公开(公告)号：US20130168833A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13776446

申请日：2013-02-25

申请人： Hitoshi Sato ,  John F. Kaeding ,  Michael Iza ,  Benjamin A. Haskell ,  Troy J. Baker ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  John F. Kaeding ,  Michael Iza ,  Benjamin A. Haskell ,  Troy J. Baker ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/045 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A method for enhancing growth of device-quality planar semipolar nitride semiconductor thin films via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) by using an (Al,In,Ga)N nucleation layer containing at least some indium. Specifically, the method comprises loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 通过使用含有至少一些铟的（Al，In，Ga）N成核层，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）增强器件质量的平面半极性半导体薄膜的生长的方法。 具体地，该方法包括将衬底装载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热衬底，在加热衬底上沉积In x Ga 1-x N成核层，在半导体衬底上沉积半极性氮化物半导体薄膜 In x Ga 1-x N成核层，并在氮气过压下冷却该衬底。

公开(公告)号：US20120205625A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13454321

申请日：2012-04-24

申请人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Eu Jin Hwang ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Eu Jin Hwang ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A nitride light emitting diode, on a patterned substrate, comprising a nitride interlayer having at least two periods of alternating layers of InxGa1-xN and InyGa1-yN where 0

摘要翻译： 在图案化衬底上的氮化物发光二极管，包括具有In x Ga 1-x N和In y Ga 1-y N的交替层的至少两个周期的氮化物中间层，其中0

公开(公告)号：US08193079B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US11673426

申请日：2007-02-09

申请人： John F. Kaeding ,  Hitoshi Sato ,  Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Hong Zhong ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Hitoshi Sato ,  Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Hong Zhong ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L21/2654 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： A method of controlled p-type conductivity in (Al,In,Ga,B)N semiconductor crystals. Examples include {10 11} GaN films deposited on {100} MgAl2O4 spinel substrate miscut in the direction. Mg atoms may be intentionally incorporated in the growing semipolar nitride thin film to introduce available electronic states in the band structure of the semiconductor crystal, resulting in p-type conductivity. Other impurity atoms, such as Zn or C, which result in a similar introduction of suitable electronic states, may also be used.

摘要翻译： （Al，In，Ga，B）N半导体晶体中受控p型导电性的方法。 实例包括在{011}方向沉积在{100} MgAl 2 O 4尖晶石衬底miscut上的{10 11} GaN膜。 可以有意地将Mg原子并入生长的半极性氮化物薄膜中以在半导体晶体的带结构中引入可用的电子态，导致p型导电性。 也可以使用导致类似的合适电子状态引入的其它杂质原子，例如Zn或C。

公开(公告)号：US20080042121A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11840057

申请日：2007-08-16

申请人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for growing an improved quality device by depositing a low temperature (LT) magnesium (Mg) doped nitride semiconductor thin film. The low temperature Mg doped nitride semiconductor thin film may have a thickness greater than 50 nm. A multi quantum well (MQW) active layer may be grown at a growth temperature and the LT Mg doped nitride semiconductor thin film may deposited on the MQW active layer at a substrate temperature no greater than 150° C. above the growth temperature.

摘要翻译： 通过沉积低温（LT）镁（Mg）掺杂的氮化物半导体薄膜来生长改进的质量器件的方法。 低温Mg掺杂的氮化物半导体薄膜可以具有大于50nm的厚度。 可以在生长温度下生长多量子阱（MQW）有源层，并且在高于生长温度的衬底温度不超过150℃的温度下，可以将LT Mg掺杂氮化物半导体薄膜沉积在MQW有源层上。

公开(公告)号：US08110482B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12710181

申请日：2010-02-22

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。

公开(公告)号：US20100155778A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12716670

申请日：2010-03-03

申请人： Hitoshi Sato ,  John F. Kaeding ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Benjamin A. Haskell ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  John F. Kaeding ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Benjamin A. Haskell ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/203

