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    FORMATION OF A DEVICE USING BLOCK COPOLYMER LITHOGRAPHY
    3.
    发明申请
    FORMATION OF A DEVICE USING BLOCK COPOLYMER LITHOGRAPHY 有权
    使用块状共聚物平台形成装置

    公开(公告)号：US20090305173A1

    公开(公告)日：2009-12-10

    申请号：US12135387

    申请日：2008-06-09

    申请人： Shuaigang Xiao ,  Xiaomin Yang

    发明人： Shuaigang Xiao ,  Xiaomin Yang

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/00 ,  G11C11/14 ,  H01F41/34 ,  H01L27/22

    摘要： The formation of a device using block copolymer lithography is provided. The formation of the device includes forming a block copolymer structure. The block copolymer structure includes a first polymer and a second polymer. The block copolymer structure also includes a first component deposited between adjacent blocks of the first polymer and a second component deposited between adjacent blocks of the second polymer. A template is developed by removing either the first and second polymers or the first and second components from the block copolymer structure. The formation of the device also includes lithographically patterning the device utilizing the block copolymer structure template. The device may be a data storage medium.

    摘要翻译： 提供了使用嵌段共聚物光刻法形成装置。 该装置的形成包括形成嵌段共聚物结构。 嵌段共聚物结构包括第一聚合物和第二聚合物。 嵌段共聚物结构还包括沉积在第一聚合物的相邻嵌段之间的第一组分和沉积在第二聚合物的相邻嵌段之间的第二组分。 通过从嵌段共聚物结构中除去第一和第二聚合物或第一和第二组分来开发模板。 该器件的形成还包括利用嵌段共聚物结构模板对该器件进行光刻图案化。 该设备可以是数据存储介质。

    Magnetic recording media having chemically modified patterned substrate to assemble self organized magnetic arrays
    4.
    发明授权
    Magnetic recording media having chemically modified patterned substrate to assemble self organized magnetic arrays 失效
    具有经化学改性的图案化基底以组装自组织磁阵列的磁记录介质

    公开(公告)号：US07153597B2

    公开(公告)日：2006-12-26

    申请号：US10682690

    申请日：2003-10-09

    申请人： Xiaomin Yang ,  Earl C. Johns ,  Timothy J. Klemmer ,  Chao Liu ,  Dieter K. Weller

    发明人： Xiaomin Yang ,  Earl C. Johns ,  Timothy J. Klemmer ,  Chao Liu ,  Dieter K. Weller

    IPC分类号： G11B5/64

    CPC分类号： G11B5/82 ,  G11B5/746 ,  G11B5/855 ,  G11B2005/0002

    摘要： A data storage medium is provided according to the present invention for magnetic recording. The data storage medium includes a substrate having a locking pattern etched therein defining patterned regions. The patterned regions are chemically modified by depositing a self-assembled monolayer therein. A first layer of nanoparticles is provided in the patterned regions on top of the self-assembled monolayer and is chemically bonded to the substrate via the self-assembled monolayer. The first layer of nanoparticles is chemically modified using functional surfactant molecules applied thereto, such that a second layer of nanoparticles may be formed on top of the first layer and chemically bonded thereto via the functional surfactant molecules. Additional layers of nanoparticles may be applied by chemically modifying the top layer of nanoparticles utilizing the functional surfactant molecules and applying a further layer of nanoparticles thereto.

    摘要翻译： 根据本发明提供了用于磁记录的数据存储介质。 数据存储介质包括其中蚀刻有锁定图案的基板，其中限定图案化区域。 通过在其中沉积自组装单层来对图案化区进行化学修饰。 在自组装单层顶部的图案化区域中提供第一层纳米颗粒，并通过自组装单层化学键合到基底上。 使用施加到其上的功能性表面活性剂分子对第一层纳米颗粒进行化学修饰，使得可以在第一层的顶部上形成第二层纳米颗粒，并通过功能性表面活性剂分子与其化学键合。 可以通过使用功能性表面活性剂分子对纳米颗粒的顶层进行化学修饰来施加另外的纳米颗粒层来施加另外的纳米颗粒层。

