23

申请人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

发明人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A relaxed silicon germanium structure comprises a silicon buffer layer produced using a chemical vapor deposition process with an operational pressure greater than approximately 1 torr. The relaxed silicon germanium structure further comprises a silicon germanium layer deposited over the silicon buffer layer. The silicon germanium layer has less than about 107 threading dislocations per square centimeter. By depositing the silicon buffer layer at a reduced deposition rate, the overlying silicon germanium layer can be provided with a “crosshatch free” surface.

摘要翻译： 松弛的硅锗结构包括使用具有大于约1托的操作压力的化学气相沉积工艺制备的硅缓冲层。 松弛的硅锗结构还包括沉积在硅缓冲层上的硅锗层。 硅锗层每平方厘米具有少于约107个穿透位错。 通过以降低的沉积速率沉积硅缓冲层，可以提供覆盖的硅锗层“无交叉阴极线”的表面。

公开(公告)号：US20050051795A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10898021

申请日：2004-07-23

申请人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

发明人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  H01L20060101 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/732

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A relaxed silicon germanium structure comprises a silicon buffer layer produced using a chemical vapor deposition process with an operational pressure greater than approximately 1 torr. The relaxed silicon germanium structure further comprises a silicon germanium layer deposited over the silicon buffer layer. The silicon germanium layer has less than about 107 threading dislocations per square centimeter. By depositing the silicon buffer layer at a reduced deposition rate, the overlying silicon germanium layer can be provided with a “crosshatch free” surface.

摘要翻译： 松弛的硅锗结构包括使用具有大于约1托的操作压力的化学气相沉积工艺制备的硅缓冲层。 松弛的硅锗结构还包括沉积在硅缓冲层上的硅锗层。 硅锗层每平方厘米具有小于约10 7个穿透位错。 通过以降低的沉积速率沉积硅缓冲层，可以提供覆盖的硅锗层“无交叉阴极线”的表面。

公开(公告)号：US20070264801A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11431336

申请日：2006-05-09

申请人： Nyles Cody ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Carlos Mazure

发明人： Nyles Cody ,  Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Carlos Mazure

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/165 ,  C30B29/52

摘要： Pile ups of threading dislocations in thick graded buffer layer are reduced by enhancing dislocation gliding. During formation of a graded SiGe buffer layer, deposition of SiGe from a silicon precursor and a germanium precursor is interrupted one or more times with periods in which the flow of the silicon precursor to the substrate is stopped while the flow of the germanium precursor to the substrate is maintained.

摘要翻译： 通过增强位错滑行，减少厚度梯度缓冲层穿透位错的堆积。 在形成渐变的SiGe缓冲层期间，SiGe从硅前体和锗前体的沉积被中断一次或多次，其中停止向硅衬底的硅前体的流动，同时锗前体流向 保持底物。