公开(公告)号：US5541135A

公开(公告)日：1996-07-30

申请号：US452784

申请日：1995-05-30

申请人： Michael J. Pfeifer ,  George W. Marlin

发明人： Michael J. Pfeifer ,  George W. Marlin

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L23/485 ,  H01L27/04 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011

摘要： Flip chip bumps (24, 26, and 27) and an inductor (17) are simultaneously fabricated on a semiconductor substrate (10). The fabrication process includes two electroplating steps. The first step electroplates copper (18) onto a seed layer (13) to form the inductor (17) and a first portion (16) of the flip chip bumps (24, 26, and 27). The second step electroplates copper (21) onto the previously electroplated copper (18) to form a second portion (21) of the flip chip bumps (24, 26, and 27).

摘要翻译： 在半导体衬底（10）上同时制造倒装芯片凸块（24,26和27）和电感器（17）。 制造工艺包括两个电镀步骤。 第一步骤将铜（18）电镀到种子层（13）上以形成电感器（17）和倒装芯片凸块（24,26,27）的第一部分（16）。 第二步骤将铜（21）电镀到先前电镀的铜（18）上以形成倒装芯片凸块（24,26,27）的第二部分（21）。

公开(公告)号：US06878633B2

公开(公告)日：2005-04-12

申请号：US10329081

申请日：2002-12-23

申请人： Glenn D. Raskin ,  George W. Marlin ,  Douglas G. Mitchell

发明人： Glenn D. Raskin ,  George W. Marlin ,  Douglas G. Mitchell

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/311 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A structure and method for achieving a flip-chip semiconductor device having plated copper inductors (4), transformers (16), interconnect, and power busing that is electrically superior, lower cost, and provides for higher quality inductors as well as lower losses for on-chip transformers. Providing a solder dam (8, 24, 28) enables the fabrication of flip-chip solder bumps directly on to inductors and transformers.

摘要翻译： 一种用于实现具有电镀铜电感器（4），变压器（16），互连和功率集成的倒装芯片半导体器件的结构和方法，其电性优良，成本更低，并且提供更高质量的电感器以及更低损耗 片上变压器。 提供焊料坝（8,24,28）可以将倒装芯片焊料凸块直接制造到电感器和变压器上。

公开(公告)号：US06429046B1

公开(公告)日：2002-08-06

申请号：US09615865

申请日：2000-07-13

申请人： George W. Marlin

发明人： George W. Marlin

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171

摘要： A method of manufacturing a solder bump on a power copper structure and resultant device is disclosed. In the method, a layer of an electrically conductive, non-wettable material such as TiW is applied over a power copper structure. Then, solder bumps are formed on the non-wettable layer. The presence of the non-wettable layer prevents the collapse of the solder bumps when heated.

摘要翻译： 公开了一种在功率铜结构和结果器件上制造焊料凸块的方法。 在该方法中，将诸如TiW的导电不可润湿材料层施加在功率铜结构上。 然后，在不可润湿层上形成焊料凸块。 不可润湿层的存在防止了加热时焊料凸块的塌陷。

公开(公告)号：US6008102A

公开(公告)日：1999-12-28

申请号：US56967

申请日：1998-04-09

申请人： Ronald C. Alford ,  Robert E. Stengel ,  Douglas H. Weisman ,  George W. Marlin

发明人： Ronald C. Alford ,  Robert E. Stengel ,  Douglas H. Weisman ,  George W. Marlin

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/4902

摘要： A three-dimensional inductor coil is fabricated on top of a semiconductor substrate. The fabrication process includes the steps of depositing a first photoresist layer (406), forming a trench therein, and filling the trench with electroplated metal (404). A second photoresist layer (408) is deposited, and first and second trenches (410) are formed therein and filled with electroplated metal (412). A third photoresist layer (416) is deposited and a trench (418) formed therein, and then filled with electroplated metal (420). The first, second, and third photoresist layers (406, 408, 416) are then removed to expose a multi-loop inductor coil (500, 550).

摘要翻译： 在半导体衬底的顶部上制造三维感应线圈。 制造工艺包括沉积第一光致抗蚀剂层（406），在其中形成沟槽以及用电镀金属（404）填充沟槽的步骤。 沉积第二光致抗蚀剂层（408），并且在其中形成第一和第二沟槽（410）并填充有电镀金属（412）。 沉积第三光致抗蚀剂层（416）并在其中形成沟槽（418），然后用电镀金属（420）填充。 然后去除第一，第二和第三光致抗蚀剂层（406,408,416）以暴露多回路感应线圈（500,550）。