    Electron beam lithography method for plating sub-100 nm trenches
    5.
    发明授权
    Electron beam lithography method for plating sub-100 nm trenches 失效
    电子束光刻法用于电镀100nm以下的沟槽

    公开(公告)号：US06815358B2

    公开(公告)日：2004-11-09

    申请号：US10108309

    申请日：2002-03-28

    申请人： Xiaomin Yang ,  Andrew Robert Eckert

    发明人： Xiaomin Yang ,  Andrew Robert Eckert

    IPC分类号： H01L21311

    CPC分类号： G11B5/3116 ,  G11B5/187 ,  G11B5/1871 ,  G11B5/3163 ,  H01F41/34

    摘要： A lithography method for plating sub-100 nm narrow trenches, including providing a thin undercoat dissolution layer intermediate a seed layer and a resist layer, wherein the undercoat dissolution layer is relatively completely cleared off the seed layer by the developer solution such that the sides of the narrow trench will be generally vertical, particularly at the base of the narrow trench, thus facilitating plating the narrow trench with a high magnetic moment material.

    摘要翻译： 用于电镀次100nm窄沟槽的光刻方法，包括提供种子层和抗蚀剂层之间的薄底涂层溶解层，其中底涂层溶解层通过显影剂溶液相对完全从种子层清除，使得 窄沟槽通常是垂直的，特别是在窄沟槽的底部，因此有助于用高磁矩材料镀覆窄沟槽。

    Formation of a device using block copolymer lithography
    6.
    发明授权
    Formation of a device using block copolymer lithography 有权
    使用嵌段共聚物光刻形成器件

    公开(公告)号：US08268545B2

    公开(公告)日：2012-09-18

    申请号：US12135387

    申请日：2008-06-09

    申请人： Shuaigang Xiao ,  Xiaomin Yang

    发明人： Shuaigang Xiao ,  Xiaomin Yang

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/00 ,  G11C11/14 ,  H01F41/34 ,  H01L27/22

    摘要： The formation of a device using block copolymer lithography is provided. The formation of the device includes forming a block copolymer structure. The block copolymer structure includes a first polymer and a second polymer. The block copolymer structure also includes a first component deposited between adjacent blocks of the first polymer and a second component deposited between adjacent blocks of the second polymer. A template is developed by removing either the first and second polymers or the first and second components from the block copolymer structure. The formation of the device also includes lithographically patterning the device utilizing the block copolymer structure template. The device may be a data storage medium.

    摘要翻译： 提供了使用嵌段共聚物光刻法形成装置。 该装置的形成包括形成嵌段共聚物结构。 嵌段共聚物结构包括第一聚合物和第二聚合物。 嵌段共聚物结构还包括沉积在第一聚合物的相邻嵌段之间的第一组分和沉积在第二聚合物的相邻嵌段之间的第二组分。 通过从嵌段共聚物结构中除去第一和第二聚合物或第一和第二组分来开发模板。 该器件的形成还包括利用嵌段共聚物结构模板对该器件进行光刻图案化。 该设备可以是数据存储介质。

    Radio frequency switch with improved intermodulation distortion through use of feed forward capacitor
    7.
    发明授权
    Radio frequency switch with improved intermodulation distortion through use of feed forward capacitor 有权
    射频开关通过使用前馈电容改善了互调失真

    公开(公告)号：US08008988B1

    公开(公告)日：2011-08-30

    申请号：US12177469

    申请日：2008-07-22

    申请人： Xiaomin Yang ,  Thomas Meier

    发明人： Xiaomin Yang ,  Thomas Meier

    IPC分类号： H01P1/10

    CPC分类号： H03K17/693 ,  H03K2217/0054

    摘要： A radio frequency (RF) switch using a field effect transistor has 2nd order intermodulation distortion improved through use of a feed forward capacitor electrically connected between the gate and a voltage coupler connected between the source and drain of the FET. With a control voltage provided at the gate through a gate feed resistor for operation of the FET, the feed forward capacitor feeds an RF voltage from the drain terminal and the source terminal to the gate terminal through the gate feed resistor.