CPC分类号： H01L29/045 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A method for enhancing growth of device-quality planar semipolar nitride semiconductor thin films via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) by using an (Al, In, Ga)N nucleation layer containing at least some indium. Specifically, the method comprises loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 通过使用含有至少一些铟的（Al，In，Ga）N成核层，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）增强器件质量的平面半极性半导体薄膜的生长的方法。 具体地，该方法包括将衬底装载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热衬底，在加热衬底上沉积In x Ga 1-x N成核层，在半导体衬底上沉积半极性氮化物半导体薄膜 In x Ga 1-x N成核层，并在氮气过压下冷却该衬底。

公开(公告)号：US08405128B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12716670

申请日：2010-03-03

申请人： Hitoshi Sato ,  John F. Kaeding ,  Michael Iza ,  Benjamin A. Haskell ,  Troy J. Baker ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  John F. Kaeding ,  Michael Iza ,  Benjamin A. Haskell ,  Troy J. Baker ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L31/06

CPC分类号： H01L29/045 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A method for enhancing growth of device-quality planar semipolar nitride semiconductor thin films via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) by using an (Al, In, Ga)N nucleation layer containing at least some indium. Specifically, the method comprises loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 通过使用含有至少一些铟的（Al，In，Ga）N成核层，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）增强器件质量的平面半极性半导体薄膜的生长的方法。 具体地，该方法包括将衬底装载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热衬底，在加热衬底上沉积In x Ga 1-x N成核层，在半导体衬底上沉积半极性氮化物半导体薄膜 In x Ga 1-x N成核层，并在氮气过压下冷却该衬底。

公开(公告)号：US08183557B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12234311

申请日：2008-09-19

申请人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Eu Jin Hwang ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Eu Jin Hwang ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A nitride light emitting diode, on a patterned substrate, comprising a nitride interlayer having at least two periods of alternating layers of InxGa1−xN and InyGa1−yN where 0

摘要翻译： 在图案化衬底上的氮化物发光二极管，包括具有In x Ga 1-x N和In y Ga 1-y N的交替层的至少两个周期的氮化物中间层，其中0

公开(公告)号：US20090072262A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12234311

申请日：2008-09-19

申请人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Eu Jin Hwang ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Michael Iza ,  Hitoshi Sato ,  Eu Jin Hwang ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A nitride light emitting diode, on a patterned substrate, comprising a nitride interlayer having at least two periods of alternating layers of InxGa1-xN and InyGa1-yN where 0

摘要翻译： 在图案化衬底上的氮化物发光二极管，包括具有In x Ga 1-x N和In y Ga 1-y N的交替层的至少两个周期的氮化物中间层，其中0

公开(公告)号：US08709925B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13440234

申请日：2012-04-05

申请人： John F. Kaeding ,  Hitoshi Sato ,  Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Hong Zhong ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Hitoshi Sato ,  Michael Iza ,  Hirokuni Asamizu ,  Hong Zhong ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L21/2654 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： A method of controlled p-type conductivity in (Al,In,Ga,B)N semiconductor crystals. Examples include {10 11} GaN films deposited on {100} MgAl2O4 spinel substrate miscut in the direction. Mg atoms may be intentionally incorporated in the growing semipolar nitride thin film to introduce available electronic states in the band structure of the semiconductor crystal, resulting in p-type conductivity. Other impurity atoms, such as Zn or C, which result in a similar introduction of suitable electronic states, may also be used.

摘要翻译： （Al，In，Ga，B）N半导体晶体中受控p型导电性的方法。 实例包括在{011}方向沉积在{100} MgAl 2 O 4尖晶石衬底miscut上的{10 11} GaN膜。 可以有意地将Mg原子并入生长的半极性氮化物薄膜中以在半导体晶体的带结构中引入可用的电子态，导致p型导电性。 也可以使用导致类似的合适电子状态引入的其它杂质原子，例如Zn或C。