    摘要翻译： 使用场效应晶体管的射频（RF）开关通过使用电连接在栅极和连接在FET的源极和漏极之间的电压耦合器之间的前馈电容器来改善二阶互调失真。 通过用于操作FET的栅极馈电电阻在栅极处提供控制电压，前馈电容器通过栅极馈电电阻将漏极端子和源极端子的RF电压馈送到栅极端子。

    Switching device with non-negative biasing
    9.
    发明授权
    Switching device with non-negative biasing 有权
    具有非负偏置的开关器件

    公开(公告)号：US08729952B2

    公开(公告)日：2014-05-20

    申请号：US13587590

    申请日：2012-08-16

    申请人： Xiaomin Yang ,  James P. Furino, Jr.

    发明人： Xiaomin Yang ,  James P. Furino, Jr.

    IPC分类号： H03K17/687

    CPC分类号： H03K17/162 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0054

    摘要： Embodiments provide a switching device including one or more field-effect transistors (FETs) and bias circuitry. The one or more FETs may transition between an off state and an on state to facilitate switching of a transmission signal. The one or more FETs may include a drain terminal, a source terminal, a gate terminal, and a body. The biasing circuitry may bias the drain terminal and the source terminal to a first DC voltage in the on state and a second DC voltage in the off state. The first and second DC voltages may be non-negative. The biasing circuitry may be further configured to bias the gate terminal to the first DC voltage in the off state and the second DC voltage in the on state.

    摘要翻译： 实施例提供了包括一个或多个场效应晶体管（FET）和偏置电路的开关器件。 一个或多个FET可以在断开状态和导通状态之间转换，以便于传输信号的切换。 一个或多个FET可以包括漏极端子，源极端子，栅极端子和主体。 偏置电路可以将漏极端子和源极端子偏置为处于导通状态的第一DC电压和处于断开状态的第二DC电压。 第一和第二DC电压可以是非负的。 偏置电路还可以被配置为将栅极端子偏置为处于断开状态的第一直流电压和处于导通状态的第二直流电压。

    SWITCHING DEVICE WITH NON-NEGATIVE BIASING
    10.
    发明申请
    SWITCHING DEVICE WITH NON-NEGATIVE BIASING 有权
    具有非负偏移的开关装置

    公开(公告)号：US20140049311A1

    公开(公告)日：2014-02-20

    申请号：US13587590

    申请日：2012-08-16

    申请人： Xiaomin Yang ,  James P. Furino, JR.

    发明人： Xiaomin Yang ,  James P. Furino, JR.

    IPC分类号： H03K17/06 ,  H03K17/687

    CPC分类号： H03K17/162 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0054

    摘要： Embodiments provide a switching device including one or more field-effect transistors (FETs) and bias circuitry. The one or more FETs may transition between an off state and an on state to facilitate switching of a transmission signal. The one or more FETs may include a drain terminal, a source terminal, a gate terminal, and a body. The biasing circuitry may bias the drain terminal and the source terminal to a first DC voltage in the on state and a second DC voltage in the off state. The first and second DC voltages may be non-negative. The biasing circuitry may be further configured to bias the gate terminal to the first DC voltage in the off state and the second DC voltage in the on state.

    摘要翻译： 实施例提供了包括一个或多个场效应晶体管（FET）和偏置电路的开关器件。 一个或多个FET可以在断开状态和导通状态之间转换，以便于传输信号的切换。 一个或多个FET可以包括漏极端子，源极端子，栅极端子和主体。 偏置电路可以将漏极端子和源极端子偏置为处于导通状态的第一DC电压和处于断开状态的第二DC电压。 第一和第二DC电压可以是非负的。 偏置电路还可以被配置为将栅极端子偏置为处于断开状态的第一直流电压，而将第二直流电压偏置为导通状态。